【技术实现步骤摘要】
LED模块和照明设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2020
‑
0185083的利益,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
[0003]本公开的实施例涉及一种发光二极管(LED)模块和一种照明设备。
技术介绍
[0004]通常,LED照明设备可包括LED模块,其包括发射特定波长的光的至少一个LED芯片。
[0005]具体地说,LED照明设备(例如,白光发射设备)可被配置为发射白光。例如,利用LED的白光发射设备可包括各种波长的LED芯片,或者可包括其中诸如磷光体的波长转换材料与至少一个LED芯片组合的LED模块。
[0006]近年来,需要以对人类和活生物体的生物效应以及传统照明功能为考虑的对生命(或人类)友好的照明。
技术实现思路
[0007]本公开的一方面是提供一种LED模块和具有光生物调节功能的照明设备。
[0008]根据一个或多个实施例,提供了一种发光二极管(LED)模块,其被配置为发射白光。所述LED模块包括:蓝光发射二极管,其被配置为发射第一峰波长为420nm至465nm的蓝光;至少一种波长转换材料,其被配置为将所述蓝光的一部分转换为不同波长的转换后的光;以及近红外光源,其被配置为发射第二峰波长在740nm至900nm的范围内并且半峰全宽(FWHM)为120nm或更小的额外光,其中,所述转换后的光、所述蓝光的另一部分和所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种发光二极管模块,其被配置为发射白光,所述发光二极管模块包括:蓝光发射二极管,其被配置为发射第一峰波长为420nm至465nm的蓝光;至少一种波长转换材料,其被配置为将所述蓝光的一部分转换为不同波长的转换后的光;以及近红外光源,其被配置为发射第二峰波长在740nm至900nm的范围内并且半峰全宽为120nm或更小的额外光,其中,所述转换后的光、所述蓝光的另一部分和所述额外光组合以形成所述白光。2.根据权利要求1所述的发光二极管模块,其中,在所述白光的光谱中,所述白光的峰强度在740nm至900nm的范围内,所述峰强度大于或等于所述蓝光的峰强度的4.5%。3.根据权利要求1所述的发光二极管模块,其中,所述近红外光源包括近红外波长转换材料,所述近红外波长转换材料被配置为受所述蓝光激发以发射所述第二峰波长在740nm至900nm的范围内并且所述半峰全宽为120nm或更小的所述额外光。4.根据权利要求3所述的发光二极管模块,其中,所述近红外波长转换材料包括选自由Ca(Al
12
‑
x
‑
y
,Ga
y
)O
19
:xCr
3+
(0≤x≤1,0≤y≤6)、Lu3Al5O
12
:Ce
3+
、Cr
3+
、La3MgZrO6:Cr
3+
、LiInSi2O6:Cr
3+
、LiZnSnO:Cr
3+
和ScBO3:Cr
3+
组成的组中的至少一种磷光体。5.根据权利要求1所述的发光二极管模块,其中,所述近红外光源包括:至少一个近红外发光二极管,其被配置为发射所述第二峰波长在740nm至900nm的范围内并且所述半峰全宽为120nm或更小的所述额外光。6.根据权利要求5所述的发光二极管模块,其中,所述至少一个近红外发光二极管是多个近红外发光二极管,所述多个近红外发光二极管被配置为发射具有在740nm至900nm的范围内的彼此不同的各自的峰波长的光。7.根据权利要求6所述的发光二极管模块,其中,所述多个近红外发光二极管包括:第一发光二极管,其被配置为发射峰波长在620nm至720nm的范围内的第一光;以及第二发光二极管,其被配置为发射峰波长在720nm至900nm的范围内的第二光。8.根据权利要求1所述的发光二极管模块,其中,在所述白光的光谱中,在740nm至900nm的范围内的峰波长与可见光波段中的相邻的峰波长之间存在至少一个谷。9.根据权利要求1所述的发光二极管模块,其中,所述白光的显色指数为70或更大。10.根据权利要求1所述的发光二极管模块,其中,所述白光的色温在1800K至6500K的范围内。11.根据权利要求1所述的发光二极管模块,其中,所述至少一种波长转换材料包括:第一波长转换材料,其被配置为受所述蓝光激发,以发射峰波长在520nm至560nm的范围内的第一光;以及第二波长转换材料,其被配置为受所述蓝光激发,以发射峰波长在600nm至650nm的范围内的第二光。12.根据权利要求11所述的发光二极管模块,其中,所述第一波长转换材料和所述第二波长转换材料包括磷光体和量子点中的至少一种。13.根据权利要求12所述的发光二极管模块,其中,所述第一波长转换材料包括选自由(Ga,Gd,Y,Lu)3Al5O
12
:Ce
3+
、La3Si6N
11
:Ce
3+
、(Sr,Ca,Ba)Si2O2N2:Eu
2+
、(Sr,Ba)2SiO4:Eu
2+
和β
技术研发人员:崔成宇,金圣民,尹净珢,金超惠,李璱玑,吴定绿,尹喆洙,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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