一种半导体陶瓷材料制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体陶瓷材料制备方法，原材料包括钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、石墨烯材料、氧化钇粉、二氧化锆、防老剂和聚烯烃，钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、氧化钇粉、石墨烯材料、二氧化锆的比例为：70:10:2:10:2:3:3；本发明专利技术一种半导体陶瓷材料制备方法通过碳化硼粉进行保证高温稳定性，保证半导体材料的使用，通过三氧化二钒和三氧化二铬进行保证温度的检测，保证检测速度，通过石墨烯材料进行导热，保证温度的快速检测，通过聚烯烃进行保护半导体材料，防止出现摔坏的情况，通过二氧化锆进行保证使用，防止出现高温膨胀的情况，通过防老剂进行保证本半导体陶瓷的外表颜色，保证美观性。保证美观性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体陶瓷材料制备方法


[0001]本专利技术涉及电缆制备
，具体为一种半导体陶瓷材料制备方法。

技术介绍

[0002]半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。
[0003]随着科技的发展，陶瓷半导体随之出现，半导体陶瓷是指具有半导体特性、电导率约在10
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6～105S/m的陶瓷。半导体陶瓷的电导率因外界条件（温度、光照、电场、气氛和温度等）的变化而发生显著的变化，因此可以将外界环境的物理量变化转变为电信号，制成各种用途的敏感元件，但是现在的半导体陶瓷材料，导热性能不够好、而且因为硬度较高，容易出现破损且使用寿命较短。
[0004]
技术实现思路
本专利技术的目的克服现有技术的不足，提供一种半导体陶瓷材料制备方法，具有导热性能好、外部设有保护层、使用寿命长的优点，解决了现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体陶瓷材料制备方法，其特征在于：原材料包括钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、石墨烯材料、氧化钇粉、二氧化锆、防老剂和聚烯烃，所述钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、氧化钇粉、石墨烯材料、二氧化锆的比例为：70:10:2:10:2:3:3；所述加工方法包括：无压烧结工艺、振动球磨和搅拌混合，混合搅拌采用离心搅拌机进行搅拌混合。2.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷材料制备方法，其特征在于：所述制备方法如下：（1）取出钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、石墨烯材料、氧化钇粉、二氧化锆和石墨烯材料，并通过振动球磨进行粉碎；（2）将上述（1）得到钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、氧化钇粉和二氧化锆的颗粒取出，并通过离心搅...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨创华，
申请(专利权)人：陕西理工大学，
类型：发明
国别省市：