端射天线、封装天线和通讯设备制造技术

本申请实施例提供一种端射天线、封装天线和通讯设备。端射天线包括第一辐射单元、第二辐射单元、第一激励单元和第二激励单元。第一辐射单元包括沿Z轴间隔排布的上金属层和下金属层。第二辐射单元连接于上金属层和下金属层之间，第二辐射单元包括沿X轴间隔排布的左金属墙和右金属墙。第一激励单元用于电连接馈源，以激励第一辐射单元产生沿Z轴的电场。第二激励单元用于电连接馈源，以激励第二辐射单元产生沿X轴的电场。其中，X轴垂直于Z轴。本申请实施例所示端射天线具有双极化特性，有利于提高无线通信的可靠性。高无线通信的可靠性。高无线通信的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
端射天线、封装天线和通讯设备
[0001]本申请要求于2020年12月31日提交中国专利局、申请号为202011640811.X、申请名称为“端射天线、天线模组和电子设备”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0002]本申请涉及通信
，尤其涉及一种端射天线、封装天线和通讯设备。

技术介绍

[0003]天线作为发射和接收电磁波的装置，是无线通信系统的重要组成部分。双极化天线能够同时发射或接收两个极化方向正交的电磁波信号，相当于在频带上提供两个传输信道，有助于提高传输吞吐量(throughput)和弱信号区的信号稳定性。然而，具有双极化特性的端射天线在天线领域十分罕见。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种端射天线、封装天线和通讯设备，端射天线具有双极化特性，有利于提高无线通信的可靠性。
[0005]第一方面，本申请提供一种端射天线，包括第一辐射单元、第二辐射单元、第一激励单元和第二激励单元。
[0006]第一辐射单元包括沿Z轴间隔排布的上金属层和下金属层，上金属层包括沿X本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种端射天线，其特征在于，包括：第一辐射单元，包括沿Z轴间隔排布的上金属层和下金属层，所述上金属层包括沿X轴间隔排布的第一上金属层和第二上金属层，所述下金属层包括沿X轴间隔排布的第一下金属层和第二下金属层，所述第一下金属层和所述第一上金属层相对设置，所述第二下金属层和所述第二上金属层相对设置，所述X轴垂直于所述Z轴；第二辐射单元，连接于所述上金属层和所述下金属层之间，所述第二辐射单元包括沿所述X轴间隔排布的左金属墙和右金属墙，所述左金属墙包括沿所述Z轴间隔排布的第一左金属墙和第二左金属墙，所述第一左金属墙连接所述第一上金属层朝向所述第二上金属层的一端，所述第二左金属墙连接所述第一下金属层朝向所述第二下金属层的一端，所述右金属墙包括沿所述Z轴间隔排布的第一右金属墙和第二右金属墙，所述第一右金属墙连接所述第二上金属层朝向所述第一上金属层的一端，且与所述第一左金属墙相对设置，所述第二右金属墙连接所述第二下金属层朝向所述第一下金属层的一端，且与所述第二左金属墙相对设置；第一激励单元，用于电连接馈源，以激励所述第一辐射单元产生沿所述Z轴的电场；以及第二激励单元，用于电连接所述馈源，以激励所述第二辐射单元产生沿所述X轴的电场。2.