【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电抗器,特别是一种新型调节电抗器,该电抗器依具体用途可称作消弧线圈、补偿线圈、调谐电抗等,属于高压供配电设备
目前已有的可控电抗器有如下几类(1)利用改变激磁阻抗的原理来改变电抗值,可采用调匝数、调气隙、直流偏磁、磁阀式等结构形式来达到调节电抗器的目的。这类电抗器存在伏安特性线性度差、调节速度慢、结构复杂、价格昂贵等缺点。(2)利用电容补偿原理改变电抗值,在变压器的二次线圈侧接入多组电容,用投切电容器组来改变变压器容性负载,从而改变一次线圈侧的电抗值。这类电抗器的缺点是不能连续调节电抗值;电抗器伏安特性的线度不易保证;仅可用于消弧线圈、应用范围窄。(3)将电抗器分解成两个固定式带铁芯电感相串联,其中一个电感与可控硅直接并联,通过调节可控硅导通角来改变电抗器的电抗。这种方法主要是利用两个电感的励磁阻抗,为限制谐波,电感量的最大值与最小值之比不能超过一定值(一般为1.5),因此存在如下缺点可调的电感量相当小,不能保证伏安特性的线性度。本技术的目的,是为了克服现有技术电抗器存在的伏安特性线性度差、结构复杂、响应速度慢、调节范围窄、不能真正无级 ...
【技术保护点】
一种新型调节电抗器,其特征是:利用变压器短路阻抗即漏抗作为工作电抗的原理,采用高短路阻抗变压器及可控硅元器件构成,由高短路阻抗即高漏抗变压器TRAN、可控硅SCR及可控硅导通角控制器(1)连接而成,其中所述变压器TRAN的初级线圈NW连接工作回路、作为电抗器的工作线圈,可控硅SCR并联在所述变压器TRAN的次级线圈的两端、其控制极连接所述控制器(1)的输出端;控制器(1)通过调节可控硅SCR的导通角调节电抗器的电抗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陆国庆,姜新宇,欧阳旭东,格尼阿列克山德洛夫,尤格谢列兹尼约夫,
申请(专利权)人:广东省电力工业局试验研究所,
类型:实用新型
国别省市:81[中国|广州]
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