一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法技术

本发明专利技术公开了一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法，该电路通过在MCU的外围电路中加入ESD干扰信号源，并接入待测试的MCU；然后利用直流电压信号驱动待测试MCU产生无ESD干扰信号的输出波形；获取ESD干扰信号源的参数，并得到ESD干扰信号；将直流电压信号和ESD干扰信号进行共同作用于待测试的MCU，得到有ESD干扰信号的输出波形；将无ESD干扰信号的输出波形和有ESD干扰信号的输出波形进行对比分析，以完成待测试MCU的静电放电防护性能测试评估。本发明专利技术提供的测试MCU静电放电防护性能的电路，克服了现有技术中在MCU启动后外围电路无法测试MCU在启动后的ESD干扰的问题，可用于对具有稳定静电放电防护性能的MCU的测试筛选，从而提高集成电路的稳定性。从而提高集成电路的稳定性。从而提高集成电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法


[0001]本专利技术属于微电子
，具体涉及一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法。

技术介绍

[0002]静电放电ESD(Electro
‑
Static Discharge)是一种现代半导体工业的生产和制造中非常常见的物理现象，它是由积累的静电电荷突然放电而产生的。在现实生活中，我们往往会有这样的经历：当我们在冬天穿毛衣时所产生的噼啪声，在地毯上行走后接触金属把手时，会感受到手和门手柄之间有放电的现象，或者日常中的闪电，这就是一种典型的ESD现象。它是由于人体和毛衣或者地毯发生摩擦后，人体积累了大量的静电电荷，当人体接触到金属导电的物体时，形成了一条导电通路，人体所积累的静电电荷会迅速的泄放出去，从而发生了ESD现象；闪电则是另一种大自然所发生的能量巨大的ESD现象。这两种ESD现象的区别只是在于放电的大小，持续的时间以及危害程度。然而，如果我们走过地毯所带上的少量电荷，经过我们的手被泄放到集成电路(IC)芯片中，由于芯片的体积非常小，那么这种放电对于IC的危害甚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路，其特征在于，包括：四个直流电压源，七个电容以及ESD干扰信号源模块，所述ESD干扰信号源模块包括至少一个ESD干扰信号源；其中，第一直流电压源V1的正极连接待测MCU的引脚1和引脚8；第一电容C1与第二电容C2并联后跨接在所述第一直流电压源V1的正极和负极之间；第三电容C3跨接在降压器飞电容端CAP1N与CAP1P之间；第四电容C4跨接在降压器飞电容端CAP2N与CAP2P之间；第二直流电压源V2与第五电容C5并联，且所述第二直流电压源V2的正极与所述待测MCU的引脚14连接；第三直流电压源V3与第六电容C6并联，且所述第三直流电压源V3的正极与所述待测MCU的数字电源引脚34连接；第四直流电压源V4与第七电容C7并联，且所述第四直流电压源V4的正极与所述待测MCU的数字电源引脚49连接；所述四个直流电压源的负极、所述待测MCU的模拟接地引脚15、数字接地引脚48以及引脚64均接地；所述ESD干扰信号源模块设置于所述待测MCU具有干扰信号的端口。2.根据权利要求1所述的用于测试MCU静电放电防护性能的电路，其特征在于，所述ESD干扰信号源模块包括第一ESD干扰信号源E1，设置于所述待测MCU的引脚1；其中，所述第一ESD干扰信号源E1的阴极与所述第一直流电压源V1的正极串联，所述第一ESD干扰信号源E1的阳极分别与所述待测MCU的引脚1和引脚8相连。3.根据权利要求1所述的用于测试MCU静电放电防护性能的电路，其特征在于，所述ESD干扰信号源模块包括第二ESD干扰信号源E2，设置于所述待测MCU的引脚6和引脚7；其中，所述第二ESD干扰信号源E2的阳极与所述第三电容C3串接于所述待测MCU的降压器飞电容端CAP1N引脚6，所述第二ESD干扰信号源E2的阴极与所述待测MCU的降压器飞电容端CAP1P引脚7相连。4.根据权利要求1所述的用于测试MCU静电放电防护性能的电路，其特征在于，所述ESD干扰信号源模块包括第三ESD...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈燕宁，刘红侠，郭丹，谢海武，赵东艳，周芝梅，付振，杜剑，刘芳，
申请(专利权)人：西安电子科技大学北京芯可鉴科技有限公司，
类型：发明
国别省市：