晶圆加热装置制造方法及图纸

本申请适用于晶圆加工技术领域，提出一种晶圆加热装置，包括：基座；真空吸盘，设于所述基座上且用于吸附工件，所述真空吸盘上设有进气孔与气路，所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述进气孔径向延伸的径向气路，每个所述径向气路与各所述环形气路均连通，且所述环形气路、所述径向气路背离所述基座的一侧均与外界连通；加热组件，用于对所述真空吸盘上的工件进行加热；本申请结构简洁，能够更好的将晶圆和真空吸盘之间的空气排出，有效的提高真空吸盘对晶圆的吸附能力；也能够使晶圆均匀的被真空吸盘吸附，以便于保证晶圆受热均匀，实用性强。实用性强。实用性强。

Wafer heating device

【技术实现步骤摘要】
晶圆加热装置


[0001]本申请属于晶圆加工
，尤其涉及一种晶圆加热装置。

技术介绍

[0002]目前，常用的晶圆加热设备的加热丝呈螺旋状从中心向外围旋转，加热丝在热盘中的分布不够均匀，无法达到均匀加热的目的，无法满足晶圆的高精度加热要求，而高精度加热对半导体工艺至关重要。
[0003]另外，在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位，在先技术中通常通过真空吸盘定位，但现有的真空吸盘对晶圆的吸附力通常不够均匀，晶圆和真空吸盘间的间隙存在差异，这也会导致晶圆加热不均匀，导致无法满足晶圆加热的精度要求。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本申请提供了一种晶圆加热装置，至少解决了在先技术中真空吸盘吸附力不均匀、晶圆加热不均匀的问题。
[0005]本申请实施例提供一种晶圆加热装置，包括：
[0006]基座；
[0007]真空吸盘，设于所述基座上且用于吸附工件，所述真空吸盘上设有进气孔与气路，所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述真空吸盘的径向延伸的径向气路，每个所述径向气路与各所述环形气路均连通，且所述环形气路、所述径向气路背离所述基座的一侧均与外界连通；
[0008]加热组件，用于对所述真空吸盘上的工件加热。
[0009]在一实施例中，所述进气孔包括一个中央气孔与多个节点气孔，若干所述环形气路均与所述中央气孔同心设置，多个所述节点气孔分别开设于所述径向气路与所述环形气路的交汇处。
[0010]在一实施例中，所述中央气孔、所述节点气孔及所述节点气孔所处的环形气路于所述真空吸盘的中央形成储气区。
[0011]在一实施例中，所述的晶圆加热装置还包括多个设于所述基座上的定位组件，多个所述定位组件沿所述真空吸盘的周向间隔设置；
[0012]多个所述定位组件之间卡持有定位环。
[0013]在一实施例中，所述定位环上开设有定位缺口；
[0014]所述定位组件包括可拆卸地连接于所述基座的调节块，其中一个所述调节块上设有置于所述定位缺口内的定位销。
[0015]在一实施例中，所述定位组件包括磁铁，所述磁铁用于吸附所述定位环。
[0016]在一实施例中，所述基座包括立柱、支撑架和隔热垫，所述真空吸盘设于所述支撑架上，所述隔热垫设于所述支撑架与所述立柱之间。
[0017]在一实施例中，所述基座还包括安装底板，所述立柱设于所述安装底板上。
[0018]在一实施例中，所述加热组件包括加热片，所述加热片设于所述真空吸盘背离所述气路的一侧。
[0019]在一实施例中，所述加热组件还包括电性连接于所述加热片的热电偶。
[0020]本申请针对在先技术中真空吸盘吸附力不均匀、晶圆加热不均匀的问题作出改进设置，具有以下有益效果：
[0021]1、在真空吸盘上同心设置若干环形气路，并通过径向气路使若干环形气路相互连通，使得晶圆能够受到均匀的吸附力，同时使环形气路和径向气路能够覆盖晶圆的整个接触面，以便于更好的抽出空气；
[0022]2、在真空吸盘的中央区域设置进气孔，使整个吸盘的空气均向真空吸盘中央汇聚并从中央被抽出，进一步降低晶圆与真空吸盘之间存留空气的可能；
[0023]本申请结构简洁，能够更好的将晶圆和真空吸盘之间的空气排出，有效的提高真空吸盘对晶圆的吸附能力；也能够使晶圆均匀的被真空吸盘吸附，以便于保证晶圆受热均匀，能够满足晶圆加热的精度要求，实用性强。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为本申请实施例提供的晶圆加热装置的立体示意图。
[0026]图2为图1所示的晶圆加热装置中去真空吸盘后立体示意图。
