一种移动电源制造技术

本实用新型专利技术涉及一种移动电源，移动电源包括主电路板、第一放电口、第二放电口和第三放电口；主电路板上设置有第一控制模块、充放电管理芯片和扩展电路；第一控制模块与充放电管理芯片连接，充放电管理芯片包括第一电压输出引脚和第二电压输出引脚；第一放电口与第一电压输出引脚连接；第二放电口与第二电压输出引脚连接；第三放电口通过扩展电路与第二电压输出引脚连接。本实用新型专利技术提供的移动电源，利用扩展电路，将仅支持2个对外充电口的充放电管理芯片，扩展出3个对外充电接口，解决了在不增加充放电管理芯片的支持的对外充电口数量的基础上，对移动电源的充电口的数量进行拓展增加的问题。加的问题。加的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种移动电源


[0001]本技术涉电源
，特别是涉及一种移动电源。

技术介绍

[0002]现有移动电源根据移动电源的充放电管理芯片支持的充放电口数量，决定了移动电源的充电口的数量，基于现有的充放电管理芯片无法对移动电源的充电口的数量进行拓展增加。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，有必要提供一种移动电源，以解决现有技术中无法对移动电源的充电口的数量进行拓展增加的问题。
[0004]本技术提供一种移动电源，移动电源包括主电路板、第一放电口、第二放电口和第三放电口；主电路板上设置有第一控制模块、充放电管理芯片和扩展电路；
[0005]第一控制模块与充放电管理芯片连接，充放电管理芯片包括第一电压输出引脚和第二电压输出引脚；
[0006]第一放电口与第一电压输出引脚连接；第二放电口与第二电压输出引脚连接；第三放电口通过扩展电路与第二电压输出引脚连接。
[0007]在其中一个实施例中，扩展电路包括，场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移动电源，其特征在于，所述移动电源包括主电路板、第一放电口、第二放电口和第三放电口；所述主电路板上设置有第一控制模块、充放电管理芯片和扩展电路；所述第一控制模块与所述充放电管理芯片连接，所述充放电管理芯片包括第一电压输出引脚和第二电压输出引脚；所述第一放电口与所述第一电压输出引脚连接；所述第二放电口与所述第二电压输出引脚连接；所述第三放电口通过所述扩展电路与所述第二电压输出引脚连接。2.根据权利要求1所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路包括，场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4；所述场效应晶体管Q1的源极与所述第二电压输出引脚连接，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的栅极连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述第二电压输出引脚连接，所述场效应晶体管Q2的漏极与所述第三放电口的电源管脚连接，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端接地；所述电阻R1的一端与所述主电路板提供的第一电压端连接，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地；所述场效应晶体管Q3的源极与所述主电路板提供的第二电压端连接，所述场效应晶体管Q3的栅极与所述场效应晶体管Q1的漏极连接，所述场效应晶体管Q3的漏极与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述场效应晶体管Q2的漏极。3.根据权利要求2所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路还包括电压检测电路，所述电压检测电路包括电阻R5和电容C1；所述电阻R5的一端与所述场效应晶体管Q2的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨波，刘晶晶，周高飞，
申请(专利权)人：杭州小电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：