单功率相降压和升压转换器制造技术

技术编号:33948000 阅读:42 留言:0更新日期:2022-06-29 21:47
本申请涉及单功率相降压和升压转换器。在示例中,一种装置包括晶体管(206)、开关(202)、二极管(216)、电容器(222)、分压器(218/220)、第二晶体管(226)、电阻器(224)和控制器(210)。晶体管具有晶体管漏极、晶体管源极和晶体管栅极。开关适于通过电感器(228)将电源(110)耦合到晶体管漏极。二极管具有阴极和阳极,二极管阴极耦合到晶体管漏极。电容器耦合在二极管阳极和接地(236)之间。分压器耦合在二极管阳极和接地之间,并具有分压器输出。第二晶体管具有第二晶体管源极和第二晶体管栅极。电阻器耦合在二极管阳极和第二晶体管源极之间。控制器耦合到晶体管栅极、晶体管源极、分压器输出、二极管阳极、第二晶体管栅极和第二晶体管源极。第二晶体管栅极和第二晶体管源极。第二晶体管栅极和第二晶体管源极。

【技术实现步骤摘要】
单功率相降压和升压转换器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月10日提交的标题为“Driver Monitoring System Dual Boost To Buck Single Power Stage”的美国临时专利申请第63/123,559号的优先权,该申请通过引用其整体并入本文。

技术介绍

[0003]诸如可以在汽车或其他交通工具中实施的操作员感知(awareness)或监控系统可以包括相机和红外(IR)发光二极管(LED)。IR LED可以由驱动器驱动,该驱动器大约在相机捕获照片时向IR LED提供电流脉冲,使得基于IR LED照亮照片中捕获的环境的至少一部分。驱动器可以包括功率转换器或接收基于功率转换器的功率。

技术实现思路

[0004]在一个示例中,一种装置包括第一晶体管、开关、二极管、电容器、分压器、第二晶体管、电阻器和控制器。第一晶体管具有第一晶体管漏极、第一晶体管源极和第一晶体管栅极。开关适于通过电感器将电源耦合到第一晶体管漏极。二极管具有二极管阴极和二极管阳极,二极管阴极耦合到第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置,包括:第一晶体管,其具有第一晶体管漏极、第一晶体管源极和第一晶体管栅极;开关,其适于通过电感器将电源耦合到所述第一晶体管漏极;二极管,其具有二极管阴极和二极管阳极,所述二极管阴极耦合到所述第一晶体管漏极;电容器,其耦合在所述二极管阳极和接地之间;分压器,其耦合在所述二极管阳极和接地之间,并具有分压器输出;第二晶体管,其具有第二晶体管源极和第二晶体管栅极;电阻器,其耦合在所述二极管阳极和所述第二晶体管源极之间;以及控制器,其耦合到所述第一晶体管栅极、所述第一晶体管源极、所述分压器输出、所述二极管阳极、所述第二晶体管栅极和所述第二晶体管源极。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二晶体管具有适于耦合到负载的第二晶体管漏极。3.根据权利要求1所述的装置,还包括第三晶体管,其具有第三晶体管漏极、第三晶体管源极和第三晶体管栅极,所述第三晶体管漏极耦合到所述第一晶体管漏极,所述第三晶体管源极耦合到所述控制器,并且所述第三晶体管栅极耦合到所述控制器。4.根据权利要求3所述的装置,其中所述电阻器是第一电阻器,所述装置还包括耦合在所述第三晶体管源极和接地之间的第二电阻器。5.根据权利要求1所述的装置,其中所述电阻器是第一电阻器,所述装置还包括耦合在所述第一晶体管源极和接地之间的第二电阻器。6.根据权利要求1所述的装置,其中:所述控制器被配置为响应于接收到具有有效值的控制信号:根据恒压控制在升压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用以对从所述电源接收的信号的值进行升压以对所述电容器充电,并且所述控制器被配置为响应于接收到具有无效值的所述控制信号:根据恒流控制在降压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用,以使所述电容器通过所述电阻器和所述第二晶体管放电。7.一种装置,包括:第一晶体管,其具有第一晶体管漏极、第一晶体管源极和第一晶体管栅极,所述第一晶体管漏极适于耦合到电感器;二极管,其具有二极管阴极和二极管阳极,所述二极管阴极耦合到所述第一晶体管漏极;电容器,其耦合在所述二极管阳极和接地之间;分压器,其耦合在所述二极管阳极和接地之间,并具有分压器输出;第二晶体管,其具有第二晶体管源极和第二晶体管栅极;电阻器,其耦合在所述二极管阳极和所述第二晶体管源极之间;以及控制器,其耦合到所述第一晶体管栅极、所述第一晶体管源极、所述分压器输出、所述二极管阳极、所述第二晶体管栅极和所述第二晶体管源极,所述控制器被配置为在升压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用以对从所述电源接收的信号的值进
行升压以对所述电容器充电。8.根据权利要求7所述的装置,其中所述控制器被配置为在降压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用,以使所述电容器通过所述电阻器和所述第二晶体管放电。9.根据权利要求8所述的装置,其中所述控制器被配置为根据恒流控制在所述降压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用。10....

【专利技术属性】
技术研发人员:T
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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