本申请涉及连接器的技术领域，具体公开了一种大功率耐高低温低互调直角弯头连接器，包括壳体，壳体的两端分别为壳体前段和壳体后段，壳体前段和壳体后段呈夹角设置；壳体内设置有弯针，壳体后段可拆卸连接有电缆组件，电缆组件与弯针电性连接；壳体前段内设置有套设于弯针外部的前段绝缘子，壳体后段内设置有套设于弯针外部的后段绝缘子，前段绝缘子和后段绝缘子全填充壳体内部。提高了高低温环境下工作时性能的稳定性，降低了大功率下发生微放电的风险，可在高低温环境下容纳较大功率，实现空间小间隙位置的安装连接，抑制高电平无源互调效应的产生。调效应的产生。调效应的产生。
【技术实现步骤摘要】
一种真空大功率低PIM射频连接器
[0001]本申请涉及连接器的
，特别是一种真空大功率低PIM射频连接器。
技术介绍
[0002]现有低PIM射频连接器，主要为三元合金传统绝缘支撑结构，连接器接触件采用了两瓣开槽结构，产品只可用于地面环境，功率耐受能力差，高功率下PIM抑制性能差，装配调试复杂，降低了整个产品的可靠性，不能满足空间环境等复杂情况下的使用要求。
技术实现思路
[0003]本专利技术的技术解决问题是：克服现有技术的不足，提供了一种真空高功率耐受性能的低PIM射频连接器，克服产品在高低温环境下工作时性能的不稳定性，提高在真空环境下耐高功率抑制放电的能力，同时抑制高电平无源互调效应的产生。
[0004]本专利技术的技术解决方案是：
[0005]一种真空大功率低PIM射频连接器，包括壳体；
[0006]绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ，位于壳体内且沿着壳体轴线依次设置；
[0007]插针，穿过绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ，两端用于与公头电器互联；
[0008]连接件Ⅰ和连接件Ⅱ，设置于壳体的两端，用于将绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ固定在壳体内，且与公头配合连接；
[0009]插针的周向开设有环形的凹陷台阶，绝缘子Ⅱ卡设于凹陷台阶，绝缘子Ⅱ的两个端面开设有环槽，绝缘子Ⅰ和绝缘子Ⅲ抵接于绝缘子Ⅱ的端面与环槽相适配。
[0010]通过上述技术方案，绝缘子Ⅱ的剖面为两个“工”字形，这种结构分别与绝缘子Ⅰ及绝缘子Ⅲ配合时，有效增加了接触面积，既增加了大功率作业时连接器内外导体间的爬电距离，降低了真空大功率时的放电风险，又有利于大功率工作时抑制无源互调效应的产生。
[0011]具体的，所述插针双端具有中心孔，中心孔为四瓣开槽弹性收口结构，待对接的公头低PIM射频连接器插针插入此中心孔中进行电气互联。
[0012]所述绝缘子Ⅱ开设有装配槽，装配槽沿着绝缘子Ⅱ的轴线方向贯穿绝缘子Ⅱ，装配槽从绝缘子Ⅱ的边缘贯穿绝缘子直径的四分之三至五分之四。
[0013]所述绝缘子Ⅱ与绝缘子Ⅱ的材质不同。
[0014]所述绝缘子Ⅰ和绝缘子Ⅲ的材料为聚四氟乙烯，绝缘子Ⅱ的材料为聚醚酰亚胺。
[0015]所述壳体内腔包括顺序布置的第一腔、第二腔、第五腔、第三腔和第四腔，第一腔、第二腔、第五腔的内径逐渐减小，第一腔和第四腔内径相等，第二腔和第三腔内径相等；第一腔、第二腔、第五腔、第三腔和第四腔的5个腔室中，相邻两个腔室之间依次形第一台阶、第二台阶、第三台阶及第四台阶；绝缘子Ⅱ的端面与第二台阶抵接；绝缘子Ⅰ位于绝缘子Ⅱ背离第二台阶的一端；绝缘子Ⅲ与第三台阶和绝缘子Ⅱ抵接。
[0016]所述壳体的外壁两端布置第一螺纹台阶以及第二螺纹台阶，用于与待对接的公头低PIM射频连接器配合连接。
[0017]所述环槽的外径小于第五腔的内径。
[0018]所述连接件Ⅰ为压套Ⅰ，连接件Ⅱ为压套Ⅱ，压套Ⅰ和压套Ⅱ的结构和尺寸相同，压套Ⅰ位于第一腔内且压套Ⅰ的端面抵接于第一台阶，压套Ⅰ与壳体过盈配合，压套Ⅱ位于第四腔内且压套Ⅱ的端面抵接于第四台阶，压套Ⅱ与壳体过盈配合。
[0019]所述压套Ⅰ和压套Ⅱ结构和尺寸完全一致，中心腔为六瓣开槽弹性收口结构，待对接的公头低PIM射频连接器外导体插入此腔体中进行电气互联。
[0020]所述压套Ⅰ和压套Ⅱ相对于壳体的过盈尺寸量为0.01～0.03mm。有利于控制压套Ⅰ、压套Ⅱ外径与壳体内圆的接触压力和接触面积，有效降低了在高低温下大功率作业时连接器产生的无源互调电平。
[0021]所述压套Ⅰ、压套Ⅱ进入壳体内时，推动力矩为5.0N
·
cm～8.0N
·
cm。有利于控制压套Ⅰ、压套Ⅱ前端端面与壳体内第一台阶、第四台阶之间的接触压力和接触面积，有效降低了在高低温下大功率作业时连接器产生的无源互调电平。
[0022]所述壳体外设置有散热片，散热片包括套筒和多个鳍片，套筒通过导热胶粘接于壳体外表面，鳍片位于套筒的外表面，相邻鳍片之间的间距为3～8mm。该鳍片间距下，能确保自然对流顺利。
[0023]优选的，所述鳍片数量为4片。
