本发明专利技术公开一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置及方法，其中，所述装置包括用于放置顶发射型发光器件的底座，以及设置在所述底座上的半球形腔体，所述半球形腔体内部两条相互垂直的经线的交点处设置有光电二极管，且同一条经线上所述交点处的两侧对称设置有若干个光电二极管。通过本发明专利技术提供的装置可以获得顶发射型发光器件的准确的发光立体角，将本发明专利技术测得的发光立体角参数输入到积分球，便可以准确测试该顶发射型发光器件的光强和亮度等相关光学参数，这对于顶发射型发光器件的研究具有重要意义。研究具有重要意义。研究具有重要意义。
【技术实现步骤摘要】
一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置及方法
[0001]本专利技术涉及发光器件发光立体角的测量
，尤其涉及一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置及方法。
技术介绍
[0002]按照光线射出方式不同，发光二极管器件可划分为：底发射式结构、顶发射式结构。底发射结构中发出的光只能部分地从驱动面板(TFT)上设置的开口处射出，大部分发光都被浪费，开口率较低。顶发射器件中，光从器件的顶部出射则不受TFT的影响，开口率有效提高。顶发射发光器件对比普通底发射器件具有：提高器件发光的色彩纯度、调节器件发光颜色、实现特殊波长发射，有利于制作大尺寸、高亮、高分辨率显示器。另外，底发射发光器件使用的ITO透明电极昂贵，而顶发射式设计可以避免这一问题。因此顶发射型发光器件具有非常良好的发展前景。而对于顶发射型发光器件来说，它的结构与底发射型器件的结构基本一致，所以对于顶发射型发光器件的研究具有非常重要的意义。由于顶发射型的微腔效应，所出射的光并不是朗伯体，而是有一定角度的发散立体光。在使用积分球对顶发射型发光器件进行光学性能参数测量时，积分球测出各个波长的能量分布，也就是辐射能量分布，对某个波长范围积分就得到整个器件的辐射通量，再结合器件的面积和发光立体角，就可以计算出辐射亮度。由于顶发射型的微腔效应，所出射的光并不是朗伯体，而是有一定角度的发散立体光。所以测量顶发射型发光器件出射光的立体角，对于准确计算器件的光强及亮度显得尤为重要。
[0003]因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
[0004]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置及方法，旨在解决现有技术不能准确测量顶发射型发光器件发光立体角的问题。
[0005]本专利技术的技术方案如下：
[0006]一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其中，包括用于放置顶发射型发光器件的底座，以及设置在所述底座上的半球形腔体，所述半球形腔体内部两条相互垂直的经线的交点处设置有光电二极管，且同一条经线上所述交点处的两侧对称设置有若干个光电二极管。
[0007]所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其中，同一条经线上的任意相邻两个光电二极管与所述半球形腔体的球心之间的连线形成的夹角相同。
[0008]所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其中，所述两条经线上位于所述交点处的两侧均均匀地设置有6
‑
20个光电二极管。
[0009]根据权利要求1所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其特征在于，所述两条经线上位于所述交点处的两侧均均匀地设置有9个光电二极管。
[0010]所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其中，所述半球形腔体上设置有第一通孔，所述光电二极管通过所述第一通孔与外部电流检测器电连接。
[0011]所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其中，所述半球形腔体中，每个光电发光二极管的侧边对应设置有一个所述第一通孔。
[0012]所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其中，所述底座上设置有第二通孔，所述顶发射型发光器件通过所述第二通孔与外部电源电连接。
[0013]所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其中，所述光电二极管为硅光二极管。
[0014]所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其中，所述顶发射型发光器件包括QLED器件和OLED器件。
[0015]一种基于所述测量装置的测量顶发射型发光器件发光立体角的方法，其中，包括步骤：
[0016]将顶发射型发光器件放置在所述底座上；
[0017]将所述顶发射型发光器件通电，获取所述半球型腔体内光电二极管输出的最大电流I0；
[0018]根据所述最大电流I0，找出一条经线中输出电流最接近I0/2的光电二极管并记录所述光电二极管的第一角度，并根据所述第一角度获取所述顶发射型发光器件的第一半值角；
