一种升压电路与空调器制造技术

本发明专利技术提供了一种升压电路与空调器，涉及升压电路技术领域。该升压电路包括升压组件、驱动芯片以及隔离组件，升压组件包括晶体管，驱动芯片与晶体管连接，以驱动晶体管的导通或关断，晶体管与强电地连接，驱动芯片与弱电地连接；其中，强电地与弱电地之间通过隔离组件连接，以隔离强电地对弱电地的干扰。本发明专利技术提供的升压电路与空调器具有能够改善升压电路的EMI品质的优点。的EMI品质的优点。的EMI品质的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种升压电路与空调器


[0001]本专利技术涉及升压电路
，具体而言，涉及一种升压电路与空调器。

技术介绍

[0002]目前空调上，变频外机控制器对地的设计，都是共用一个地，即不区分强电地和弱电地，也就是说功率地(强电地)和开关电源地(弱电15V/12V/5V地)、芯片地(弱电5V或3.3V地)都是连接在一起的。虽然强电地和弱电地都是参考地，均可作为电压的参考平面，但两者之间附带的干扰信号并不同，强电地上流过大电流，干扰信号大，而弱电地流过小电流，干扰信号较小。
[0003]因此，目前空调器的升压电路中，由于强电地和弱电地连接在一起，强电地会对弱电地造成干扰，导致电路的EMI(Electromagnetic Interference，电磁干扰)变差。
[0004]综上所述，现有技术中存在升压电路中EMI品质较差的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种升压电路与空调器，以解决现有技术中存在的升压电路中EMI品质较差的问题。
[0006]为解决上述问题，一方面，本专利技术提供了一种升压电路，所述升压电路包括升压组件、驱动芯片以及隔离组件，所述升压组件包括晶体管，所述驱动芯片与所述晶体管连接，以驱动所述晶体管的导通或关断，所述晶体管与强电地连接，所述驱动芯片与弱电地连接；其中，所述强电地与所述弱电地之间通过所述隔离组件连接，以隔离所述强电地对弱电地的干扰。
[0007]由于本专利技术实施例提供的升压电路中包括隔离组件，其能够隔开强电地与弱电地，进而隔开强电地对弱电地的干扰，改善升压电路的EMI品质。
[0008]可选地，所述隔离组件包括至少一个隔离电阻或电感。
[0009]可选地，所述隔离组件包括至少两个隔离电阻，所述至少两个隔离电阻之间通过并联和/或串联的方式连接。
[0010]可选地，所述隔离组件包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，所述第一电阻与所述第二电阻并联，并与所述第三电阻串联，所述第四电阻与所述第三电阻并联，并与所述第二电阻串联。
[0011]通过该连接方式，使隔离器件中构成了两串两并的电路结构，即使其中任一电阻损坏，该隔离组件也能够正常运行，稳定性更高。
[0012]可选地，所述隔离组件的总阻值小于10Ω。
[0013]可选地，所述升压电路还包括连接组件，所述连接组件分别与驱动芯片、所述晶体管的栅极连接，所述驱动芯片用于通过所述连接组件驱动所述晶体管的导通与关断。
[0014]可选地，所述连接组件包括驱动电阻、二极管以及泄放电阻，所述驱动电阻分别与所述驱动芯片、所述晶体管的栅极连接；所述二极管的阳极与所述晶体管的栅极连接，所述
二极管的阴极与所述泄放电阻的一端连接，所述泄放电阻的另一端与所述驱动芯片连接。
[0015]可选地，所述升压电路还包括电源组件，所述电源组件包括供电电源、滤波组件以及第五电阻，所述供电电源分别与所述驱动芯片、所述滤波组件以及所述第五电阻的一端连接，所述第五电阻也与所述滤波组件的一端连接，所述滤波组件的另一端与所述弱电地连接。
[0016]可选地，所述升压电路还包括分压组件，所述分压组件分别与主芯片、驱动芯片以及弱电地连接，所述驱动芯片用于通过所述分压组件接收所述主芯片的信号。
[0017]另一方面，本专利技术实施例还提供了一种空调器，所述空调器包括如权利要求上述的升压电路。
附图说明
[0018]图1为现有技术中的升压电路的示意图。
[0019]图2为本专利技术实施例提供的升压电路的一种模块示意图。
[0020]图3为本专利技术实施例提供的升压电路的一种电路示意图。
[0021]附图标记说明：
[0022]100
‑
升压电路；110
‑
驱动芯片；120
‑
升压组件；130
‑
隔离组件；140
‑
连接组件；150
‑
电源组件；160
‑
分压组件；Q1
‑
晶体管；GND1
‑
强电地；GND2
‑
弱电地。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0024]正如
