一种射频前端放大电路、芯片、设备及配置方法技术

技术编号:33994435 阅读:30 留言:0更新日期:2022-07-02 10:31
本申请提供一种射频前端放大电路、芯片、设备及配置方法。所述射频前端放大电路包括:至少两个低噪声放大模块;每一所述低噪声放大模块均用于将一路所述输入电压信号进行放大并转换为一路或多路中间电流信号;电压输出模块,与各所述低噪声放大模块相连,用于将各所述低噪声放大模块输出的中间电流信号进行合并后转换为一路或多路所述输出电压信号。所述射频前端放大电路能够适用于具有多输入多输出结构的射频前端。出结构的射频前端。出结构的射频前端。

【技术实现步骤摘要】
一种射频前端放大电路、芯片、设备及配置方法


[0001]本申请属于通信
,涉及一种射频前端放大电路,特别是涉及一种适用于多输入多输出的射频前端放大电路、芯片及设备。

技术介绍

[0002]目前,射频前端越来越多的被设计成多输入多输出(Multiple Inputs Multiple Outputs,MIMO)结构。例如,现在的机顶盒越来越多的被设计成具有多个调谐器,以便同时接收来自同一个信号源的多个频道的信号。此外,现在的机顶盒也越来越多被设计成具有多个射频输入端,从而接收来自两个或多个信号源的信号,比如对于卫星机顶盒,它被设计成可以接收两个或多个LNB(Low Noise Block,低噪声下变频器)的信号,或者接收在传统卫星中频频带(950MH

2150MHz)之外的附加信道中的信号。然而,传统的射频前端往往只能实现单个射频输入情况下的单个信道上的信号接收,因而其内部所采用的射频前端放大电路也是针对单一输入和单一输出的射频前端设计,其难以应用到具有多输入多输出结构的射频前端中。因此,如何设计一种适用于多输入多输出场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频前端放大电路,其特征在于,用于对一路或多路输入电压信号进行放大并转换为一路或多路输出电压信号,所述射频前端放大电路包括:至少两个低噪声放大模块;每一所述低噪声放大模块均用于将一路所述输入电压信号进行放大并转换为一路或多路中间电流信号;电压输出模块,与各所述低噪声放大模块相连,用于将各所述低噪声放大模块输出的中间电流信号进行合并后转换为一路或多路所述输出电压信号。2.根据权利要求1所述的射频前端放大电路,其特征在于,所述中间电流信号包括第一电流信号和第二电流信号,任一所述低噪声放大模块包括:第一处理单元,用于对输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号进行放大并转换为一路或多路所述第一电流信号;第二处理单元,用于实现所述低噪声放大模块的输入端阻抗匹配,并用于对输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号进行放大并转换为一路或多路所述第二电流信号;所述第二电流信号的数量与所述第一电流信号的数量相同。3.根据权利要求2所述的射频前端放大电路,其特征在于,所述第一处理单元包括:第一放大器,用于对输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号进行放大以获得第一电压信号;至少一个可开关的第一跨导级;每一所述第一跨导级均与所述第一放大器相连,用于将所述第一电压信号转换为一路所述第一电流信号。4.根据权利要求3所述的射频前端放大电路,其特征在于,所述第一放大器包括:第三跨导级,用于将输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号转换为第三电流信号;第一MOSFET,所述第一MOSFET的栅极和漏极相连,并且其栅极与各所述第一跨导级相连以构成至少一个电流镜,其漏极与所述第三跨导级相连;所述第一MOSFET基于所述第三电流信号在其栅极形成所述第一电压信号。5.根据权利要求2所述的射频前端放大电路,其特征在于,所述第二处理单元包括:匹配放大电路,用于实现所述低噪声放大模块的输入端阻抗匹配,并对输入所...

【专利技术属性】
技术研发人员:许俊吴顺方斯笑岷
申请(专利权)人:澜至科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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