一种电子级多晶硅硅块酸洗装置及酸洗笼制造方法及图纸

技术编号:33991903 阅读:74 留言:0更新日期:2022-07-02 09:54
本实用新型专利技术公开了一种电子级多晶硅硅块酸洗装置及酸洗笼,酸洗装置包括酸洗笼、酸洗池和驱动臂,酸洗笼的滚筒内形成供硅块容纳的空腔,滚筒的周向上间隔地开设有连通空腔的若干进液孔;滚筒具有周向上连续的啮合齿面,酸洗池的第一侧壁的内表面凸设有沿其高度方向上延伸的齿面;两个驱动臂分别与酸洗笼两端的转轴可转动地连接,用于沿酸洗池的高度方向上往复移动,以带动滚筒通过齿面的啮合而旋转。本实用新型专利技术的酸洗笼可以在酸洗液内上下移动的过程中进行旋转,从而带动笼内的多晶硅硅块翻转,实现了多晶硅硅块与酸洗液的充分接触反应,高效去除表面金属和酸斑,使蚀刻更加均匀,因此,在提高酸洗效率的同时大幅度提升了电子级多晶硅的产品质量。级多晶硅的产品质量。级多晶硅的产品质量。

An electronic polysilicon silicon block pickling device and pickling cage

【技术实现步骤摘要】
一种电子级多晶硅硅块酸洗装置及酸洗笼


[0001]本技术涉及电子级多晶硅
,尤其涉及一种电子级多晶硅硅块酸洗装置及酸洗笼。

技术介绍

[0002]多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料,是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品,是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料,是信息产业和新能源产业最基础的原材料。
[0003]电子级多晶硅表面金属杂质含量的高低对单晶硅的制备以及晶圆片良品率的高低有着密切的关系,因而通过硅块酸洗来控制多晶硅的表面金属杂质含量对多晶硅的品质提升有着至关重要的影响。
[0004]目前电子级多晶硅在降低表面金属杂质含量的除杂技术上主要以酸清洗为主,通过不同程度的表面刻蚀将表金属杂质控制在较低水平。现有的电子级多晶硅硅块酸洗装置,通常将多晶硅硅块装入长方体酸洗筐内,再通过机械手臂将酸洗框浸入酸洗池中进行酸洗作业。
[0005]由于酸洗筐固定在升降的机械手臂上,无法实现硅块的翻转浸泡,导致硅块无法与酸洗液充分接触反应,硅块表面易形成酸斑、蚀刻不均匀、硅块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子级多晶硅硅块酸洗装置,其特征在于,包括酸洗笼(10)、酸洗池(20)和驱动臂(30),所述酸洗笼(10)设于所述酸洗池(20)内,包括轴向两端封闭的滚筒(11)和连接在所述滚筒(11)的轴向两端的转轴(12),所述滚筒(11)内形成供硅块容纳的空腔,所述滚筒(11)的周向上间隔地开设有连通所述空腔的若干进液孔(111);所述滚筒(11)的至少部分周面上设有周向上连续的啮合齿面(112);所述酸洗池(20)用于盛装酸洗液,其第一侧壁(201)的内表面凸设有沿其高度方向上延伸的齿面(21);两个所述驱动臂(30)分别与所述酸洗笼(10)两端的转轴(12)可转动地连接,用于沿所述酸洗池(20)的高度方向上往复移动,以带动所述滚筒(11)依靠其啮合齿面(112)沿所述齿面(21)的配合而旋转。2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅硅块酸洗装置,其特征在于,所述啮合齿面(112)相对于设有进液孔(111)的表面凸出于所述滚筒(11)的外周面。3.根据权利要求2所述的电子级多晶硅硅块酸洗装置,其特征在于,所述酸洗池(20)还包括固定于其中且平行于所述第一侧壁(201)的挡板(22),所述挡板(22)和与所述第一侧壁(201)正对的第二侧壁(202)间隔设置;所述挡板(22)上开设有竖直延伸的缺口(220),所述挡板(22)抵接所述滚筒(11)的不具有所述啮合齿面(112)的区域,所述缺口(220)正对所述齿面(21),且其宽度不小于所述啮合齿面(112)的宽度,以供所述啮合齿面(112)通过。4.根据权利要求3所述的电子级多晶硅硅块...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙彦虎郭海龙周国峰张万军万金兰刘虹宾马玉通赵彩霞
申请(专利权)人:青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
类型:新型
国别省市:

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