单片高频压控振荡器微调电路制造技术

单片高频压控振荡器微调电路包括有选择地连接在电压振荡器有源网络（１１０）的第一（１２０）和第二（１３０）差分输入端之间的多个电容环路（１４０）。与这些电容环路（１４０）串联连接的多个二极管（１５９，１６０）在被正偏压时有选择地将相应的电容环路（１４０）连续在第一（１２０）和第二（１３０）差分输入端之间。按照同样的方式，这些二极管在被反偏压时使相应的电容环路（１４０）与第一（１２０）和第二（１３０）差分输入端断开。控制器（１８０）把正偏压施加给被选定电容环路（１４０）的二极管（１５９，１６０），以便把该电容环路（１４０）连接到压控振荡器的有源网络（１１０），把反偏压施加给被选定电容环路（１４０）的二极管（１５９，１６０），以便使该电容环路（１４０）与该有源网络（１１０）断开。电容环路（１４０）中使用的二极管（１５９，１６０）构成可高频工作的开关，它们都是双极互补金属氧化物半导体静电放电保护二极管。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
单片高频压控振荡器微调电路，包括： 有选择地连接在压控振荡器有源网络的第一和第二差分输入端之间的多个电容环路； 与这些电容环路串联连接的多个二极管，这些二极管中的每一个二极管有选择地将多个电容环路中的相应的一个电容环路连接在第一和第二差分输入端之间；和 把正向偏压施加给被选定电容环路的二极管的控制器。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：C布耶尔克，M兰茨，T盖登福斯，B马霍莱夫，
申请(专利权)人：艾利森电话股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]