一种用于提高单晶硅性能的永磁场设备制造技术

本实用新型专利技术涉及将永磁场运用到半导体硅的生产领域，一种用于提高单晶硅性能的永磁场设备，包括支腿，支腿上安装有导磁组件；导磁组件包括磁块、磁盒、轭板和连接组件，磁块安装在磁盒内，磁盒安装在轭板主要延伸面的中心位置；连接组件包括第一导磁板和第二导磁板，第二导磁板有两个，两个第二导磁板第一端面的侧面分别与第一导磁板的第一端面和第二端面连接，两个第二导磁板与第一导磁板连接后的形状为U形，两个磁盒内的磁块两磁极相对，产生的磁场为异极，构成U型磁系机构。本实用新型专利技术采用永磁体做为磁源，与电磁场相比，永磁场无耗能且没有噪音，同时具有稳定的磁场。永磁场占用面积和空间小，还具有节能环保以及不需要维护的优点。优点。优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高单晶硅性能的永磁场设备


[0001]本技术涉及将永磁场运用到半导体硅的生产领域，具体领域为一种用于提高单晶硅性能的永磁场设备。

技术介绍

[0002]近年来，随着我国科技水平的快速发展，光伏、能源、大规模集成电路等行业对单晶硅材料的用量越来多，同时对硅材料的性能参数要求也越来越高。单晶硅的生产工艺也随之快速改进，其中磁场拉晶技术取得了较好的成果。
[0003]经大量现场调研后发现，生产单晶硅时所用的磁场有许多都采用电磁场，而电磁场有着高耗能、有噪音、磁场不稳定的缺点。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于提高单晶硅性能的永磁场设备，永磁场无耗能且没有噪音，同时具有稳定的磁场。
[0005]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种用于提高单晶硅性能的永磁场设备，包括支腿，所述支腿上安装有导磁组件；所述导磁组件包括磁块、磁盒、轭板和连接组件，所述磁块安装在磁盒内，所述轭板主要延伸面的面积大于磁盒主要延伸面的面积，所述磁盒安装在所述轭板主要延伸面的中心位置；所述连接组件包括第一导磁板和第二导磁板，所述第二导磁板有两个，两个所述第二导磁板第一端面的侧面分别与所述第一导磁板的第一端面和第二端面连接，两个所述第二导磁板长度的延伸方向与所述第一导磁板长度的延伸方向垂直，两个所述第二导磁板与所述第一导磁板连接后的形状为U形，所述第一导磁板和两个所述第二导磁板长度的延伸方向均平行于地面；两个所述第二导磁板的第二端面分别与两个所述轭板的一个端面连接，使两个安装在所述轭板上的所述磁盒对向放置，且所述轭板的主要延伸面垂直于地面，两个所述磁盒内的所述磁块两磁极相对，产生的磁场为异极，构成U型磁系机构。
[0006]优选的，所述磁盒为矩形扁状盒体，所述磁盒包括底板、侧板、盖板和隔板；所述磁盒的一个主要延伸面为所述底板，所述底板的一面与所述轭板的主要延伸面的中心位置连接，所述底板的另一面上设有所述侧板，所述侧板构成所述磁盒的侧面，所述磁盒的另一个主要延伸面敞开，上面设有一个能覆盖敞开面的所述盖板；所述底板、所述侧板和所述盖板共同合围成一个腔体，所述隔板安装在所述腔体内，使所述腔体划分出四个空间。
[0007]优选的，所述支腿有若干个，均匀分布在所述导磁组件的下方。
[0008]优选的，所述磁块有若干个，紧密排列于所述磁盒内构成磁系。
[0009]使用本技术的有益效果是：
[0010]本技术采用永磁体做为磁源，与电磁场相比，永磁场无耗能且没有噪音，同时具有稳定的磁场。永磁场占用面积和空间小，还具有节能环保以及不需要维护的优点。
附图说明
[0011]图1为本技术的主视结构示意图；
[0012]图2为本技术的顶视结构示意图；
[0013]图3为本技术中导磁组件的结构示意图；
[0014]图4为本技术中磁盒的结构示意图。
[0015]附图标记包括：
[0016]1‑
支腿、2
‑
磁块、3
‑
磁盒、31
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底板、32
‑
侧板、33
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盖板、34
‑
隔板、4
‑
轭板、5
‑
第一导磁板、6
‑
第二导磁板。
具体实施方式
