集中控制式交错并联电路的均流方法、计算机可读存储介质和集中控制式交错并联电路技术

本发明专利技术涉及一种涉及集中控制式交错并联电路的均流方法，包括将交错并联电路中的第一并联电路的占空比设置为第一占空比，将所述交错并联电路中的第二并联电路的占空比设置为第二占空比；基于所述第一占空比、所述第一并联电路的三角载波的过零点采样的输入电压和周期值采样的输入电压的电压差值与所述交错并联电路的母线电压值之间的比值设置保证一个开关周期结束时两并联电路电流相等的第二占空比补偿量。本发明专利技术还涉及一种计算机可读存储介质和集中控制式交错并联电路。本发明专利技术能够以低成本、易实现的方式解决电路间的不均流问题，并且提高第二并联电路的正弦度。并且提高第二并联电路的正弦度。并且提高第二并联电路的正弦度。

【技术实现步骤摘要】
集中控制式交错并联电路的均流方法、计算机可读存储介质和集中控制式交错并联电路


[0001]本专利技术涉及交错并联电路领域，更具体地说，涉及一种集中控制式交错并联电路的均流方法、计算机可读存储介质和集中控制式交错并联电路。

技术介绍

[0002]相比于小功率电路，大功率电路的EMI电路和储能滤波参数相应增大，对开关管电流应力的要求也相对较大。为实现产品的小型化和轻量化，引入交错并联技术。交错并联可减小电感电流纹波和开关管电流应力，并可减小电路参数，提高功率密度。交错并联控制可通过集中式或分散式控制方法实现。分散式可提高系统可靠性，但控制相对复杂且成本高，因此现有技术中通常采用集中式控制。但集中式交错并联电路存在多路之间不均流问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种集中控制式交错并联电路的均流方法、计算机可读存储介质和集中控制式交错并联电路，能够以低成本、易实现的方式解决电路间的不均流问题。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种集中控制式交错并联电路的均流方法，包括：
[0005]S1、将交错并联电路中的第一并联电路的占空比设置为第一占空比，将所述交错并联电路中的第二并联电路的占空比设置为第二占空比；
[0006]S2、基于所述第一占空比、所述第一并联电路的三角载波的过零点采样的输入电压和周期值采样的输入电压的电压差值与所述交错并联电路的母线电压值之间的比值设置为保证一个开关周期结束时两并联电路电流相等的第二占空比补偿量。
[0007]在本专利技术所述的集中控制式交错并联电路的均流方法中，进一步包括：
[0008]S3、基于所述第一并联电路的实时电流、第一占空比和所述第二占空比的补偿量计算所述交错并联电路中的第二并联电路的实时电流，并基于所述的第二并联电路的实时电流对所述第二并联电路进行闭环控制。
[0009]在本专利技术所述的集中控制式交错并联电路的均流方法中，在所述步骤S2中，其中d2(n)表示所述第二占空比，d1(n)表示所述第一占空比，表示第二占空比的补偿量，u
dc
表示所述交错并联电路的母线电压值，T
s
表示所述交错并联电路的开关周期。
[0010]在本专利技术所述的集中控制式交错并联电路的均流方法中，所述第一并联电路和所述第二并联电路为相同电路，在所述步骤S3中，基于以下公式计算所述第二并联电路在第n个开关周期内上升阶段的中点电流：
[0011][0012]其中，i
L2
(nT
s
)表示所述第二并联电路的上升阶段的中点电流，i
L1
(nT
s
)表示所述第一并联电路的上升阶段的中点电流，L表示所述第一并联电路或所述第二并联电路的电感值，n表示周期数且取值为正整数，u
in
表示所述交错并联电路的输入电压，Δu
in
(nT
s
)表示输入电压在nT
s
时刻与(n+0.5)T
s
时刻的差值。
[0013]在本专利技术所述的集中控制式交错并联电路的均流方法中，在所述步骤S3中，基于以下公式计算所述第二并联电路在第n个开关周期内下降阶段的中点电流：
[0014][0015]其中，i
L2
((n+0.5)T
s
)表示所述第二并联电路的下降阶段的中点电流，i
L1
((n+0.5)T
s
)表示所述第一并联电路的下降阶段的中点电流。
[0016]在本专利技术所述的集中控制式交错并联电路的均流方法中，所述第一并联电路的实时电流和所述第二并联电路的实时电流在任一开关周期开始时刻相等，且在任一开关周期结束时刻也相等，但在储能结束时刻不相等；u
in
≤0.5*u
dc
时，i
L2
(nT
s
)≥i
L1
(nT
s
)，所述第二并联电路的电流纹波比所述第一并联电路的电流纹波大；u
in
>0.5*u
dc
时，i
L2
(nT
s
)<i
L1
(nT
