一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法制造方法及图纸

本申请提供了一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法，包括溅射腔体、基片台、溅射组件、绝缘环、适配板和离子化线圈组件，适配板位于溅射腔体上部，溅射组件位于溅射腔体顶部，溅射组件通过绝缘环与适配板绝缘密封布置，基片台位于溅射腔体内，离子化线圈组件位于溅射腔体内，位于基片台和溅射组件之间，离子化线圈组件包括离子化线圈，溅射组件包括溅射靶材，溅射靶材的材质与离子化线圈相同；基片台与第一射频电源连接；离子化线圈与第二射频电源连接。其制备方法是采用以上装置进行镀膜处理。本申请金属自离子化装置，具有结构简单、镀膜均匀性好、沉积效率高等优点，可以实现深孔孔洞中阻挡层薄膜的沉积，使用价值高，应用前景好。用前景好。用前景好。

【技术实现步骤摘要】
一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法


[0001]本专利技术属于磁控溅射设备领域，涉及一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片特征尺寸遵循摩尔定律不断缩小，半导体器件的性能不断提高，但与此同时，互联性能缺反而因为线宽的缩小而不断变差，使得互联线逐渐成为限制半导体芯片性能提高的瓶颈。
[0003]硅通孔(through silicon via，TSV)技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。由于TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且能大大改善芯片速度和低功耗的性能，成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。
[0004]TSV开发工艺包括在晶圆上通过刻蚀、激光钻孔等方式制作垂直硅通孔，然后在硅通孔内制作绝缘层、阻挡层和种子层沉积、填充金属、化学机械抛光、减薄以及随后的晶圆键合步骤，其中阻挡层和种子层沉积工艺一般采用物理气相沉积(PVD)技术。但随着硅通孔的深宽比越来越大，利用PVD工艺制作阻挡层和种子层的难度越本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，包括溅射腔体(1)、基片台(2)、溅射组件、绝缘环(4)、适配板(5)和离子化线圈组件；所述适配板(5)位于溅射腔体(1)上部，所述溅射组件位于溅射腔体(1)顶部，所述溅射组件通过绝缘环(4)与适配板(5)绝缘密封布置；所述基片台(2)位于溅射腔体(1)内，所述离子化线圈组件位于溅射腔体(1)内，且位于基片台(2)和溅射组件之间；所述离子化线圈组件包括离子化线圈(61)；所述溅射组件包括溅射靶材(31)，所述溅射靶材(31)的材质与离子化线圈(61)相同；所述基片台(2)与第一射频电源(81)连接；所述离子化线圈(61)与第二射频电源(82)连接。2.根据权利要求1所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，所述离子化线圈组件还包括电极(62)、电极连接件(63)和电极绝缘件(64)；所述离子化线圈(61)为开口环形，所述离子化线圈(61)的开口两端分别通过电极连接件(63)与电极(62)连接，所述电极(62)安装在适配板(5)上，所述电极绝缘件(64)包覆在电极连接件(63)的表面；所述离子化线圈(61)的开口处的间隙宽度为3mm～5mm；所述电极连接件(63)的材质为无氧铜；所述电极连接件(63)为薄壁S型结构；所述电极(62)的数量至少为2个；所述电极(62)为陶封电极；所述电极连接件(63)的数量至少为2个。3.根据权利要求2所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，所述金属自离子化装置还包括防污组件；所述防污组件包括上防污环(71)、内防污筒(72)、外防污筒(73)和压环(74)；所述上防污环(71)、内防污筒(72)、外防污筒(73)同心布置在溅射腔体(1)内；所述内防污筒(72)位于外防污筒(73)内，所述上防污环(71)位于内防污筒(72)与溅射组件之间；所述上防污环(71)、内防污筒(72)、外防污筒(73)的法兰边固定在适配板(5)上；所述内防污筒(72)、外防污筒(73)的下部中心位置设有通槽；所述基片台(2)位于通槽内，通过压环(74)遮挡基片台(2)与内防污筒(72)、外防污筒(73)之间的间隙；所述内防污筒(72)、外防污筒(73)上设有用于安装电极绝缘件(64)和电极连接件(63)的安装孔或缺口；所述离子化线...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘鹏程，程文进，范江华，黄也，罗超，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：