[0017]为使本技术方案的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式，对本技术方案进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而不是要限制本技术方案的范围。
[0018]请参阅图1
‑
4，本技术提供一种技术方案：一种用于提高单晶硅性能的永磁场设备，包括支腿1，支腿1上安装有导磁组件；导磁组件包括磁块2、磁盒3、轭板4和连接组件，磁块2安装在磁盒3内，轭板4主要延伸面的面积大于磁盒3主要延伸面的面积，磁盒3安装在轭板4主要延伸面的中心位置；连接组件包括第一导磁板5和第二导磁板6，第二导磁板6有两个，两个第二导磁板6第一端面的侧面分别与第一导磁板5的第一端面和第二端面连接，两个第二导磁板6长度的延伸方向与第一导磁板5长度的延伸方向垂直，两个第二导磁板6与第一导磁板5连接后的形状为U形，第一导磁板5和两个第二导磁板6长度的延伸方向均平行于地面；两个第二导磁板6的第二端面分别与两个轭板4的一个端面连接，使两个安装在轭板4上的磁盒3对向放置，且轭板4的主要延伸面垂直于地面，两个磁盒3内的磁块2两磁极相对，产生的磁场为异极，构成U型磁系机构。磁块2属于永磁场，与电磁场相比，永磁场无耗能且没有噪音，永磁场的磁场稳定。永磁场占用面积和空间小，还具有节能环保以及不需要维护的优点。
[0019]具体而言，磁盒3为矩形扁状盒体，磁盒3包括底板31、侧板32、盖板33和隔板34；磁盒3的一个主要延伸面为底板31，底板31的一面与轭板4的主要延伸面的中心位置连接，底板31的另一面上设有侧板32，侧板32构成磁盒3的侧面，磁盒3的另一个主要延伸面敞开，上面设有一个能覆盖敞开面的盖板33；底板31、侧板32和盖板33共同合围成一个腔体，隔板34安装在腔体内，使腔体划分出四个空间，这样可以方便安装磁块。磁盒3还设有将磁盒3两开口端封住的堵板，以及将整个磁系包覆的磁极罩，磁极罩的作用是保护磁系不被腐蚀破坏。堵板的作用装完磁块后，把磁块整个封闭在磁盒里；磁极罩是保护磁极的，整个包覆在磁盒外面。
[0020]具体而言，支腿1有若干个，均匀分布在导磁组件的下方，若干支腿1能为导磁组件提供稳定的支撑。
[0021]具体而言，磁块2有若干个，紧密排列于磁盒3内构成磁系，两个磁盒3内的若干磁块2能够产生异极的磁场。
[0022]工作原理：本技术安装于单晶炉外围，两磁极中心对准单晶炉拉晶位置，两个磁盒3内的若干磁块2产生异极的磁场，拉晶时磁力线会穿过单晶炉，使单晶炉中的液态硅
受磁场力作用，在磁场力的作用下，阻滞流体的热对流，从而提高单晶硅的晶体性能和均匀性。
[0023]以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本
技术实现思路
的思想，在具体实施方式及应用范围上可以作出许多变化，只要这些变化未脱离本技术的构思，均属于本专利的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提高单晶硅性能的永磁场设备，其特征在于：包括支腿(1)，所述支腿(1)上安装有导磁组件；所述导磁组件包括磁块(2)、磁盒(3)、轭板(4)和连接组件，所述磁块(2)安装在磁盒(3)内，所述轭板(4)主要延伸面的面积大于磁盒(3)主要延伸面的面积，所述磁盒(3)安装在所述轭板(4)主要延伸面的中心位置；所述连接组件包括第一导磁板(5)和第二导磁板(6)，所述第二导磁板(6)有两个，两个所述第二导磁板(6)第一端面的侧面分别与所述第一导磁板(5)的第一端面和第二端面连接，两个所述第二导磁板(6)长度的延伸方向与所述第一导磁板(5)长度的延伸方向垂直，两个所述第二导磁板(6)与所述第一导磁板(5)连接后的形状为U形，所述第一导磁板(5)和两个所述第二导磁板(6)长度的延伸方向均平行于地面；两个所述第二导磁板(6)的第二端面分别与两个所述轭板(4)的一个端面连接，使两个安装在所述轭板(4)上的所述磁盒(3)对向放置，且所述轭板(4)的主要延伸面垂直于地面，两个所述磁盒(3)内的所述磁块(2)两磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢秉钊，蒙剑华，吴永博，
申请(专利权)人：抚顺赛瑞特环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：