一种补偿的基于薄膜铌酸锂波导的不等臂马赫-曾德尔干涉仪制造技术

本发明专利技术公开了一种补偿的基于薄膜铌酸锂波导的不等臂马赫

【技术实现步骤摘要】
一种补偿的基于薄膜铌酸锂波导的不等臂马赫
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曾德尔干涉仪


[0001]本专利技术涉及一种补偿的基于薄膜铌酸锂波导的不等臂马赫
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曾德尔干涉仪，涉及光量子集成器件


技术介绍

[0002]马赫
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曾德尔干涉仪(英文全称Mach
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Zehnder Interferometer，文中简称：MZI)是一种由具有强电光效应的材料制成的干涉结构。将电场施加到臂上并通过电光效应来调制波导材料的折射率从而使得通过该波导的光波获得相位调制。最后当两个臂上传送的光波会合时，这两束光之间的干涉将把相位调制转换为强度调制。
[0003]传统基于分立元件的不等臂马赫
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曾德尔干涉仪的整个结构包括：光束分束器、光束合束器、光纤以及相移器，分束器与合束器也就是50/50分光器。分立元件的相对位置校准难度较大，且会出现一些无法避免的扰动，从而影响其工作性能，稳定性较差，且延时精度不高，链路一致性差。
[0004]薄膜铌酸锂材料本身非常稳定、有寿命长、损耗低、受温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种补偿的基于薄膜铌酸锂波导的不等臂马赫
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曾德尔干涉仪，其特征在于：将量子密钥分发系统里的不等臂马赫
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曾德尔调制器中的光束分束器、相位调制器、光束合束器、光纤延时环集成至同一芯片上，使其具有精确延时和相位调制的功能；干涉仪由集成在芯片上的薄膜铌酸锂波导制成，按区域结构将干涉仪划分为：Y分支分束器(10)、Y分支合束器(11)、上左波导、上右波导、相位调制区(17)、下左延时补偿波导(19)以及下右延时补偿波导(20)。2.根据权利要求1中所述的一种补偿的基于薄膜铌酸锂波导的不等臂马赫
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曾德尔干涉仪，其特征在于：上左波导和上右波导结构相同，且空间位置对称，上左波导具体包括多根弯曲波导(15)和多根上臂短直波导(16)，多根上臂短直波导(16)相互平行设置，相邻两根上臂短直波导(16)由一根弯曲波导(15)连接，上左波导和相位调制区(17)之间通过弯曲波导(15)相连；下左延时补偿波导(19)和下右延时补偿波导(20)呈对称结构，具体由多根弯曲波导(15)相连接组成，下参考臂(12)用于连接下左延时补偿波导(19)和下右延时补偿波导(20)。3.根据权利要求2中所述的一种补偿的基于薄膜铌酸锂波导的不等臂马赫
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曾德尔干涉仪，其特征在于：上左波导一端与Y分支分束器(10)的上臂连接，上左波导另一端通过相位调制区(17)与上右波导一端相连，上右波导的另一端与Y分支合束器(11)的上臂连接，Y分支分束器(10)的下臂连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨登才，张旭涛，宝剑锋，杨锋，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：