[0027]图3为图1所示的晶圆加热装置的局部爆炸立体示意图。
[0028]图4为图1所示的晶圆加热装置中调节块的立体示意图。
[0029]图5为图1所示的晶圆加热装置中真空吸盘的立体示意图。
[0030]图6为图5所示的真空吸盘的中央局部放大示意图。
[0031]图中标记的含义为：
[0032]1、基座；12、立柱；13、支撑架；14、隔热垫；15、安装底板；
[0033]2、真空吸盘；21、进气孔；211、中央气孔；212、节点气孔；22、气路；221、环形气路；222、径向气路；
[0034]3、加热组件；31、加热片；32、热电偶；
[0035]4、定位组件；41、调节块；411、定位销；412、翼板；42、磁铁；
[0036]5、定位环；51、定位缺口。
具体实施方式
[0037]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图即实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0038]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，
而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0039]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0040]为了说明本申请所述的技术方案，下面结合具体附图及实施例来进行说明。
[0041]本申请实施例提供一种晶圆加热装置，使真空吸盘2能够更均匀的吸附晶圆，从而更好的保证晶圆能够均匀受热。
[0042]参考图1和图2，本实施例提供的晶圆加热装置包括基座1、真空吸盘2和加热组件3。
[0043]基座1用于为真空吸盘2和加热组件3提供固定基础，基座1可安装于其他设备，例如点胶设备。
[0044]真空吸盘2用于承载并对晶圆定位，请同时按参考图5，真空吸盘2上开设有进气孔21与气路22，具体的，将真空吸盘2与晶圆的接触面称为承载面，气路22开设于承载面，气路22朝向晶圆的一端直接与外界连通，进气孔21贯穿整个真空吸盘2，进气孔21与承载面相对的一侧可直接和外接的抽气设备相连通，外接的抽气设备可通过进气孔21将晶圆与承载面之间的空气抽出。
[0045]外接的抽气设备可以是各种类型的抽气设备，例如真空泵。
[0046]气路22与外界直接连通的方式有多种，其可以将气路22设为朝向晶圆一侧无顶的槽状结构，也可以将气路22设为封闭结构并在朝向晶圆的一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶圆加热装置，其特征在于，包括：基座(1)；真空吸盘(2)，设于所述基座(1)上且用于吸附工件，所述真空吸盘(2)上设有进气孔(21)与气路(22)，所述气路(22)包括若干同心设置的环形气路(221)以及若干沿所述真空吸盘(2)的径向延伸的径向气路(222)，每个所述径向气路(222)与各所述环形气路(221)均连通，且所述环形气路(221)、所述径向气路(222)背离所述基座(1)的一侧均与外界连通；加热组件(3)，用于对所述真空吸盘(2)上的工件加热。2.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述进气孔(21)包括一个中央气孔(211)与多个节点气孔(212)，若干所述环形气路(221)均与所述中央气孔(211)同心设置，多个所述节点气孔(212)分别开设于所述径向气路(222)与所述环形气路(221)的交汇处。3.根据权利要求2所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述中央气孔(211)、所述节点气孔(212)及所述节点气孔(212)所处的环形气路(221)于所述真空吸盘(2)的中央形成储气区。4.根据权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于，所述的晶圆加热装置还包括多个设于所述基座(1)上的定位组件(4)，多个所述定位组件(4)沿所述真空吸盘(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李复春，江岱平，卢国艺，曾金城，黎平，易智勇，
申请(专利权)人：深圳市腾盛精密装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：