铁电体记录介质及铁电体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种铁电体记录介质，其能够将以高记录密度存储于铁电体记录介质的信息高速地读入，能够单位存储容量中的小型化且抑制能量消耗量的增大。本发明专利技术涉及的铁电体记录介质为在基板上，依次具备电极层、铁电体记录层、保护层的铁电体记录介质，上述铁电体记录层包含铁电体层，构成上述铁电体层的材料所具有的晶格常数与构成上述电极层或上述基板的材料所具有的晶格常数在

【技术实现步骤摘要】
铁电体记录介质及铁电体存储装置


[0001]本专利技术涉及铁电体记录介质以及铁电体存储装置。

技术介绍

[0002]作为硬盘驱动器、各种记录介质等记录介质，具有通过改变铁电体的极化而能够重复记录信息的铁电体记录介质。铁电体记录介质具备铁电体层，通过利用由外部电场的施加而产生的铁电体的自发极化，从而实现了记录容量的高容量化的超高密度的记录介质。铁电体记录介质由于能够大容量化，因此研究了开发具备铁电体记录介质的铁电体存储装置。
[0003]专利文献1中公开了对于构成电介质记录介质的电介质材料施加交流电场，通过电介质材料所具有的非线形介电特性将电介质记录介质所记录的信息进行再生的电介质记录再生装置。
[0004]专利文献2中公开了将绝缘性的基板上设置有电极层和铁电体层的记录介质安装于主轴，将安装于头部组件的磁头滑块从记录介质的表面规定量悬浮的状态下进行保持，对于记录介质进行信息的记录和再生的信息存储装置，此外，公开了信息的读入使用半导体传感器。此外，作为铁电体层的材料，公开了钛酸铅、钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡等钙钛矿系材料、钽酸锂、铌酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁电体记录介质，为在基板上，依次具备电极层、铁电体记录层、保护层的铁电体记录介质，所述铁电体记录层包含铁电体层，构成所述铁电体层的材料所具有的晶格常数与构成所述电极层或所述基板的材料所具有的晶格常数在
±
10％的范围内被晶格匹配。2.根据权利要求1所述的铁电体记录介质，所述铁电体层为单晶膜。3.根据权利要求1所述的铁电体记录介质，所述铁电体层具备具有短程有序性的无定形结构，所述短程有序性的长度为2nm以下，所述无定形结构所具有的晶格常数与构成所述基板的材料所具有的晶格常数在
±
10％的范围内被晶格匹配。4.根据权利要求1～3中任一项所述的铁电体记录介质，所述基板具有硅，所述铁电体层具有氧化铪。5.根据权利要求4所述的铁电体记录介质,所述铁电体层包含氧化铪与选自由硅、铝、钆、钇、镧和锶所组成的组中的一种以上添加物的混合物，或含有氧化铪与二氧化锆的混晶Hf
x
Zr1‑
x
O2，其中，x为0.3～0.6。6.根据权利要求5所述的铁电体记录介质，所述添加物的含量为1原子％～20原子％。7.根据权利要求1～6中任一项所述的铁电体记录介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳泽正明，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：