LC振荡器制造技术

一种ＬＣ振荡器（１），包括耦合到一对电容器（Ｃｖａ，Ｃｖｂ）和一对电感（Ｌａ，Ｌｂ）的交叉耦合的ＰＭＯＳ晶体管对（Ｍａ，Ｍｂ）。为了增强所述振荡器的信号放大，提供了一对耦合在每个ＰＭＯＳ晶体管的漏极、并且最好是源极之间的辅助晶体管电路（Ｑａ，Ｑｂ；Ｎａ，Ｎｂ）。所述电容器（Ｃｖａ，Ｃｖｂ）最好是可变电容器，所述电感（Ｌａ，Ｌｂ）最好接地以允许扩大的调谐电压范围。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LC振荡器。更特别地是，本专利技术涉及一种用于产生振荡器信号的LC振荡器，该振荡器包括包含第一和第二电容器以及第一和第二电感的谐振电路，用于确定所述振荡器信号的频率，和包括第一和第二PMOS晶体管的有源电路，用于放大所述振荡器信号，每个所述晶体管的栅极直接耦合到另一个晶体管的漏极，以便提供直接交叉耦合的晶体管对，其中该有源电路耦合到所述谐振电路。
技术介绍
上述定义的这种类型的振荡器在美国专利US6281758中公开。在US6281758的振荡器中，谐振电路被标注为“变容二极管调谐电路”，电容器由压控电容器构成，也称作变容二极管。电感和电容器直接耦合到有源电路的交叉耦合的PMOS晶体管。连接两个电感的节点连接到包含一个依次接地的NMOS晶体管的缓冲电路。由于MOS晶体管的噪声特性和从饱和区到线性操作区的平滑变换，在设计LC振荡器时MOS(金属氧化物半导体)晶体管(也称作MOSFETs)优先于双极性晶体管。US6281758的振荡器使用一对PMOS(p沟道MOS)晶体管，其与传统应用的NMOS(n沟道MOS)晶体管相比，引起相当低的闪变(1/f)噪声和较好的衬底绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于产生振荡器信号的ＬＣ振荡器，该振荡器包括：谐振电路，包含第一和第二电容器以及第一和第二电感，用于确定所述振荡器信号的频率，和有源电路，包括第一和第二ＰＭＯＳ晶体管，用于放大所述振荡器信号，每个所述晶体管的栅极直接耦合 到另一个晶体管的漏极以便提供直接交叉耦合的晶体管对，其中该有源电路耦合到所述谐振电路，其特征在于该振荡器还包括第一和第二辅助晶体管电路，用于进一步放大所述振荡器信号，每个所述辅助晶体管电路分别具有耦合到第一和第二ＰＭＯＳ晶体管的漏极 的输入端。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JHA布雷克曼斯，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]