一种真空大功率低PIM射频连接器制造技术

本申请涉及连接器的技术领域，具体公开了一种大功率耐高低温低互调直角弯头连接器，包括壳体，壳体的两端分别为壳体前段和壳体后段，壳体前段和壳体后段呈夹角设置；壳体内设置有弯针，壳体后段可拆卸连接有电缆组件，电缆组件与弯针电性连接；壳体前段内设置有套设于弯针外部的前段绝缘子，壳体后段内设置有套设于弯针外部的后段绝缘子，前段绝缘子和后段绝缘子全填充壳体内部。提高了高低温环境下工作时性能的稳定性，降低了大功率下发生微放电的风险，可在高低温环境下容纳较大功率，实现空间小间隙位置的安装连接，抑制高电平无源互调效应的产生。调效应的产生。调效应的产生。

【技术实现步骤摘要】
一种真空大功率低PIM射频连接器


[0001]本申请涉及连接器的
，特别是一种真空大功率低PIM射频连接器。

技术介绍

[0002]现有低PIM射频连接器，主要为三元合金传统绝缘支撑结构，连接器接触件采用了两瓣开槽结构，产品只可用于地面环境，功率耐受能力差，高功率下PIM抑制性能差，装配调试复杂，降低了整个产品的可靠性，不能满足空间环境等复杂情况下的使用要求。

技术实现思路

[0003]本专利技术的技术解决问题是：克服现有技术的不足，提供了一种真空高功率耐受性能的低PIM射频连接器，克服产品在高低温环境下工作时性能的不稳定性，提高在真空环境下耐高功率抑制放电的能力，同时抑制高电平无源互调效应的产生。
[0004]本专利技术的技术解决方案是：
[0005]一种真空大功率低PIM射频连接器，包括壳体；
[0006]绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ，位于壳体内且沿着壳体轴线依次设置；
[0007]插针，穿过绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ，两端用于与公头电器互联；
[0008]连接件Ⅰ和连接件Ⅱ，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：包括壳体1，壳体1内部中空；绝缘子Ⅰ3、绝缘子Ⅱ5、绝缘子Ⅲ6，位于壳体1内且沿着壳体1轴线依次设置；插针7，穿过绝缘子Ⅰ3、绝缘子Ⅱ5、绝缘子Ⅲ6，两端用于与公头电气互联；连接件Ⅰ和连接件Ⅱ，设置于壳体1的两端，用于将绝缘子Ⅰ3、绝缘子Ⅱ5、绝缘子Ⅲ6固定在壳体1内，且与公头配合连接；插针7的周向开设有环形的凹陷台阶72，绝缘子Ⅱ5卡设于凹陷台阶72，绝缘子Ⅱ5的两个端面开设有环槽51，绝缘子Ⅰ3和绝缘子Ⅲ6抵接于绝缘子Ⅱ5的端面与环槽51相适配。2.根据权利要求1所述的一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：所述绝缘子Ⅱ5开设有装配槽52，装配槽52沿着绝缘子Ⅱ5的轴线方向贯穿绝缘子Ⅱ5，装配槽52从绝缘子Ⅱ5的边缘贯穿绝缘子直径的四分之三至五分之四。3.根据权利要求1所述的一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：所述绝缘子Ⅰ3和绝缘子Ⅲ6的材料为聚四氟乙烯，绝缘子Ⅱ5的材料为聚醚酰亚胺。4.根据权利要求1所述的一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：所述壳体1内腔包括顺序布置的第一腔171、第二腔172、第五腔、第三腔173和第四腔174，第一腔171、第二腔172、第五腔的内径逐渐减小，第一腔171和第四腔174内径相等，第二腔172和第三腔173内径相等；第一腔171、第二腔172、第五腔、第三腔173和第四腔174的5个腔室中，相邻两个腔室之间依次形第一台阶13、第二台阶14、第三台阶15及第四台阶16；绝缘子Ⅱ5的端面与第二台阶14抵接；绝缘子Ⅰ3位于绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：童利君，孙永生，李翔，蔡立兵，谢乾，
申请(专利权)人：中国航天时代电子有限公司，
类型：发明
国别省市：