一种新型低膨胀二元镁合金及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型低膨胀二元镁合金及其制备方法，所述镁合金包括以下质量分数的组分：Gd 1.6～15.5％，其余为镁和不可避免的杂质元素，所述镁合金在室温下的热膨胀系数为15.7

【技术实现步骤摘要】
一种新型低膨胀二元镁合金及其制备方法


[0001]本专利技术涉及镁合金铸造制备
，特别的涉及一种新型低膨胀二元镁合金及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于镁合金具有高比强度、低密度、良好的铸造加工性和良好的可回收性，被认为是一种很有前途的结构应用。镁合金资源丰富，并且轻量化效果显著，其大规模应用对于节能减排和缓解我国资源紧张有很重要的作用，因此大规模应用于地面运输、航空航天及3c电子等领域。
[0003]然而，室温时纯镁的热膨胀系数(CTE)较高，约为26
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‑1，致使铸造热应力大，从而产生大量的缩松、缩孔和裂纹等铸造缺陷，大幅降低构件的成品率(部分构件一次成品率低于5％)，并且对铸造缺陷进行补焊修复过程中产生的热应力大使补焊区域极易开裂，甚至引起非补焊区域开裂，二次成品率仍然不高(低于20％)。另外，在高温环境下服役时，由于镁基体CTE更高，温度变化产生的热应力会使合金屈服，甚至失效，因此，现有的镁合金材料在许多涉及热影响的电子元器件领域的应用受到很大的限制，用作电子封装基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型低膨胀二元镁合金，其特征在于，所述镁合金包括以下质量分数的组分：Gd 1.6～15.5％，其余为镁和不可避免的杂质元素；所述镁合金在室温下的热膨胀系数为15.7
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‑1～16.4
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‑1。2.根据权利要求1所述新型低膨胀二元镁合金，其特征在于，所述镁合金包括以下质量分数的组分：Gd 1.6～5％，其余为镁和不可避免的杂质元素。3.根据权利要求1所述新型低膨胀二元镁合金，其特征在于，所述镁合金包括以下质量分数的组分：Gd 10～15.5％，其余为镁和不可避免的杂质元素。4.一种如权利要求1～3任一项所述新型低膨胀二元镁合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)以纯镁锭、镁钆中间合金为原料，按组分的质量百分比计算配料；2)先将称量好的原材料进行预热，然后将预热好的纯镁锭在动态保护气氛下加热至720～750℃，熔化得到镁熔体，再加入预热好的镁钆...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋斌，王翠红，宋江凤，董志华，吴素娟，钱晓英，郑志莹，李旭，潘复生，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：