【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有由至少一个电感及至少一个可调谐的电容组成的振荡回路的振荡器，其中可调谐电容由至少一个通过电流的晶体管的扩散电容来实现。
技术介绍
当pn结在导通方向上被驱动时，出现扩散电容。扩散电容这样地实现，即在导通工作中的pn结被载流子淹没。其后果是，多数载流子迁移到反向搀杂的区域中。它们在那里作为少数载流子停留一定时间，直到它们复合为止。但直至复合它们又反向迁移一个复合行程，由此出现了空间的电荷的分离。一个工作在导通方向上的、带有这样存储的载流子的pn结体现为一个电容。仅当通过电流时出现的扩散电容不同于一个pn结的阻挡层电容，后者在pn结阻断的情况下通过静态空间电荷构成。阻挡层电容与被施加的反向电压及二极管结构相关，即与阻挡层面积、半导体材料及搀杂相关。其电容值典型地在皮可法拉的范围上及表现为与被施加的反向电压UR是通过系数UR-0.5的非线性关系。迄今通常使用反向并联的阻挡层电容，即在阻挡方向上被极化的电容二极管(Kapazittsdioden)使用，或专门培养(生长)的变容二极管来调谐振荡回路。电容二极管为，对于它可合乎目的地利用阻挡层电容的电压...
【技术保护点】
具有一个由至少一个电感（１２）及至少一个可调谐的电容（１４）组成的振荡回路的振荡器（１０），其中该可调谐电容（１４）通过至少一个通过电流的晶体管的扩散电容来实现，其特征在于：该可调谐的电容（１４）具有由一个设有一个第一晶体管（１８）及一个第二晶体管（２０）的第一差分放大器（１６）与一个设有一个第三晶体管（２４）及一个第四晶体管（２６）的第二差分放大器（２２）组成的结构，其中该第一晶体管（１８）及该第二晶体管（２０）的电特性与该第三晶体管（２４）及该第四晶体管（２６）的电特性互补，及其中该第一晶体管（１８）的控制端子（２８）与该互补的第三晶体管（２４）的控制端子（３０）彼此相...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯彼得魏布勒，
申请(专利权)人：ATMEL德国有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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