【技术实现步骤摘要】
一种研磨检验平台
[0001]本技术属于半导体晶圆研磨领域，特别涉及一种研磨检验平台。
技术介绍
[0002]现有技术中，有一种提高晶圆研磨均匀性的研磨头和研磨装置，其专利申请号：201220035452.X；申请日：2012
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03；公开号：202491166U；公开日：2012
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17；其结构包括下方带有限位环的研磨头本体，还包括一设置于所述研磨头上的限位环冷却装置，所述限位环冷却装置包括从上至下依次叠置于所述研磨头本体上的冷却液供应盘与冷却液收集盘、冷却液供应管、以及设置于所述限位环内部的环形冷却通道，所述冷却液供应管的出液口间隔设置于所述冷却液供应盘的底板上方，所述环形冷却通道的两侧分别通过连接管道与所述冷却液供应盘和所述冷却液收集盘连通。该装置能够有效提高晶圆研磨均匀性，提高产品良率。
[0003]目前，对晶圆进行研磨的目的是以降低厚度，达到客户的需求，对晶圆研磨后的品质需要进行进一步检验确认，其检验项目包括：背面污染、...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种研磨检验平台，包括可移动的显微镜载物台，所述显微镜载物台上设置有检验基台，其特征在于，所述检验基台呈矩形，检验基台上表面的四个侧边处均设置有侧挡条，四根侧挡条围成矩形，每根侧挡条的内侧均贴靠设置有定位卡条，各定位卡条围成的矩形区域内设置有柔性软垫，柔性软垫的材质为防静电泡沫棉，所述柔性软垫上贯穿开设有相邻设置的中心槽和进入槽，中心槽位于柔性软垫中部，进入槽位于柔性软垫右侧，柔性软垫上位于中心槽外周开设有C形放置槽，放置槽的槽深小于中心槽的槽深，放置槽内放置有晶圆。2.根据权利要求1所述的一种研磨检验平台，其特征在于，前后两侧的所述定位卡条朝内一侧的下部均沿长度方向开设有定位卡...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁强，黄金良，刘磊，高美山，
申请(专利权)人：江苏汇成光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
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