一种可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法、化成铝箔和堆片电容器技术

本发明专利技术公开一种可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法和使用该制备方法制得的化成铝箔和堆片电容器，其中可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法包括：将化成铝箔放入低表面能溶液中浸渍，低表面能溶液包括表面活性剂和第一溶剂，再进行清洗；将化成铝箔放入深层扩孔溶液中浸渍，并抽真空和施加电压，再进行清洗，深层扩孔溶液包括扩孔剂、第二溶剂、助扩孔添加剂；施加的电压值为化成铝箔的化成电压值的0.1倍～0.8倍；对化成铝箔进行热处理，热处理包括温度为115℃～155℃的处理阶段。本技术对分切后的化成铝箔进行处理，能增加氧化铝膜的表面积，提高堆片电容器的容量，释放化成铝箔的应力和修复氧化铝膜的裂缝，减少堆片电容器的漏电流。少堆片电容器的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
一种可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法、化成铝箔和堆片电容器


[0001]本专利技术涉及电容器
，特别涉及一种可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法、化成铝箔和堆片电容器。

技术介绍

[0002]贴片型固态铝电解电容器是一款适用于表面贴装技术的铝电解电容器，其采用具有较高电导率的导电聚合物，如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺或其衍生物作为电解质替代传统的电解液，具有低等效串联电阻(ESR)、小尺寸、大容量、优良的频率特性、优良的耐纹波电流能力，产品不燃烧、不爆炸、安全环保等优点。
[0003]堆片电容器属于贴片型固态铝电解电容器中的一种，传统的堆片电容器在解决小型化、无铅化、更宽的工作温度范围等问题上发挥了重要作用。但随着近年来CPU频率越来越高，对堆片电容器提出了更高容量的要求，以实现快速计算响应、降低主板发热量及更好的断电保护。因此，如何进一步提高堆片电容器容量是业内急需解决的技术难题。
[0004]化成铝箔是堆片电容器中的重要组成部分，铝箔的表面经过化成处理后具有氧化铝膜电介质，氧化铝膜的表面积对堆片电容器的容量有很大的影响。通常化成铝箔从铝箔的整块原料经过腐蚀、化成处理后，再分切成所需要尺寸大小的化成铝箔。如何能提高氧化铝膜的有效表面积是进一步提高堆片电容器的容量的重要手段。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的是提出一种可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法，以及提出一种化成铝箔和一种堆片电容器，旨在解决现有技术中堆片电容器的容量还需要进一步提高的技术问题。<br/>[0006]为实现上述目的，本专利技术提出一种可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法，包括以下步骤：
[0007]S1：将化成铝箔放入低表面能溶液中浸渍，再进行清洗；
[0008]所述低表面能溶液包括如下质量百分比的原料：表面活性剂0.01％～5％，第一溶剂95％～99.99％；
[0009]S1：将经过步骤S1处理后的化成铝箔放入深层扩孔溶液中浸渍，并抽真空和施加电压，再进行清洗。
[0010]所述深层扩孔溶液包括如下质量百分比的原料：扩孔剂1％～10％、第二溶剂81％～91％、助扩孔添加剂1％～3％；
[0011]施加的电压值为化成铝箔的化成电压值的0.1倍～0.8倍；
[0012]S3：对经过步骤S1处理的化成铝箔进行热处理，所述热处理包括温度为 115℃～155℃的处理阶段。
[0013]在整片的化成铝箔分切后，化成铝箔的切割位置出现裸露的铝质，或使化成铝箔
表面的氧化铝膜产生裂缝，本技术对分切后的化成铝箔进行处理。
[0014]首先把化成铝箔放入低表面能溶液中浸渍，低表面能溶液能更好浸润裸露的铝箔，将铝箔表面的杂质清洗干净，为后续扩孔提供清洁的表面；然后把化成铝箔放入深层扩孔溶液中浸渍，并抽真空和施加电压，扩孔剂对裸露的铝质进行扩孔，并且在助扩孔添加剂的作用下使扩孔剂能够更入深入孔洞中扩孔，能增加化成铝箔上孔洞的表面积；在电压的作用下氧化形成氧化铝膜，从而增加氧化铝膜的表面积，提高堆片电容器的容量，而且在原本裸露的铝质上形成氧化铝膜后，也可减小漏电流。在真空条件下，可以使附着在化成铝箔表面的气体脱离排出，增加铝箔表面与深层扩孔溶液的接触，也减少扩孔剂更进一步深入孔洞的阻力。
[0015]真空条件和助扩孔添加剂的配合作用下，助扩孔添加剂本身分子量偏大，在真空条件下，才能更深入渗透至孔洞深处进行扩孔，达到理想的扩孔深度。施加电压为铝箔的化成电压值的0.1倍～0.8倍，能在化成铝箔的裸露位置形成氧化铝膜，而对其它已经形成的氧化铝膜影响较小。
