振荡装置、振荡方法以及存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种振荡装置、振荡方法以及存储器装置。振荡装置包括以下部件：第一设定单元，输出振荡周期指定信号；计算单元，对振荡周期指定信号进行算术运算；以及振荡单元，产生具有基于经过所述算术运算后的振荡周期指定信号的周期的振荡信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及振荡装置、振荡方法以及存储器装置。
技术介绍
存储器包括振荡器，振荡器用于产生自更新(self-refresh)请求信 号。遗憾地是，因为工艺变化，振荡器的振荡周期也有变化。因而不利的 是，所需更新时间随半导体芯片的不同而变化。为了克服这个缺点，在试 探测试中，改变每个半导体芯片更新请求信号的分频数。因此，更新请求 信号的周期得到调整，以减少半导体芯片之间更新请求信号所需周期的变 化。存储器包括正常存储器单元和冗余存储器单元。在这种情况下出现的 问题在于用冗余存储器单元代替正常存储器单元之前(下文中称为"冗余 之前")的第一试探测试和用冗余存储器单元代替正常存储器单元之后 (下文中称为"冗余之后")的第二试探测试之间的关系。在冗余之前的 第一试探测试中，为了防止因为冗余之后的第二试探测试中不充分的更新 操作造成的失效，必须将冗余之前的更新请求信号的周期设定得比冗余之 后的更新请求信号的周期更长。但是，对于每个半导体芯片，难以用适当 的余量将冗余之前的更新请求信号的周期设定得比冗余之后的更新请求信 号的周期更长，这是因为不可能从外部得到随半导体芯片的不同而不同分 频数。日本专利特开No. 2001-184860公开了一种具有自更新模式的半导体 存储器装置。这种半导体存储器装置包括自更新期限改变器件，自更新期 限改变器件接收预定的外部地址信号，基于预定的外部地址信号产生振荡 周期控制信号，并根据振荡周期控制信号改变振荡电路的振荡周期，以改 变自更新期限。日本专利特开No. 2006-4557公开了一种包括以下元件的半导体存储 器装置。存储器阵列包括多个存储器单元，为了保持数据，每个存储器单 元都需要更新操作。第一控制电路将预定数据写入存储器阵列的预定存储 器单元(称为监视器单元)中。经过一个等于更新周期的时间间隔或者一 个比更新周期短的预定时间间隔之后，第二控制电路从已经写入了预定数 据的监视器单元中读取数据。第三控制电路将从监视器单元读取的数据与 预定数据作比较，以测量误差数或误差率，并基于测得的误差数或误差率 可变地控制更新周期。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方案，提供一种振荡装置。这种振荡装置包括第一 设定单元、计算单元以及振荡单元。第一设定单元输出振荡周期指定信 号。计算单元对振荡周期指定信号进行算术运算。振荡单元产生振荡信 号，所述振荡信号具有基于经过所述算术运算后的振荡周期指定信号的周 期。附图说明图l是示出根据第一实施例的存储器装置的结构的方框图2是说明存储器装置的操作的时序图3包括曲线图，说明基于分频器获得的计数值在熔丝电路中设定分 频数的方法；图4是示出根据第二实施例的存储器装置的结构的方框图5是示出根据第三实施例的存储器装置的结构的方框图6是示出根据第四实施例的存储器装置的结构的方框图7是示出控制电路和振荡器的电路图8是示出另一控制电路和振荡器的电路图9是示出另一控制电路和振荡器的电路图IO是示出根据第五实施例的存储器装置的结构的方框图11是示出根据第六实施例的存储器装置的结构的方框图12是示出存储器装置的结构的示意图13是示出允许分频数在冗余之前的测试模式中具有余量的存储器 装置的结构的示意图；以及图14是示出允许分频数在冗余之前的测试模式中具有余量的另一存储器装置的结构的示意图。具体实施例方式图12是示出存储器装置的结构的示意图。振荡装置1201产生更新请 求信号S2。在测量模式中，测试电路1203指定分频数，并通过选择电路 104将表示指定分频数的数据输出给分频器1206。振荡器1205输出振荡 信号S1。