介电材料和包括该介电材料的多层陶瓷电子组件制造技术

本公开提供一种介电材料和包括该介电材料的多层陶瓷电子组件。所述介电材料包括：主成分，由(Ba1‑

【技术实现步骤摘要】
介电材料和包括该介电材料的多层陶瓷电子组件
[0001]本申请要求于2020年12月31日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0189832号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包括于此。


[0002]本公开涉及一种介电材料和包括该介电材料的多层陶瓷电子组件。

技术介绍

[0003]最近，随着电子产品小型化的趋势，多层陶瓷电子组件也需要小型化并具有高电容。多层陶瓷电子组件的介电层也变得更薄，以满足多层陶瓷电子组件的小型化和大电容的需求。
[0004]此外，众所周知电子组件的耐受电压特性等受到组件内部的微结构的显著影响。随着介电层越来越薄，介电层的晶粒尺寸和成分分布受到影响，这导致多层陶瓷电子组件的耐受电压特性和可靠性特性可能劣化的问题。通常，电子组件的晶粒之间的晶界具有高电阻分量，因此，已经进行了研究以通过增加介电层内部的晶界的比值来提供具有高可靠性的电子组件。
[0005]然而，随着电子组件的小型化/超高电容化，介电层变薄，因此仍然存在产品可靠性、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介电材料，包括：主成分，由(Ba1‑
x
Ca
x
)(Ti1‑
y
(Zr,Sn,Hf)
y
)O3表示，其中，0≤x≤1且0≤y≤0.5；第一副成分，包括Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、Nb、Tb、Eu、Tm、La、Lu和Yb中的至少一种元素；第二副成分，包括Si和/或Al；以及第三副成分，包括Ba和/或Ca，其中，满足以下关系式1至关系式6中的至少两个：0.162≤M
Tb
/M
Dy
≤1.20[关系式1]0.176≤M
Gd
/M
Dy
≤0.60[关系式2]0.081≤M
Sm
/M
Dy
≤0.176[关系式3]0.081≤M
Nb
/M
Dy
≤0.176[关系式4]0.60≤M2/M1≤1.36[关系式5]0.263≤M3/M2≤0.455[关系式6]，其中，在关系式1至关系式4中，M
Tb
、M
Dy
、M
Gd
、M
Sm
和M
Nb
分别是相对于100摩尔的所述主成分的B位元素的总和，所述第一副成分中的Tb、Dy、Gd、Sm和Nb的摩尔数，并且在关系式5和关系式6中，M1是相对于100摩尔的所述主成分的B位元素的总和，所述第一副成分的总摩尔数，M2是相对于100摩尔的所述主成分的B位元素的总和，所述第二副成分的总摩尔数，并且M3是相对于100摩尔的所述主成分的B位元素的总和，所述第三副成分的总摩尔数。2.根据权利要求1所述的介电材料，其中，满足关系式1至关系式4中的至少两个。3.根据权利要求1所述的介电材料，其中，满足关系式5和关系式6。4.根据权利要求1所述的介电材料，其中，满足关系式1至关系式4中的至少一个，并且满足关系式5和关系式6中的至少一个。5.根据权利要求1所述的介电材料，其中，满足关系式1至关系式4中的至少两个，并且满足关系式5和关系式6。6.根据权利要求1所述的介电材料，其中，满足关系式1至关系式6。7.根据权利要求1至6中任一项所述的介电材料，其中，关系式1、关系式2、关系式3和关系式4分别对应于关系式1
‑
1、关系式2
‑
1、关系式3
‑
1和关系式4
‑
1，并且当满足关系式1、关系式2、关系式3和关系式4中的任意一个或更多个时，另外满足关系式1
‑
1、关系式2
‑
1、关系式3
‑
1和关系式4
‑
1中的对应关系式：0.108≤(M
Tb
/M
Dy
)/M3≤0.800[关系式1
‑
1]0.118≤(M
Gd
/M
Dy
)/M3≤0.400[关系式2
‑
1]0.054≤(M
Sm
/M
Dy
)/M3≤0.118[关系式3
‑
1]0.054≤(M
Nb
/M
Dy
)/M3≤0.118[关系式4
‑
1]。8.根据权利要求1所述的介电材料，其中，相对于100摩尔的主成分的B位元素的总和，所述第三副成分的含量满足大于等于0.5摩尔且小于等于3.0摩尔的范围。9.根据权利要求1所述的介电材料，所述介电材料还包括：第四副成分，包括Mg，
其中，相对于100摩尔的所述主成分的B位元素的总和，所述第四副成分的含量满足大于等于0.25摩尔且小于等于1.0摩尔的范围。10.根据权利要求9所述的介电材料，其中，所述第四副成分的含量M4与所述第三副成分的含量M3的摩尔比M4/M3满足大于等于0.125且小于等于0.500的范围。11.根据权利要求1所述的介电材料，其中，相对于100摩尔的所述主成分的B位元素的总和，所述第一副成分的含量满足大于等于0.3摩尔且小于等于5.7摩尔的范围，并且相对于100摩尔的所述主成分的B位元素的总和，所述第二副成分的含量满足大于等于0.5摩尔且小于等于6.5摩尔的范围。12.根据权利要求1所述的介电材料，所述介电材料还包括：第五副成分，包括Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种，并且相对于100摩尔的所述主成分的B位元素的总和，所述第五副成分的含量满足大于等于0.1摩尔且小于等于1.0摩尔的范围。13.根据权利要求1所述的介电材料，所述介电材料还包括包含所述主成分的晶粒以及设置在两个或更多个晶粒之间的晶界，其中，所述晶粒的核部的平均直径D1为大于等于5nm且小于等于100nm，并且所述晶粒的平均直径D2为大于等于50nm且小于等于600nm。14.一种介电材料，包括：主成分，由(Ba1‑
x
Ca
x
)(Ti1‑
y
(Zr,Sn,Hf)
y
)O3表示，其中，0≤x≤1且0≤y≤0.5；以及多个晶粒，所述多个晶粒的表面上涂覆有包括Si和/或Al的第二副成分，且在两个或更多个晶粒之间设置有晶界，其中，所述晶粒的核部的平均直径D1为大于等于5nm且小于等于100nm，并且所述晶粒的平均直径D2为大于等于50nm且小于等于600nm。15.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宰成，田喜善，徐仁泰，全炯俊，李忠垠，金锺翰，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：