电器的功率调节方法、装置、电器及存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种电器的功率调节方法、装置、电器及存储介质，电器包括可控硅，该方法包括：获取电器供电电源的输入电信号的过零信号，根据电器的负载的目标输出功率和输入电信号的正弦波周期T，确定可控硅的工作周期，其中，在可控硅的一个工作周期内，可控硅的导通时间和关闭时间均为T的整数倍，根据可控硅的工作周期，在根据过零信号确定输入电信号处于过零点时，控制可控硅开始导通。从而，可以降低可控硅导通时对供电电源的干扰。可控硅导通时对供电电源的干扰。可控硅导通时对供电电源的干扰。

【技术实现步骤摘要】
电器的功率调节方法、装置、电器及存储介质


[0001]本申请涉及电器制造
，尤其涉及一种电器的功率调节方法、装置、电器及存储介质。

技术介绍

[0002]随着各类电器的功能越来强大，目前很多电器都具备功率调节功能，例如，对于电热水壶，在保温和维持沸腾阶段需要连续低功率加热，对于功率较大的电器，需要调节电器负载的输出功率。
[0003]现有的电器中，多采用可控硅进行电器负载的功率调节，一般通过调节可控硅的导通时间，来调整电器负载的输出功率，可控硅导通的时间越长，电器负载的输出功率越大，可控硅导通的时间越短，电器负载的输出功率越小。
[0004]但是，采用可控硅进行功率调节时，容易对供电电源(如市电电源)产生较大的干扰。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种电器的功率调节方法、装置、电器及存储介质，可以降低电器工作时对供电电源的干扰。
[0006]第一方面，本申请提供一种电器的功率调节方法，所述电器包括可控硅，所述方法包括：
[0007]检测所述电器供电电源的输入电信号的过零信号；
[0008]根据所述电器的负载的目标输出功率和所述输入电信号的正弦波周期T，确定所述可控硅的工作周期，其中，在所述可控硅的一个工作周期内，所述可控硅的导通时间和关闭时间均为所述T的整数倍；
[0009]根据所述可控硅的工作周期，在根据所述过零信号确定所述输入电信号处于过零点时，控制所述可控硅开始导通。
[0010]通过第一方面提供的电器的功率调节方法，通过在供电电源的输入电信号处于过零点时，控制可控硅开始导通，由于过零点的电流较小，因此可控硅导通时的瞬间电流较小，因此可以降低可控硅导通时对供电电源的干扰，其次，在可控硅的一个工作周期内，可控硅的导通时间为T的整数倍，可控硅的关闭时间也为T的整数倍，不会造成输入电信号整个正弦波周期内的负载失衡，从而可减少对供电电源的波动影响。
[0011]在一种可行的实现方式中，所述根据所述电器的负载的目标输出功率和所述输入电信号的正弦波周期T，确定所述可控硅的工作周期，包括：
[0012]若所述目标输出功率为所述电器的负载的额定功率的N/M，确定所述可控硅的工作周期为M*T，在所述可控硅的一个工作周期内，所述可控硅的导通时间为N*T的整数倍且连续，所述可控硅的关闭时间为(M
‑
N)*T的整数倍且连续，所述M和所述N为正整数。
[0013]通过在目标输出功率为所述电器的负载的额定功率的1/n时，确定所述可控硅的
工作周期为n*T，可实现较小功率的输出。
[0014]在一种可行的实现方式中，所述根据所述可控硅的工作周期，在根据所述过零信号确定所述输入电信号处于过零点时，控制所述可控硅开始导通，包括：
[0015]在所述可控硅的每个工作周期内，根据可控硅的导通时间在所述过零信号的上升沿和下降沿均输出驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述可控硅导通。
[0016]通过在所述可控硅的每个工作周期内，根据可控硅的导通时间在所述过零信号的上升沿和下降沿均输出驱动信号，实现了在可控硅的每个工作周期内，根据可控硅的导通时间在过零点输出驱动信号，驱动信号用于驱动可控硅导通，可控硅在过零点开始导通，由于过零点的电流较小，因此可控硅导通时的瞬间电流较小，因此可以降低可控硅导通时对供电电源的干扰。
[0017]在一种可行的实现方式中，所述方法还包括：
[0018]检测所述输入电信号的正弦波周期T。
[0019]在一种可行的实现方式中，所述负载包括阻性发热类型的负载和/或感性电动类型的负载。
[0020]第二方面，本申请提供一种电器的功率调节装置，包括：
[0021]检测模块，用于检测所述电器供电电源的输入电信号的过零信号；
[0022]确定模块，用于根据所述电器的负载的目标输出功率和所述输入电信号的正弦波周期T，确定所述可控硅的工作周期，其中，在所述可控硅的一个工作周期内，所述可控硅的导通时间和关闭时间均为所述T的整数倍；
