一种光提取材料、光提取层、发光器件和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种光提取材料、光提取层、发光器件和显示装置，涉及显示技术领域，该光提取材料的折射率较高，从而能够有效提高光提取层的耦合效率，进而提高显示装置的发光效率等，用户体验佳。该光提取材料包括：主链结构，所述主链结构包括富空穴的结构I或富电子的结构II；所述富空穴的结构I或所述富电子的结构II均包括M个基团，相邻所述基团通过单键键合；相邻所述基团各自所在平面之间的二面角为θi，M个所述基团中所有所述θi的总和为θ，其中，1≤i≤M

【技术实现步骤摘要】
一种光提取材料、光提取层、发光器件和显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种光提取材料、光提取层、发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]在OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置中加入CPL(Capping Layer，光提取层)层可以改善显示装置的出光模式，使原本被限制在装置内部的光线能够射出显示装置，表现出更高的光提取效率。
[0003]但是，传统的光提取层的耦合效率较低，容易造成显示装置效率低下、热稳定性不好等问题，用户体验差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种光提取材料、光提取层、发光器件和显示装置，该光提取材料的折射率较高，从而能够有效提高光提取层的耦合效率，进而提高显示装置的发光效率等，用户体验佳。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
[0006]一方面，提供了一种光提取材料、光提取层、发光器件和显示装置，该光提取材料包括：主链结构，所述主链结构包括富空穴的结构I或富电子的结构II；
[0007]所述富空穴的结构I或所述富电子的结构II均包括M个基团，相邻所述基团通过单键键合；相邻所述基团各自所在平面之间的二面角为θi，M个所述基团中所有所述θi的总和为θ，其中，1≤i≤M
‑
1、θ≤M
×
40
°
、M≥5。
[0008]可选的，所述富空穴的结构I的通式为：
[0009][0010]其中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地为C6～C60的芳基、C10～C60的稠和芳基、C5～C60的五元芳杂环、C5～C60的六元芳杂环中的任一种。
[0011]可选的，所述富电子的结构II的通式为：
[0012][0013]其中，Ar4、Ar5和Ar6各自独立地为C6～C60的芳基、C10～C60的稠和芳基、C5～C60的五元芳杂环、C5～C60的六元芳杂环中的任一种；X1、X2和X3各自独立地为碳、氮中的任一种。
[0014]可选的，所述光提取材料还包括与所述主链结构通过单键键合的至少一个支链结
构；
[0015]所述支链结构包含C5～C60的五元芳杂环、C5～C60的六元芳杂环、C5～C60的五元稠和芳杂环、C5～C60的六元稠和芳杂环中的任一种。
[0016]可选的，所述支链结构的化学结构式包括：
[0017][0018]中的任一种。
[0019]可选的，所述光提取材料的化学结构式包括：
[0020][0021]中的任一种。
[0022]另一方面，提供了一种光提取层，包括上述的光提取材料。
[0023]再一方面，提供了一种发光器件，包括上述的光提取层。
[0024]又一方面，提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。
[0025]本专利技术的实施例提供了一种光提取材料，该光提取材料包括主链结构，主链结构
包括富空穴的结构I或富电子的结构II；富空穴的结构I或富电子的结构II均包括M个基团，相邻基团通过单键键合；相邻基团各自所在平面之间的二面角为θi，M个基团中所有θi的总和为θ，其中，1≤i≤M
‑
1、θ≤M
×
40
°
、M≥5。从而使得光提取材料的主链结构为具有大Π共轭的电子结构体系，这样虽然光提取材料的分子结构中基团数量增多导致分子体积有一定程度增加，但同时由于相邻基团所在平面之间的二面角越靠近0
°
时，分子极化率的增大程度远大于大于分子体积的增大幅度，从而使得分子体积和分子极化率在达到平衡的同时，能够有效提高分子折射率，使得光提取材料具有较高折射率。
[0026]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术实施例提供的一种CBP的化学结构式的划分示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例提供的一种计算相邻基团所在平面之间的二面角的示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例提供的另一种计算相邻基团所在平面之间的二面角的示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
[0032]图5为本专利技术实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；
[0033]图6为本专利技术实施例提供的又一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]在本专利技术的实施例中，“至少一个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
[0036]近年来，OLED显示装置由于其具有的主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，逐渐成为市场上炙手可热的主流显示装置。随着科技的不断发展，对于OLED显示装置的分辨率要求越来越高，功耗数值要求越来越低。由此，需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。
[0037]OLED显示装置根据出光方向的不同可以分为底发射型和顶发射型，目前主要以顶发射型OLED显示装置居多。为了提高顶发射型OLED显示装置的发光效率，相关技术常在装置的透明电极上设置一层CPL层，以提高OLED显示装置的光耦合效率。设置有CPL层的OLED显示装置可以有效改善出光模式，使原本被限制在装置内部的光线能够射出显示装置，从
而表现出更高的光提取效率。目前的CPL层为一层折射率较高的有机或无机透明材料。光提取材料的折射率越高，取光效果越明显，显示装置的性能优化也更好。而且，在紫外区的吸收增加也可以保护显示装置免遭紫外光对内部器件的损伤。
[0038]然而，目前的光提取材料在可见光范围的折射率较低，导致光提取效率较低，从而导致无法有效提高OLED显示装置的发光效率。
[0039]基于上述，本专利技术实施例提供了一种光提取材料，该光提取材料包括：主链结构，主链结构包括富空穴的结构I或富电子的结构II；富空穴的结构I或富电子的结构II均包括M个基团，相邻基团通过单键键合；相邻基团各自所在平面之间的二面角为θi，M个基团中所有θi的总和为θ，其中，1≤i≤M
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1、θ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光提取材料，其特征在于，包括主链结构，所述主链结构包括富空穴的结构I或富电子的结构II；所述富空穴的结构I或所述富电子的结构II均包括M个基团，相邻所述基团通过单键键合；相邻所述基团各自所在平面之间的二面角为θi，M个所述基团中所有所述θi的总和为θ，其中，1≤i≤M
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1、θ≤M
×
40
°
、M≥5。2.根据权利要求1所述的光提取材料，其特征在于，所述富空穴的结构I的通式为：其中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地为C6～C60的芳基、C10～C60的稠和芳基、C5～C60的五元芳杂环、C5～C60的六元芳杂环中的任一种。3.根据权利要求1所述的光提取材料，其特征在于，所述富电子的结构II的通式为：其中，Ar4、Ar5和Ar6各自独立地为C6～C60的芳基、C10～C60的稠和芳基、C5～C60的五元芳杂环、C5～C60的六元芳杂环中的任一种；X1、X2和X3各自独立地为碳、氮中的任一种。4.根据权利要求1所述的光提取材料，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东旭，陈磊，陈雪芹，梁丙炎，高荣荣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：