s
)，所述第二并联电路的电流纹波比所述第一并联电路的电流纹波小。
[0017]在本专利技术所述的集中控制式交错并联电路的均流方法中，所述交错并联电路包括PFC交错并联电路和INV交错并联电路。
[0018]在本专利技术所述的集中控制式交错并联电路的均流方法中，所述交错并联电路包括N个并联电路，其中N为大于等于2的正整数。本专利技术解决其技术问题采用的另一技术方案是，构造一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述的集中控制式交错并联电路的均流方法。
[0019]本专利技术解决其技术问题采用的另一技术方案是，构造一种集中控制式交错并联电路，包括至少第一并联电路和第二并联电路和控制器，所述控制器上存储有计算机程序，所述计算机程序被所述控制器执行时实现根据所述的集中控制式交错并联电路的均流方法。
[0020]实施本专利技术的集中控制式交错并联电路的均流方法、计算机可读存储介质和集中控制式交错并联电路，通过根据输入电压的变化量补偿第二并联电路的占空比，能够以低成本、易实现的方式解决电路间的不均流问题，并且提高第二并联电路的正弦度。进一步地，可以根据第一并联电路的实时电流、第一占空比和上述输入电压的变化量推算第二并联电路的实时电流，让其参与第二并联电路的闭环控制，相比于传统的集中控制式交错并联电路来说，第二并联电路此时拥有电流环，即在不采样第二并联电路电流的基础上，实时控制第二并联电路电流，改善第二并联电路对输入电流的动态响应。另外，通过对第二并联电路占空比的补偿，可改善第二并联电路对输入电压的动态响应。
附图说明
[0021]下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：
[0022]图1是本专利技术的优选实施例的集中控制式交错并联电路的均流方法的第一实施例
的流程图；
[0023]图2是本专利技术的优选实施例的集中控制式交错并联电路的均流方法的第二实施例的流程图；
[0024]图3是采用同占空比控制的集中控制式交错并联电路及其控制信号示意图；
[0025]图4是采用同占空比控制图3所示的集中控制式交错并联电路的采样和发波信号示意图；
[0026]图5是采用图1所示的集中控制式交错并联电路的均流方法控制集中控制式交错并联电路的采样和发波信号示意图；
[0027]图6是采用图2所示的集中控制式交错并联电路的均流方法控制集中控制式交错并联电路的控制信号示意图。
具体实施方式
[0028]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集中控制式交错并联电路的均流方法，其特征在于，包括：S1、将交错并联电路中的第一并联电路的占空比设置为第一占空比，将所述交错并联电路中的第二并联电路的占空比设置为第二占空比；S2、基于所述第一占空比、所述第一并联电路的三角载波的过零点采样的输入电压和周期值采样的输入电压的电压差值与所述交错并联电路的母线电压值之间的比值设置为保证一个开关周期结束时两并联电路电流相等的第二占空比补偿量。2.根据权利要求1所述的集中控制式交错并联电路的均流方法，其特征在于，进一步包括：S3、基于所述第一并联电路的实时电流、所述第一占空比和所述第二占空比的补偿量计算所述交错并联电路中的第二并联电路的实时电流，并基于所述的第二并联电路的实时电流对所述第二并联电路进行闭环控制。3.根据权利要求2所述的集中控制式交错并联电路的均流方法，其特征在于，在所述步骤S2中，其中d2(n)表示所述第二占空比，d1(n)表示所述第一占空比，表示所述第二占空比补偿量，u
dc
表示所述交错并联电路的母线电压值，T
s
表示所述交错并联电路的开关周期。4.根据权利要求3所述的集中控制式交错并联电路的均流方法，其特征在于在所述步骤S3中，基于以下公式计算所述第二并联电路在第n个开关周期内上升阶段的中点电流：其中，i
L2
(nT
s
)表示所述第二并联电路的上升阶段的中点电流，i
L1
(nT
s
)表示所述第一并联电路的上升阶段的中点电流，L表示所述第一并联电路或所述第二并联电路的电感值，n表示周期数且取值为正整数，u
in
表示所述交错并联电路的输入电压，Δu
in
(nT
s
)表示输入电压在nT
s
时刻与(n+0.5)T
s
时刻的差值。5.根据权利要求4所述的集中控制式交错并联电路的均流方法，其特征在于，在所述步骤S3中，基于以下公式计算所述第二并联电路在第n个开关周期内下...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋琼，
申请(专利权)人：维谛公司，
类型：发明
国别省市：