封装有机发光二极管的组合物及有机发光二极管显示器制造技术

本发明专利技术提供一种封装有机发光二极管的组合物及包括由所述组合物形成的有机层的有机发光二极管显示器。所述组合物包含：组分A：式2的化合物及式3的化合物中的至少一者；组分B：选自非硅酮系光可固化多官能单体及硅酮系光可固化多官能单体中的至少一者；组分C：光可固化单官能单体；以及组分D：引发剂，其中以组分A、组分B、组分C及组分D的总计100重量份计，存在0.01重量份到10重量份的量的选自式2的化合物及式3的化合物中的至少一者。其中式2及式3的定义与具体实施方式所定义的相同。本发明专利技术的封装组合物可实现具有良好紫外线阻挡效果及低等离子体蚀刻率的有机层。低等离子体蚀刻率的有机层。低等离子体蚀刻率的有机层。

【技术实现步骤摘要】
封装有机发光二极管的组合物及有机发光二极管显示器
[0001]本专利技术是2019年08月29日所提出的申请号为201910806782.0、专利技术名称为《封装有机发光二极管的组合物及有机发光二极管显示器》的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉参考
[0003]本申请主张在2018年8月30日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请10
‑
2018
‑
0103066的权利，所述韩国专利申请的全部公开内容并入本申请供参考。


[0004]本专利技术涉及一种封装有机发光二极管的组合物及一种包括使用所述组合物形成的有机层的有机发光二极管显示器。

技术介绍

[0005]有机发光二极管在与外部水分或氧气接触时容易受损，且由于其功能的丧失而导致可靠性下降。因此，有机发光二极管必须用封装有机发光二极管的组合物来封装。
[0006]另一方面，当暴露于阳光下时，有机发光二极管可被紫外(ultraviolet，UV)光损坏，从而导致其寿命缩短。特别是，由于在车辆中使用的有机发光二极管会长时间暴露于阳光下，因此紫外线损伤成为有机发光二极管的重要问题。为了阻挡紫外光，形成在有机发光二极管上的偏振板及粘合剂可包含紫外线吸收剂。然而，更有效的是形成将邻近有机发光二极管放置的有机层，以防止通过阻挡来自阳光的紫外光而损坏有机发光二极管。
[0007]一般来说，适于封装有机发光二极管的封装层具有包括无机层及有机层的多层式结构。无机层与有机层具有不同的性质，且可交替地堆叠在彼此上方以改善对有机发光二极管的保护。