根据权利要求1所述的端射天线，其特征在于，所述第一上金属层设有第一通孔，所述第二上金属层设有第二通孔，所述第一激励单元包括沿所述X轴间隔排布的第一激励结构和第二激励结构；所述第一激励结构包括依次连接的第一接入部分、第一连接部分和第一耦合部分，所述第一接入部分用于电连接所述馈源的第一馈点，所述第一接入部分位于所述第一上金属层背离所述第一下金属层的一侧，且与所述第一上金属层彼此间隔，所述第一连接部分穿设于所述第一通孔，所述第一耦合部分位于所述第一上金属层和所述第一下金属层之间，并与所述第一上金属层和所述第一下金属层彼此间隔；所述第二激励结构包括依次连接的第二接入部分、第二连接部分和第二耦合部分，所述第二接入部分用于电连接所述馈源的第二馈点，所述第二接入部分位于所述第二上金属层背离所述第二下金属层的一侧，且与所述第二上金属层彼此间隔，所述第二连接部分穿设于所述第二通孔，所述第二耦合部分位于所述第二上金属层和所述第二下金属层之间，并与所述第二上金属层和所述第二上金属层彼此间隔。3.根据权利要求1所述的端射天线，其特征在于，所述第一激励单元包括依次连接的第一接入部分、第一连接部分和第一耦合部分，所述第一接入部分用于电连接所述馈源的第一馈点，所述第一接入部分位于所述上金属层背离所述下金属层的一侧，且与所述上金属层彼此间隔，所述第一连接部分位于所述第一上金属层和所述第二上金属层之间，并与所述第一上金属层和所述第二上金属层彼此间隔，所述第一耦合部分位于所述上金属层和所述下金属层之间，并且与所述上金属层和所述上金属层彼此间隔，所述第一耦合部分与所述第一上金属层和所述第二上金属层相对设置。4.根据权利要求1所述的端射天线，其特征在于，所述第一激励单元位于所述上金属层和所述下金属层之间，所述第一激励单元包括沿所述Z轴间隔排布的第一激励结构和第二激励结构；
所述第一激励结构包括依次连接的第一接入部分、第一连接部分和第一耦合部分，所述第一接入部分用于电连接所述馈源的第一馈点，所述第一耦合部分位于所述第一接入部分与所述上金属层之间，且与所述上金属层彼此间隔，所述第一耦合部分与所述第一上金属层和所述第二上金属层相对设置；所述第二激励结构位于所述第一激励结构背离所述上金属层的一侧，所述第二激励结构包括依次连接的第二接入部分、第二连接部分和第二耦合部分，所述第二接入部分用于电连接所述馈源的第二馈点，所述第二耦合部分位于所述第二接入部分与所述下金属层之间，且与所述下金属层彼此间隔，所述第二耦合部分与所述第二下金属层和所述第二下金属层相对设置。5.根据权利要求1所述的端射天线，其特征在于，所述第一上金属层设有第一通孔，所述第二上金属层设有第二通孔，所述第一激励单元包括沿所述X轴间隔排布的第一激励结构和第二激励结构；所述第一激励结构包括依次连接的第一接入部分、第一连接部分和第一耦合部分，所述第一接入部分用于电连接所述馈源的第一馈点，所述第一接入部分位于所述第一上金属层背离所述第一下金属层的一侧，且与所述第一上金属层彼此间隔，所述第一连接部分穿设于所述第一通孔，所述第一耦合部分位于所述第一上金属层和所述第一下金属层之间，且连接于所述第一下金属层远离所述第二下金属层的一端；所述第二激励结构包括依次连接的第二接入部分、第二连接部分和第二耦合部分，所述第二接入部分用于电连接所述馈源的第二馈点，所述第二接入部分位于所述第二上金属层背离所述第二下金属层的一侧，且与所述第二上金属层彼此间隔，所述第二连接部分穿设于所述第二通孔，所述第二耦合部分位于所述第二上金属层和所述第二下金属层之间，且连接于所述第二下金属层远离所述第一下金属层的一端。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的端射天线，其特征在于，所述第二激励单元包括沿所述X轴间隔排布的第三激励结构和第四激励结构；所述第三激励结构包括依次连接的第三接入结构、第三连接部分和第三耦合部分，所述第三接入部分用于电连接所述馈源的第三馈点，所述第三接入部分位于所述左金属墙和所述右金属墙之间，且与所述左金属墙和所述右金属墙彼此间隔，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴祯坊，李建铭，许志玮，岳翰林，蔡智宇，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：