[0016]另外，化成铝箔本身以及在分切后会存有应力，在组装电容时容易出现破损，以及在分切过程中可能损坏已经形成的氧化铝膜，使氧化铝膜出现裂缝，导致堆片电容器出现较大的漏电流。本技术对化成铝箔进行热处理，能够释放化成铝箔的应力，和修复氧化铝膜的裂缝，从而可减少堆片电容器的漏电流。
[0017]优选地，所述表面活性剂为酚醚羧酸钠、椰油单乙醇酰胺、月桂酰肌氨酸钠中的至少一种。
[0018]优选地，当所述表面活性剂为酚醚羧酸钠时，所述低表面能溶液的PH为 8～10；
[0019]当所述表面活性剂为椰油单乙醇酰胺时，所述低表面能溶液的PH为 9～11；
[0020]当所述表面活性剂为月桂酰肌氨酸钠时，所述低表面能溶液的PH为 1.0～8.5。
[0021]优选地，所述步骤S1中的浸渍温度为40℃～40℃，浸渍时间为0.1h～0.4h。步骤S1在40℃～40℃的温度下浸渍0.1h～0.4h，降低表面能的效果较好。
[0022]优选地，所述助扩孔添加剂为1，5
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二甲基苯酚、1，5
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二叔丁基氢醌、1，5
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二叔戊基对苯二酚、邻苯二酚、间苯二酚及其衍生物中的至少一种。助扩孔添加剂可以延缓新扩孔的孔洞被过快氧化，减缓因氧化之后扩孔剂无法进一步进行扩孔。
[0023]优选地，所述步骤S1的真空度为
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90Kpa～
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100Kpa。
[0024]优选地，所述去应力及修复热处理为逐级升温的多阶段热处理，最高温的阶段温度为115℃～155℃。通过逐级升温的多阶段热处理，可以减少化成铝箔的温度变化跨度，保持化成铝箔表面的孔洞结构，避免温度变化过快对化成铝箔的孔洞造成损伤。
[0025]优选地，所述去应力及修复热处理包括如下阶段：第一阶段为在130℃下保温0.5h，第二阶段为在150℃下保温0.5h，第三阶段为在115℃～155℃下保温0.04h～1h。
[0026]第一阶段主要对加工过程的应力进行释放，第二阶段主要对化学过程产生的应力进行释放，第三阶段主要将水合氧化铝完全分解，得到不含有水合氧化铝的铝箔。经过不同温度和时间的三个阶段热处理后，可大大减少化成铝箔的应力，以及使化成铝箔表面形成致密的氧化铝膜。
[0027]本专利技术另一方面，还提出一种使用上述制备方法制备得到的化成铝箔。
[0028]本专利技术另一方面，还提出一种使用上述化成铝箔而制得的堆片电容器。
[0029]通过采用上述的可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法，可以提升堆片电容器的容量和提高堆片电容器的漏电流合格率。
具体实施方式
[0030]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0032]一种可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法，包括以下步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将化成铝箔放入低表面能溶液中浸渍，再进行清洗；所述低表面能溶液包括如下质量百分比的原料：表面活性剂0.01％～5％，第一溶剂95％～99.99％；S2：将经过步骤S1处理后的化成铝箔放入深层扩孔溶液中浸渍，并抽真空和施加电压，再进行清洗；所述深层扩孔溶液包括如下质量百分比的原料：扩孔剂2％～10％、第二溶剂87％～97％、助扩孔添加剂1％～3％；施加的电压值为化成铝箔的化成电压值的0.1倍～0.8倍；S3：对经过步骤S2处理的化成铝箔进行热处理，所述热处理包括温度为175℃～255℃的处理阶段。2.如权利要求1所述的可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法，其特征在于，所述表面活性剂为酚醚羧酸钠、椰油单乙醇酰胺、月桂酰肌氨酸钠中的至少一种。3.如权利要求2所述的可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法，其特征在于，当所述表面活性剂为酚醚羧酸钠时，所述低表面能溶液的PH为8～10；当所述表面活性剂为椰油单乙醇酰胺时，所述低表面能溶液的PH为9～11；当所述表面活性剂为月桂酰肌氨酸钠时，所述低表面能溶液的PH为7.0～8.5。4.如权利要求1所述的可提高堆片电容器容量的化成铝箔的处理方法，其特征在于，所述步骤S1中的浸渍温度为40℃～60...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泳澎，何东石，赵振宇，
申请(专利权)人：肇庆绿宝石电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：