【技术实现步骤摘要】
一种基于氮化铝的自来水冷却桥臂
[0001]本技术涉及冷却装置
,具体涉及一种基于氮化铝的自来水冷却桥臂。
技术介绍
[0002]水冷桥臂是指水冷电力电子设备中,将大功率半导体器件、水冷散热器、导电铜排、绝缘子等器件首尾相连,压接而成的功率结构。目前,常用的水冷散热器是采用方形或圆形基板(铜或铝),中间挖空形成水流道,内通水带走半导体器件工作时产生的热量。由于散热基板为导电材质,而与导热基板接触的冷却水最终与其他器件的散热水汇流,为保证桥臂正常工作,要求冷却水必须为去离子水,且电压越高时,对于去离子水的电导率要求越高。
[0003]这样的结构决定了水冷电力电子设备工作时,必须配备相应功率的去离子过滤设备,该设备造价较高且过滤膜需要定时更换。这对电力电子设备的造价、使用环境、维护便利性等提出了更高的要求。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是针对现有技术中的上述不足,提供了一种基于氮化铝的自来水冷却桥臂。
[0005]本技术的目的通过以下技术方案实现:一种基于氮化铝的自来水冷却桥臂,包括第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于氮化铝的自来水冷却桥臂,其特征在于:包括第一半导体器件(11)组、第二半导体器件(12)组以及第三半导体器件(13)组;所述第一半导体器件(11)组与第二半导体器件(12)组之间、第二半导体器件(12)组与第三半导体器件(13)组之间、第一半导体器件(11)组远离第二半导体器件(12)组一侧以及第二半导体器件(12)组远离第二半导体器件(12)组一侧均设有绝缘块(2);所述第一半导体器件(11)组、第二半导体器件(12)组以及第三半导体器件(13)组分别与绝缘块(2)之间设有散热器(3);所述散热器(3)包括铜壳(31);所述铜壳(31)内设有空腔;所述铜壳(31)的一端设有与空腔连通的开口(34);所述空腔以及开口(34)处设有氮化铝壳(32);所述氮化铝壳(32)内开设有水冷通道(33)。2.根据权利要求1所述的一种基于氮化铝的自来水冷却桥臂,其特征在于:所述第一半导体器件(11)组包括若干个第一半导体器件(11);相邻两个第一半导体器件(11)之间设有散热器(3);所述第二半导体器件(12)组包括若干个第二半导体器件(12);相邻两个第二半导体器件(12)之间设有散热器(3);所述第三半导体器件(13)组包括若干个第三半导体器件(13);相邻两个第三半导体器件(13)之间设有散热器(3)。3.根据权利要求2所述的一种基于氮化铝...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘湘,盛建科,罗万里,
申请(专利权)人:广东福德电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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