[0019]根据所述最大电流I0，找出另一条经线中输出电流最接近I0/2的光电二极管并记录所述光电二极管的第二角度，根据所述第二角度获取所述顶发射型发光器件的第二半值角；
[0020]根据所述第一半值角和第二半值角，以及半值角与立体角的对应关系得出所述顶发射型发光器件的立体角。
[0021]有益效果：本专利技术提供了一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其通过均匀设置在半球形腔体内的光电二极管获取待测的顶发射型发光器件发光的半值角，最后根据已知半值角与立体角的对应关系得出所述顶发射型发光器件的发光立体角。将本专利技术测得的发光立体角参数输入到积分球，便可以准确测试该顶发射型发光器件的光强和亮度等相关光学参数，这对于顶发射型发光器件的研究具有重要意义。
附图说明
[0022]图1为本专利技术一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置的第一视角爆炸图。
[0023]图2为本专利技术一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置的第二视角爆炸图。
[0024]图3为本专利技术一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置整体结构示意图。
[0025]图4为本专利技术一种测量顶发射型发光器件发光立体角的方法较佳实施例的流程图。
[0026]图5为本专利技术顶发射型发光器件的发光示意图。
具体实施方式
[0027]本专利技术提供一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置及方法，为使本专利技术的
目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0028]通常发光材料及器件的性能可以从发光性能和电学性能两个方面来评价。发光性能主要包括发射光谱、发光亮度、发光效率、发光色度和寿命；而电学性能则包括电流与电压的关系等，这些都是衡量材料和器件性能的主要参数。顶发射型发光器件由于其微腔效应，所出射的光并不是朗伯体，而是有一定角度的发散光，而在使用积分球测量其光学特性，比如光强以及亮度时，涉及到器件的发光角度，所以能够准确测量顶发射型器件的发光立体角，对于准确测量顶发射型器件的光学参数显得尤为重要。
[0029]基于此，本专利技术实施方式提供了一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，如图1
‑
图3所示，其包括用于放置顶发射型发光器件10的底座20，以及设置在所述底座20上的半球形腔体30，所述半球形腔体30内部两条相互垂直的经线上均匀地设置有若干个光电二极管31，所述半球形腔体30内部两条相互垂直的经线的交点处设置有光电二极管31，且同一条经线上所述交点处的两侧对称设置有若干个光电二极管31。
[0030]在本实施例中，设置在所述两条相互垂直的经线上的所述光电二极管31用于测量所述顶发射型发光器件10发出的光射到不同角度上的光强度，并将接收的光强度转化为相应大小的光电流。在本实施例中，所述两条相互垂直的经线的交点处为所述半球形腔体30内部的顶点处，所述交点处的光电二极管与所述半球形腔体30的球本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其特征在于，包括用于放置顶发射型发光器件的底座，以及设置在所述底座上的半球形腔体，所述半球形腔体内部两条相互垂直的经线的交点处设置有光电二极管，且同一条经线上所述交点处的两侧对称设置有若干个光电二极管。2.根据权利要求1所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其特征在于，同一条经线上的任意相邻两个光电二极管与所述半球形腔体的球心之间的连线形成的夹角相同。3.根据权利要求1所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其特征在于，所述两条经线上位于所述交点处的两侧均均匀地设置有6
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20个光电二极管。4.根据权利要求1所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其特征在于，所述两条经线上位于所述交点处的两侧均均匀地设置有9个光电二极管。5.根据权利要求1所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其特征在于，所述半球形腔体上设置有第一通孔，所述光电二极管通过所述第一通孔与外部电流检测器电连接。6.根据权利要求1所述测量顶发射型发光器件发光立体角的装置，其特征在于，所述半球形腔体中，每个光电发光二极管的侧边对应设置有一个所述第一通孔。7.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳春美，芦子哲，洪佳婷，贺晓光，严围，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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