[0023]处理模块，用于根据所述可控硅的工作周期，在根据所述过零信号确定所述输入电信号处于过零点时，控制所述可控硅开始导通。
[0024]在一种可行的实现方式中，所述确定模块用于：
[0025]若所述目标输出功率为所述电器的负载的额定功率的N/M，确定所述可控硅的工作周期为M*T，在所述可控硅的一个工作周期内，所述可控硅的导通时间为N*T的整数倍且连续，所述可控硅的关闭时间为(M
‑
N)*T的整数倍且连续，所述M和所述N为正整数。
[0026]在一种可行的实现方式中，所述处理模块用于：
[0027]在所述可控硅的每个工作周期内，根据可控硅的导通时间在所述过零信号的上升沿和下降沿均输出驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述可控硅导通。
[0028]在一种可行的实现方式中，所述检测模块还用于：
[0029]检测所述输入电信号的正弦波周期T。
[0030]在一种可行的实现方式中，所述负载包括阻性发热类型的负载和/或感性电动类型的负载。
[0031]第三方面，本申请提供一种电器的功率调节装置，包括存储器和处理器，
[0032]所述存储器用于存储计算机程序；
[0033]所述处理器用于在所述计算机程序被执行时，实现如第一方面和第一方面各可行的实现方式中任一所述的方法。
[0034]第四方面，本申请提供一种电器，包括：
[0035]负载；
[0036]过零检测电路，用于检测所述电器供电电源的输入电信号的过零信号；
[0037]可控硅，用于调节所述负载的输出功率；
[0038]驱动电路，用于根据接收到的驱动信号驱动所述可控硅导通；
[0039]控制器，用于执行如第一方面和第一方面各可行的实现方式中任一所述的方法。
[0040]第五方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现如第一方面和第一方面各可行的实现方式中任一所述的方法。
[0041]第六方面，本申请提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如第一方面和第一方面各可行的实现方式中任一所述的方法。
附图说明
[0042]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1为本申请实施例提供的电器的功率调节方法可应用的功率调节电路的结构示意图；
[0044]图2为图1所示的功率调节电路的一种可实施的具体的结构示意图；
[0045]图3为本申请实施例提供的一种电器的功率调节方法的流程示意图；
[0046]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电器的功率调节方法，其特征在于，所述电器包括可控硅，所述方法包括：检测所述电器供电电源的输入电信号的过零信号；根据所述电器的负载的目标输出功率和所述输入电信号的正弦波周期T，确定所述可控硅的工作周期，其中，在所述可控硅的一个工作周期内，所述可控硅的导通时间和关闭时间均为所述T的整数倍；根据所述可控硅的工作周期，在根据所述过零信号确定所述输入电信号处于过零点时，控制所述可控硅开始导通。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电器的负载的目标输出功率和所述输入电信号的正弦波周期T，确定所述可控硅的工作周期，包括：若所述目标输出功率为所述电器的负载的额定功率的N/M，确定所述可控硅的工作周期为M*T，在所述可控硅的一个工作周期内，所述可控硅的导通时间为N*T的整数倍且连续，所述可控硅的关闭时间为(M
‑
N)*T的整数倍且连续，所述M和所述N为正整数。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述可控硅的工作周期，在根据所述过零信号确定所述输入电信号处于过零点时，控制所述可控硅开始导通，包括：在所述可控硅的每个工作周期内，根据可控硅的导通时间在所述过零信号的上升沿和下降沿均输出驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述可控硅导通。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：检测所述输入电信号的正弦波周期T。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述负载包括阻性发热类型的负载和/或感性电动...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏刚，李世勤，赵礼荣，
申请(专利权)人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司，
类型：发明
国别省市：