技术介绍
中所述，目前空调器的升压电路中，由于强电地和弱电地连接在一起，强电地会对弱电地造成干扰，导致电路的EMI(Electromagnetic Interference，电磁干扰)变差。
[0025]目前空调器的升压电路的电路图如图1所示，由图1可知，强电地与弱电地直接连接，因此强电地会对弱电地存在影响。在此基础上，为了改善EMI，一般都需要花大量时间整改EMI,且加很多滤波器件或者加带磁环的电源线、电源连接线来改善EMI,既造成材料成本的浪费，同时也浪费了大量的时间，人力、及测试资源来整改EMI。若PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)布局不合理，EMI很可能无论怎么调整都不合格。因此，现有的电路中存在对EMI处理较为困难的情况。
[0026]此外，如图1所示，IGBT连接的是功率地(强电地)，驱动芯片(驱动IGBT)连接的是弱电地，强电地与弱电地直接连接。由于IGBT高频PFC驱动电路中，开关频率达到40Khz，驱动芯片驱动IGBT的导通和关断，开关过程中过高的di/dt和dv/dt对EMI的影响非常大，频率越高，EMI的设计更难。EMI与较多因素有关，比如器件的寄生电感电容，线路的杂感等，而在IGBT开通和关断过程中,驱动电压(即IGBT栅极处电压)的震荡程度对EMI是有影响的，而驱动芯片给IGBT的驱动电压15V，是参考驱动芯片的弱电地，如果将IGBT的功率地(强电地)和驱动芯片弱电地直接连接一起，则此时15V的参考地，是有较大干扰和浮动的强电地，那么IGBT栅极处驱动电压15V将会是一个震荡的电压值，换言之，此时驱动芯片输出至晶体管的驱动电压并非为一稳定的电压，而是一波动的电压。而15V驱动电压震荡又会造成IGBT集电
极与发射极处强电流和高电压的震荡，造成di/dt和dv/dt的震荡更加剧烈，从而导致EMI变差。
[0027]有鉴于此，为了解决上述问题，本申请提供了一种升压电路，通过设置隔离组件的方式，实现强电地与弱电地之间的隔离，进而达到改善升压电路的EMI的效果。
[0028]下面对本申请提供的升压电路100进行实例性说明：
[0029]作为一种可选的实现方式，请参阅图2，该升压电路100包括升压组件120、驱动芯片110以及隔离组件130，升压组件120包括晶体管Q1，驱动芯片110与晶体管Q1连接，以驱动晶体管Q1的导通或关断，晶体管Q1与强电地GND1连接，驱动芯片110与弱电地GND2连接。并且，强电地GND1与弱电地GND2之间通过隔离组件130连接，以隔离强电地GND1对弱电地GND2的干本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种升压电路，其特征在于，所述升压电路(100)包括升压组件(120)、驱动芯片(110)以及隔离组件(130)，所述升压组件(120)包括晶体管(Q1)，所述驱动芯片(110)与所述晶体管(Q1)连接，以驱动所述晶体管(Q1)的导通或关断，所述晶体管(Q1)与强电地(GND1)连接，所述驱动芯片(110)与弱电地(GND2)连接；其中，所述强电地(GND1)与所述弱电地(GND2)之间通过所述隔离组件(130)连接，以隔离所述强电地(GND1)对弱电地(GND2)的干扰。2.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述隔离组件(130)包括至少一个隔离电阻或电感。3.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，所述隔离组件(130)包括至少两个隔离电阻，所述至少两个隔离电阻之间通过并联和/或串联的方式连接。4.根据权利要求3所述的升压电路，其特征在于，所述隔离组件(130)包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，所述第一电阻与所述第二电阻并联，并与所述第三电阻串联，所述第四电阻与所述第三电阻并联，并与所述第二电阻串联。5.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述隔离组件(130)的总阻值小于10Ω。6.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述升压电路(100)还包括连接组件(140)，所述连接组件(140)分别与驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，周振威，周鹏宇，陈志强，游剑波，文健，
申请(专利权)人：奥克斯空调股份有限公司，
类型：发明
国别省市：