技术实现思路

[0008]本专利技术的一个目的是提供一种封装有机发光二极管的组合物，所述组合物可形成具有良好紫外线阻挡效果的有机层。
[0009]本专利技术的另一个目的是提供一种封装有机发光二极管的组合物，所述组合物可实现具有低等离子体蚀刻率的有机层。
[0010]根据本专利技术的一个方面，一种封装有机发光二极管的组合物包含：组分A：式1的化合物、式2的化合物及式3的化合物中的至少一者；组分B：非硅酮系光可固化多官能单体及硅酮系光可固化多官能单体中的至少一者；组分C：光可固化单官能单体；以及组分D：引发剂，其中以所述组分A、所述组分B、所述组分C)及所述组分D的总计100重量份计，存在0.01重量份到10重量份的量的所述式1的化合物、所述式2的化合物及所述式3的化合物中的至少一者：
[0011]<式1>
[0012][0013]其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
及n与在本专利技术的以下说明中所定义的相同。
[0014]<式2>
[0015][0016]其中R
20
、R
21
及R
22
与在本专利技术的以下说明中所定义的相同。
[0017]<式3>
[0018][0019]其中R1、R2、R3及R4与在本专利技术的以下说明中所定义的相同。
[0020]根据本专利技术的另一方面，提供一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括使用根据本专利技术的封装有机发光二极管的组合物形成的有机层。
[0021]本专利技术提供一种封装有机发光二极管的组合物，所述组合物可形成具有良好紫外线阻挡效果的有机层。
[0022]本专利技术提供一种封装有机发光二极管的组合物，所述组合物可实现具有低等离子体蚀刻率的有机层。
附图说明
[0023]图1为根据本专利技术一个实施例的有机发光二极管显示器的剖视图。
[0024]图2为根据本专利技术另一个实施例的有机发光二极管显示器的剖视图。
[0025][符号的说明][0026]10：衬底
[0027]20：有机发光二极管
[0028]30：阻挡件堆叠
[0029]31：无机层
[0030]32：有机层
[0031]40：内部空间
[0032]100、200：有机发光二极管显示器
具体实施方式
[0033]将参照附图详细阐述本专利技术的实施例，以向所属领域中的技术人员提供对本专利技术的透彻理解。应理解本专利技术可以不同的方式实施且不限于以下实施例。在附图中，为清晰起见将省略与说明无关的部分，且说明书通篇中，相同组件将由相同参考编号标示。
[0034]本文中所使用的用语“(甲基)丙烯酸基”是指丙烯酸基和/或甲基丙烯酸基。
[0035]在本文中，除非另外阐明，否则用语“经取代的”意指官能基的至少一个氢原子经以下取代：卤素(例如F、Cl、Br或I)、羟基、硝基、氰基、亚氨基(＝NH、＝NR，其中R为C1到C
10
烷基)、氨基(
‑
NH2、
‑
NH(R')、
‑
N(R")(R"')，其中R'、R"及R"'各自独立地为C1到C
10
烷基)、脒基、肼基或腙基、羧基、C1到C
20
烷基、C6到C
30
芳基、C3到C
30
环烷基、C3到C
30
杂芳基或C2到C
30
杂环烷基。
[0036]在本文中，用语“芳基”是指其中环状取代基的所有元素均具有p轨道且这些p轨道形成共轭的官能基。芳基包括单环、非稠合多环及稠合多环官能基。在本文中，用语“稠合”意指一对碳原子由邻接的环共用。芳基还包括其中至少两个芳基通过σ键相互连接的联苯基(biphenyl group)、三联苯基(terphenyl group)、四联苯基(quaterphenyl group)等。芳基可指苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、基等。
[0037]在本文中，“亚烷氧基”可包括其中至少一个亚烷基连接到至少一个氧原子的所有官能基。例如，亚烷氧基可包括(亚烷基
‑
氧)
n
‑
亚烷基、(亚烷基
‑
氧
‑
亚烷基)
n
‑
亚烷基、亚烷基
‑
氧或
‑
(氧
‑
亚烷基)
n
‑
(其中n是1到10的整数)。
[0038]根据一个实施例，一种封装有机发光二极管的组合物包含：组分A：式1的化合物、式2的化合物及式3的化合物中的至少一者；组分B：非硅酮系光可固化多官能单体及硅酮系光可固化多官能单体中的至少一者；组分C：光可固化单官能单体；以及组分D：引发剂，其中以所述组分A、所述组分B、所述组分C及所述组分D的总计100重量份计，存在0.01重量份到10重量份的量的所述式1的化合物、所述式2的化合物及所述式3的化合物中的至少一者。在此含量范围内，封装组合物可降低在420nm(纳米)的波长下、优选地在410nm的波长下、更优选地在405nm的波长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装有机发光二极管的组合物，包含：组分A：式2的化合物及式3的化合物中的至少一者；组分B：非硅酮系光可固化多官能单体及硅酮系光可固化多官能单体中的至少一者；组分C：光可固化单官能单体；以及组分D：引发剂，其中以所述组分A、所述组分B、所述组分C及所述组分D的总计100重量份计，存在0.01重量份到10重量份的量的所述式2的化合物及所述式3的化合物中的至少一者：<式2>其中R
20
为R
21
为氢、经取代或未经取代的C1到C
50
烃基、烃基、R
22
及R
23
为经取代或未经取代的C1到C
50
烃基或者含有至少一个O、N或S原子团的经取代或未经取代的C1到C
50
烃基，R
25
、R
26
、R
27
及R
28
各自独立地为氢、卤素基团、CN、NO2或NH2，X为
‑
O
‑
或
‑
N
‑
E1‑
，E1为氢、经取代或未经取代的C1到C
50
烃基、含有至少一个F、Cl、Br、I、O、N、S、P或Si原子团的经取代或未经取代的C1到C
50
烃基、烃基、R
24
为经取代或未经取代的C1到C
50
烃基或经含有至少一个O或N原子团取代或未经取代的的C1到C
50
烃基，Q为直链或支链的C2到C
20
亚烷基、含有插入其中的
‑
O
‑
、NH或NR
34
中的至少一者的直链或支链的C2到C
20
亚烷基、C5到C
10
亚环烷基、对亚苯基、
L为C1到C
12
亚烷基、C2到C
12
亚烷基、C5到C7亚环烷基、苯亚甲基或对亚二甲苯基，且*为所述式2的化合物的芳族的碳的连接位点；<式3>其中R1为经取代或未经取代的C1到C
10
烷基、经取代或未经取代的C6到C
20
芳基或者经取代或未经取代的C7到C
20
芳基烷基，R2为经取代或未经取代的C6到C
20
芳基，R3为经取代或未经取代的C1到C
10
亚烷基或者经取代或未经取代的C1到C
10
亚烷氧基，且R4为氢或者经取代或未经取代的C1到C5烷基。2.根据权利要求1所述的封装有机发光二极管的组合物，其中通过对所述封装有机发光二极管的组合物进行光固化而形成的有机层在405nm的波长下具有20％或小于20％的透光率。3.根据权利要求1所述的封装有机发光二极管的组合物，其中所述式2的化合物由式2
‑
1到式2
‑
12中的至少一者表示：<式2
‑
1><式2
‑
2>
<式2
‑
3><式2
‑
4><式2
‑
5><式2
‑
6><式2
‑
7><式2
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：南成龙，韩明淑，李知娟，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：