分频器1206以指定的分频数将振荡信号S1分频，以输出更新请 求信号S2。测量更新请求信号S2的周期并将用于校正所测周期中的变化 的分频数写入熔丝电路1202。在正常模式中，熔丝电路1202通过选择电 路1204将表示写入的分频数的数据输出给分频器1206。因此，振荡装置 1201能够产生具有所需周期的更新请求信号S2。存储器1208存储数据。 存储器控制电路1207响应于更新请求信号S2对存储器1208进行更新操 作。熔丝电路1202中分频数的设定必须能够在测试模式中被再现。此 外，当冗余之前的分频数被设定为与冗余之后的分频数(在熔丝电路1202 中设定)相比具有余量时，必须进行测试。图13是示出用于在冗余之前的测试模式中提供分频数的余量的存储 器装置的结构的示意图。下面描述图12和图13中的结构之间的区别。选 择电路1301在冗余之前的测试模式中选择从外部提供的振荡信号SA1， 并将所选择的信号输出作为振荡信号SA2。在冗余之后的测试模式中，选 择电路1301选择从振荡器1205输出的振荡信号Sl，并将所选择的信号输 出作为振荡信号SA2。分频器1206将振荡信号SA2分频，以输出更新请 求信号SA3。响应于更新请求信号SA3，存储器控制电路1207对存储器 1208进行更新操作。图14是示出用于在冗余之前的测试模式中提供分频数的余量的另一 存储器装置的结构的示意图。下面描述图12和图14中的结构之间的区 别。选择电路1401在冗余之前的测试模式中选择从外部提供的更新请求 信号SB1，并将所选择的信号输出作为更新请求信号SB2。在冗余之后的 测试模式中，选择电路1401选择从分频器1206输出的更新请求信号S2， 并将所选择的信号输出作为更新请求信号SB2。响应于更新请求信号 SB2，存储器控制电路1207对存储器1208进行更新操作。图1是示出根据第一实施例的存储器装置的结构的方框图。图2是说 明存储器装置的操作的时序图。振荡装置101包括熔丝电路102、测试电 路103、选择电路104、振荡器105、分频器106、比较电路107以及加法 电路111。振荡装置101产生更新请求信号S2。振荡装置101具有测量模 式、测试模式和正常模式。下面描述振荡装置101的振荡方法。首先描述 在测量模式中调整更新请求信号S2周期的方法。在测量模式中测试电路 103输出表示分频数的数据。例如，能够从外部控制测试电路103输出的 分频数。在测量模式中，选择电路104选择从测试电路103输出的分频 数。熔丝电路102、测试电路103和选择电路104构成设定单元，用于设 定分频器106的分频数。在测量模式中，加法电路111不进行加法运算或 者加零。振荡器105和分频器106构成振荡单元。振荡器105响应于使能 信号ST产生振荡信号Sl。具体而言，当使能信号ST变成高电平时，振 荡器105产生振荡信号并开始输出振荡信号Sl。分频器(第一分频器) 106包括计数器。分频器106通过选择电路104输出的分频数将振荡信号 Sl分频，以输出更新请求信号(第一分频信号)S2。此外，分频器106对 输出作为振荡信号Sl的脉冲数量(下文中称为振荡信号Sl的振荡数量) 进行计数，并输出计数值S3。此外，当使能信号ST变成高电平时，分频 器106将计数值S3复位为零。当使能信号ST变成低电平时，分频器106 停止计数并保持计数值S3。当使能信号ST变成低电平时，振荡器105可 停止输出振荡信号S1。使能信号ST处于高电平的周期(下文中称为高电平周期)例如为20 ps。高电平周期可以改变。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种振荡装置，包括：　第一设定单元，输出第一振荡周期指定信号；　计算单元，对所述第一振荡周期指定信号进行算术运算；以及　振荡单元，产生与基于经过所述算术运算后的计算后第一振荡周期指定信号的周期相应的第一振荡信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：富田浩由，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]