[0024]优选的，所述散热片表面可做耐酸铝(Alumite)或阳极处理，可以增加辐射性能而增加散热片的散热效能。
[0025]所述套筒的外表面从中间到两端，直径逐渐减小。使得套筒的表面中部突起，可增加散热面积，这种结构能够保证在高温+150℃下，连接器可以承受千瓦以上的大功率作业，其散热性能能保证连接器内部绝缘支撑不受损伤，且有利于降低连接器在高低温下大功率作业时连接器产生的无源互调电平。
[0026]所述压套Ⅰ、压套Ⅱ及壳体、散热片的材料为无磁性铜合金，压套Ⅰ、压套Ⅱ及壳体、散热片采用非磁性涂覆工艺进行镀金得到镀金层，镀金层厚度为0.3～0.4mm。有利于抑制在高低温下大功率作业时无源互调电平尖峰的产生。
[0027]具体的，所述非磁性涂覆工艺可以为电镀金工艺。
[0028]综上所述，本申请至少包括以下有益技术效果：
[0029](1)本专利技术由于采用了双介质支撑绝缘锁紧方式实现连接器的结构高可靠性和性能高稳定性。
[0030](2)本专利技术采用壳体外设置散热片的设计方式，实现真空大功率工作时散热可靠性，保证高低温时器件内部的温差值稳定，提高连接器的功率耐受能力。
[0031](3)本专利技术设计了PIM抑制的材料选型、装配压力控制和镀层选择，极大的提高了产品整体的无源互调抑制性能，无源互调抑制能力可以达到
‑
160dBc＠2*200W(
‑
100℃～+150℃)。
附图说明
[0032]图1为本专利技术具体实施方式中连接器的整体外形结构示意图；
[0033]图2为本专利技术连接器整体结构过壳体轴线的剖面结构示意图；
[0034]图3为本专利技术连接器整体结构爆炸结构示意图；
[0035]图4a为本专利技术绝缘子Ⅰ右侧示意图；
[0036]图4b为本专利技术绝缘子Ⅰ左侧示意图；
[0037]图5为本专利技术绝缘子Ⅱ示意图；
[0038]图6a为本专利技术绝缘子Ⅲ左侧示意图；
[0039]图6b为本专利技术绝缘子Ⅲ右侧示意图；
[0040]图7为本专利技术压套示意图；
[0041]图8a为本专利技术壳体外形结构示意图；
[0042]图8b为本专利技术壳体剖面示意图；
[0043]图9为本专利技术散热片示意图；
[0044]图10为本专利技术公头接电缆连接器整体结构剖面示意图；
[0045]附图标记说明：1、壳体；2、压套Ⅰ；3、绝缘子Ⅰ；4、散热片；5、绝缘子Ⅱ；6、绝缘子Ⅲ；7、插针；8、压套Ⅱ；
[0046]71、收口结构；72、凹陷台阶；
[0047]11、第一螺纹台阶；12、外壁、11、第二螺纹台阶；
[0048]13、第一台阶；14、第二台阶；15、第三台本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：包括壳体1，壳体1内部中空；绝缘子Ⅰ3、绝缘子Ⅱ5、绝缘子Ⅲ6，位于壳体1内且沿着壳体1轴线依次设置；插针7，穿过绝缘子Ⅰ3、绝缘子Ⅱ5、绝缘子Ⅲ6，两端用于与公头电气互联；连接件Ⅰ和连接件Ⅱ，设置于壳体1的两端，用于将绝缘子Ⅰ3、绝缘子Ⅱ5、绝缘子Ⅲ6固定在壳体1内，且与公头配合连接；插针7的周向开设有环形的凹陷台阶72，绝缘子Ⅱ5卡设于凹陷台阶72，绝缘子Ⅱ5的两个端面开设有环槽51，绝缘子Ⅰ3和绝缘子Ⅲ6抵接于绝缘子Ⅱ5的端面与环槽51相适配。2.根据权利要求1所述的一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：所述绝缘子Ⅱ5开设有装配槽52，装配槽52沿着绝缘子Ⅱ5的轴线方向贯穿绝缘子Ⅱ5，装配槽52从绝缘子Ⅱ5的边缘贯穿绝缘子直径的四分之三至五分之四。3.根据权利要求1所述的一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：所述绝缘子Ⅰ3和绝缘子Ⅲ6的材料为聚四氟乙烯，绝缘子Ⅱ5的材料为聚醚酰亚胺。4.根据权利要求1所述的一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：所述壳体1内腔包括顺序布置的第一腔171、第二腔172、第五腔、第三腔173和第四腔174，第一腔171、第二腔172、第五腔的内径逐渐减小，第一腔171和第四腔174内径相等，第二腔172和第三腔173内径相等；第一腔171、第二腔172、第五腔、第三腔173和第四腔174的5个腔室中，相邻两个腔室之间依次形第一台阶13、第二台阶14、第三台阶15及第四台阶16；绝缘子Ⅱ5的端面与第二台阶14抵接；绝缘子Ⅰ3位于绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：童利君，孙永生，李翔，蔡立兵，谢乾，
申请(专利权)人：中国航天时代电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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