有机发光二极管及包括其的显示设备制造技术

本公开涉及有机发光二极管及包括其的显示设备。该显示设备包括：像素电极，设置在基板上；相对电极，设置成面对像素电极；第一发射层和第二发射层，第二发射层设置在第一发射层上，并且第一发射层和第二发射层在像素电极和相对电极之间彼此重叠；以及电荷产生层，设置在第一发射层和第二发射层之间，其中，电荷产生层包括n型电荷产生层、p型电荷产生层和设置在n型电荷产生层和p型电荷产生层之间的金属间层，以及金属间层包括具有约

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管及包括其的显示设备
[0001]相关申请的相交引用
[0002]本申请要求于2020年12月24日提交的第10
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2020
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0183751号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请如同在本文中完全阐述一样，通过引用并入本文中用于所有目的。


[0003]本专利技术的实施方式大体涉及有机发光二极管和包括该有机发光二极管的显示设备，并且更具体地，涉及具有低驱动电压、高效率和长寿命的有机发光二极管和包括该有机发光二极管的显示设备。

技术介绍

[0004]在显示设备之中，有机发光显示设备作为下一代显示设备不仅由于其宽的视角和优异的对比度，而且由于其迅速的响应速度而引起关注。
[0005]通常，在有机发光显示设备中，薄膜晶体管和有机发光二极管(有机发光元件)布置在基板上，并且有机发光二极管通过自身发射光。有机发光显示设备用作诸如移动电话的小型产品的显示单元，并且也用作诸如电视的大型产品的显示单元。
[0006]有机发光二极管可以具有其中第一电极布置在基板上且空穴传输区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示设备，包括：像素电极，设置在基板上；相对电极，设置成面对所述像素电极；第一发射层和第二发射层，所述第二发射层设置在所述第一发射层上，并且所述第一发射层和所述第二发射层在所述像素电极和所述相对电极之间彼此重叠；以及电荷产生层，设置在所述第一发射层和所述第二发射层之间，其中：所述电荷产生层包括n型电荷产生层、p型电荷产生层、以及设置在所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层之间的金属间层；以及所述金属间层包括具有
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6.0eV至
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3.5eV的功函数的金属。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属间层的厚度在至的范围内。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属间层的厚度小于所述n型电荷产生层的厚度和所述p型电荷产生层的厚度。4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属间层包括铋(Bi)、镁(Mg)和锌(Zn)中的至少一种。5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属间层包括单个层。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属间层包括分散在所述n型电荷产生层上的金属颗粒。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层在至少一些区域中彼此接触，并且所述金属间层位于所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层之间。8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述n型电荷产生层包括有机半导体材料和金属掺杂剂。9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述金属掺杂剂包括具有小于
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3eV的功函数的金属。10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述金属掺杂剂包括基于镧的金属和碱金属中的至少一种。11.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述金属掺杂剂包括锂(Li)、镱(Yb)、镝(Dy)、铕(Eu)和钐(Sm)中的至少一种。12.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述有机半导体材料与所述金属掺杂剂的体积比为99：1至90：10。13.根据权利要求1所述的显示设备，其中：所述p型电荷产生层包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料；以及所述第一有机半导体材料与所述第二有...

【专利技术属性】
技术研发人员：李学忠，李智慧，韩明锡，金东赞，贾允硕，文智永，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：