发光膜、发光器件、电致发光器件和制备发光纳米结构体的方法技术

本发明专利技术涉及发光膜、发光器件、电致发光器件和制备发光纳米结构体的方法。发光器件包括第一导电层、第二导电层、以及设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的发光层，所述发光层包括发光纳米结构体，其中所述发光层配置成发射绿色光，所述发光层不包括镉、铅、或其组合，所述发光纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括III

【技术实现步骤摘要】
发光膜、发光器件、电致发光器件和制备发光纳米结构体的方法
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2020年12月28日提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0185150的优先权、以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过参考引入本文中。


[0003]公开了包括发光纳米结构体(例如，量子点)的发光膜和包括其的器件。

技术介绍

[0004]纳米颗粒在已知为块状(本体)材料中固有的物理特性(例如，带隙能量、熔点等)方面可呈现出与块状材料不同的性质。例如，发光纳米结构体可被供以光能或电能并且可发射光。发光纳米结构体可在包括电子器件的多种器件中具有用途。

技术实现思路

[0005]实施方式提供环境友好的发光纳米结构体(例如，量子点)，其显示出例如呈现出期望的性质和例如不包括有毒的重金属。
[0006]实施方式提供制造所述发光纳米结构体的方法。
[0007]实施方式提供包括所述发光纳米结构体的发光膜。
[0008]实施方式提供包括所述发光纳米结构体的器件(例如，电致发光器件)。
[0009]实施方式提供包括所述发光纳米结构体的显示装置。
[0010]根据实施方式的发光器件包括：第一导电层、第二导电层(例如，相互间隔开或彼此面对)、以及设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的发光层，并且所述发光层包括发光纳米结构体，
[0011]其中所述发光层不包括镉、铅、或其组合，/>[0012]其中所述发光层(或所述发光纳米结构体)配置成发射绿色光，
[0013]其中所述发光纳米结构体可包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括III
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V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌硫属化物，
[0014]其中所述III
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V族化合物包括铟、磷、和任选地锌，
[0015]其中所述锌硫属化物包括锌、硒和硫，
[0016]其中所述发光纳米结构体呈现出闪锌矿晶体结构，和
[0017]其中在通过电子显微镜法分析获得的二维图像中，所述发光纳米结构体显示出例如呈现出大于或等于约0.8的通过以下方程定义的所述发光纳米结构体的正方度(方度)的平均值：
[0018]正方度＝A/C
[0019]其中A为在所述二维图像中的给定发光纳米结构体的面积，且C为覆盖给定发光纳米结构体的面积的最小正方形的面积。
[0020]在通过透射电子显微镜法分析获得的二维图像中，所述发光纳米结构体可显示出例如呈现出大于或等于约0.75的通过以下方程定义的立方性：
[0021]B/A
’
＝立方性
[0022]其中A
’
为在所述二维图像中的所述发光纳米结构体的总面积，并且B为在所述二维图像中的所述发光纳米结构体的(100)面的面积。
[0023]所述锌硫属化物可包括包含锌和硒的第一锌硫属化物、以及包含锌和硫的第二锌硫属化物。
[0024]所述发光器件可配置成呈现出大于或等于约9％、大于或等于约9.5％、或者大于或等于约10％的最大外量子效率(EQE)。
[0025]所述发光器件可配置成呈现出大于或等于约10.2％的最大EQE。
[0026]所述发光器件可配置成呈现出大于或等于约11％、大于或等于约12％、大于或等于约12.5％、大于或等于约13％、或者大于或等于约14％的最大EQE。
[0027]所述发光器件可配置成呈现出大于或等于约200,000坎德拉/平方米(cd/m2)、大于或等于约250,000cd/m2、或者大于或等于约280,000cd/m2的最大亮度。
[0028]所述发光器件可配置成呈现出大于或等于约300,000cd/m2、大于或等于约310,000cd/m2、大于或等于约320,000cd/m2、大于或等于约330,000cd/m2、大于或等于约340,000cd/m2、或者大于或等于约350,000cd/m2的最大亮度。
[0029]所述绿色光或发光纳米结构体可配置成呈现出大于或等于约490纳米(nm)且小于或等于约580nm的最大发光峰波长。
[0030]所述发光纳米结构体可包括量子点。
[0031]所述发光纳米结构体或所述量子点(下文中，“发光纳米结构体”)可不包括镉、铅、或其组合。
[0032]所述发光纳米结构体可具有包括芯和设置在所述芯上的壳的芯壳结构。所述芯可包括所述第一半导体纳米晶体。所述壳可包括所述第二半导体纳米晶体(例如，所述锌硫属化物例如所述第一锌硫属化物、所述第二锌硫属化物、或其组合)。
[0033]所述芯或所述第一半导体纳米晶体可包括任选地进一步包括锌的磷化铟(铟磷化物)(例如，磷化铟、磷化铟锌、或其组合)。所述第二半导体纳米晶体或所述壳可包括第一锌硫属化物(例如，硒化锌)和第二锌硫属化物(例如，硫化锌)。在实施方式中，所述第二半导体纳米晶体或所述壳可包括硒硫化锌。
