【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电子组件
[0001]本申请要求于2020年12月31日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0189537号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
[0002]本公开涉及一种多层陶瓷电子组件。
技术介绍
[0003]根据近来电子产品小型化的趋势,还要求多层陶瓷电子组件小型化并具有高电容。多层陶瓷电子组件的介电层也变得更薄,以满足多层陶瓷电子组件的小型化和高电容的需求。
[0004]这些多层陶瓷电子组件的内电极包括导电金属,但是当执行烧结时,包括金属的内电极和介电层之间的收缩行为存在差异。内电极和介电层之间的收缩行为的差异使得在内电极和介电层之间产生应力,从而使内电极的连通性劣化。特别地,当应用减薄的内电极时,该问题可能必然具有更大的影响。
[0005]为了缓解这个问题,已经使用了以下方法:通过向内电极膏中添加普通陶瓷材料来调节收缩开始温度从而延迟内电极的收缩。然而,添加普通陶瓷材料的方法通过普通陶瓷材料保留在内电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多层陶瓷电子组件,包括:陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述介电层包含锶,所述第一内电极和所述第二内电极交替地堆叠,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;第一外电极,连接到所述第一内电极;以及第二外电极,连接到所述第二内电极,其中,所述介电层包括:至少一个第一区域,与所述第一内电极或所述第二内电极平行且相邻,并且厚度为50nm或更小;以及第二区域,与所述第一区域平行且相邻,所述第一区域的锶的平均含量大于0.1mol%且小于或等于30mol%,并且所述第二区域的锶的平均含量比所述第一区域的锶的平均含量低,其中,所述第一区域的锶的平均含量基于包括在所述第一区域中的化合物的总含量,所述第二区域的锶的平均含量基于包括在所述第二区域中的化合物的总含量。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述介电层中的锶的平均含量随着距所述介电层与所述第一内电极和/或所述第二内电极之间的界面的距离增加而减小。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一区域中的锶的平均含量大于0.1mol%且小于30mol%。4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一区域包含Ba1‑
z
Sr
z
TiO3,其中,0.001≤z≤0.3。5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述介电层包括第...
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