[0034]所述壳可为多层壳。所述多层壳可包括第一壳层和设置在所述第一壳层上的第二壳层，所述第一壳层包括锌、硒、和任选地硫，所述第二壳层包括锌、硫、和任选地硒，并且所述第一壳层的组成可不同于所述第二壳层的组成。所述第一壳层可直接设置在所述芯上。所述第一壳层可位于所述芯和所述第二壳层之间。
[0035]所述第一壳层可包括硒化锌、硒硫化锌、或其组合。所述第一壳层可包括或者可不包括硫。所述第二壳层可包括硫化锌、硒硫化锌、或其组合。所述壳可具有在径向方向上改变的组成。
[0036]所述发光纳米结构体或所述量子点可包括大于或等于约43:1、例如大于或等于约44:1、大于或等于约45:1、大于或等于约49:1、大于或等于约50:1的锌对铟的摩尔比。所述发光纳米结构体或所述量子点可包括大于约50:1、大于或等于约50.5:1、大于或等于约51:
1、或者大于或等于约52:1的锌对铟的摩尔比。
[0037]所述发光纳米结构体或所述量子点可包括大于或等于约11:1、大于或等于约11.5:1、大于或等于约12:1、大于或等于约12.3:1、或者大于或等于约12.5:1的硫对铟的摩尔比。
[0038]所述发光纳米结构体或所述量子点可包括大于约21:1、大于或等于约21.8:1、大于或等于约22:1、或者大于或等于约29:1的硒对铟的摩尔比。
[0039]所述发光纳米结构体或所述量子点可包括小于或等于约0.04:1的铟对硒与硫之和的摩尔比。
[0040]所述发光纳米结构体或所述量子点可包括小于或等于约1.5:1、小于或等于约1.2:1、小于或等于约1.17:1、或者小于或等于约1:1的锌对硒与硫之和的摩尔比。
[0041]所述发光纳米结构体或所述量子点可包括小于或等于约0.5:1的硫对硒的摩尔比。
[0042]所述正方度的平均值可大于或等于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光膜，包括多个发光纳米结构体，其中所述发光膜配置成发射绿色光，其中所述多个发光纳米结构体不包括镉、铅、或其组合，其中所述发光纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括III
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V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌硫属化物，其中所述III
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V族化合物包括铟、磷和任选地锌，其中所述锌硫属化物包括锌、硒和硫，其中所述发光纳米结构体呈现出闪锌矿晶体结构，其中在通过电子显微镜法分析获得的所述发光纳米结构体的二维图像中，通过以下方程定义的所述发光纳米结构体的正方度的平均值大于或等于0.8：正方度＝A/C其中A为在所述二维图像中的给定发光纳米结构体的面积，且C为覆盖所述给定发光纳米结构体的最小正方形的面积。2.如权利要求1所述的发光膜，其中所述绿色光具有在大于或等于490纳米且小于或等于580纳米的范围内的最大发光峰。3.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体各自具有芯壳结构，并且所述芯壳结构包括芯和壳，所述芯包括所述第一半导体纳米晶体，所述壳包括所述第二半导体纳米晶体。4.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体包括大于或等于43:1的锌对铟的摩尔比。5.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体包括大于或等于11.5:1的硫对铟的摩尔比。6.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体包括小于或等于0.04:1的铟对硒与硫之和的摩尔比。7.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体包括小于或等于1.5:1的锌对硒与硫之和的摩尔比。8.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体包括小于或等于0.5:1的硫对硒的摩尔比。9.如权利要求1所述的发光膜，其中所述正方度大于或等于0.85。10.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体的平均尺寸大于或等于7纳米，并且所述发光纳米结构体的颗粒尺寸分布为所述发光纳米结构体的平均尺寸的小于或等于10％。11.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光膜具有大于或等于10纳米的厚度。12.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体包括大于或等于21.8:1的硒对铟的摩尔比。13.如权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米结构体的正方度的平均值大于或等于0.83。14.如权利要求3所述的发光膜，其中所述壳包括包括锌、硒、和任选地硫的第一壳层，和设置在所述第一壳层上的第二壳层，所述第二壳层包括锌、硫、和任选地硒，
其中所述第一壳层的组成不同于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩用锡，张银珠，章效淑，O曹，闵智玄，元裕镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：