【技术实现步骤摘要】
抗静电聚酯组合物及其制备方法、聚酯薄膜
[0001]本专利技术涉及一种抗静电性优良、抗静电的湿度依存性低的抗静电聚酯组合物及其制备方法，和由该抗静电聚酯组合物制备得到的抗静电性优良、透明性好的聚酯薄膜。
技术介绍
[0002]聚酯薄膜因为优良的透明性、尺寸稳定性、机械特性、耐热性，电绝缘性、耐药性等，在包装材料、光学材料、磁性材料等很多的领域都有着广泛的应用，拥有很大的市场。
[0003]普通聚酯薄膜的表面比电阻为10
14
～10
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Ω/
□
，因摩擦、接触等很容易产生静电。因为静电的问题，导致薄膜在加工时走形性不良，或者作为制品使用时周围的灰尘容易吸附在薄膜的表面上等问题的发生。而且因为普通聚酯薄膜的表面比电阻高，薄膜表面上带上的静电荷不能马上释放，这限制了聚酯薄膜在一些对抗静电性要求比较高的领域的应用。
[0004]由于上述问题的存在，目前本领域技术人员提出了一些提高聚酯薄膜抗静电性的解决方案。比如在薄膜上涂布静电剂，但是这种方法对生产的要求比较高，且长时间的使用抗静电剂会从涂布层中脱落导致抗静电性能变差。或者，在聚酯中添加直链烷基磺酸盐类界面活性剂或聚醚类化合物作为抗静电剂以此达到抗静电目的。但是前述抗静电剂需要在一定温度湿度下才能达到一定的抗静电性，而直链烷基磺酸盐类界面活性剂和聚醚类化合物的吸湿性又不好，因此为了获得满意的抗静电性，需要添加大量的前述抗静电剂。而大量抗静电剂在聚酯中分散性不好，容易形成异物，影响薄膜的透明性。日本专利特开2...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.抗静电聚酯组合物，主要由芳香族二元羧酸单元和脂肪族二元醇单元构成，其特征是：所述聚酯组合物中含有相对于聚酯组合物总量0.05～10.00wt%的如式1所示仲烷基磺酸盐；所述聚酯组合物在20℃、65RH%下放置24h后的表面比电阻R1在10
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Ω／
□
以下，Log10（R2）与Log10（R1）的差值在2.0以下，所述R2为所述聚酯组合物在25℃、40RH%下放置24h后的表面比电阻；R1SO3M
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式1，式1中R1为碳原子数8～22的仲烷基，M为碱金属Li、Na或K。2.根据权利要求1所述抗静电聚酯组合物，其特征是：所述聚酯组合物中含有相对于聚酯组合物总量0.10～20.00wt%的如式2所示磺酸盐基团，式2，式2中，R2为碳原子数2～20的脂烃基或芳烃基，Z为碱金属Li、Na或K。3.根据权利要求1所述抗静电聚酯组合物，其特征是：所述如式1所示仲烷基磺酸盐的含量相对于聚酯组合物总量为0.10～8.00wt%。4.根据权利要求1所述抗静电聚酯组合物，其特征是：所述R1为碳原子数12～18的仲烷基。5.根据权利要求1或2所述的抗静电聚酯组合物，其特征是：所述如式1所示仲烷基磺酸盐和如式2所示磺酸盐基团的摩尔比为0.10～2.00。6.根据权利要求1或2所述的抗静电聚酯组合物，其特征是：所述聚酯组合物中含有相对于聚酯组合物总量1～1500ppm的碱金属氢氧化物或碱金属醋酸盐。7.权利要求1所述抗静电聚酯组合物的制备方法，主要由芳香族二元羧酸或其酯化衍生物与脂肪族二元醇经过酯化或酯交换反应得到小分子聚合物,然后将小分子聚合物进行缩聚反应得到聚酯组合物，其特征是：在酯化或酯交换反应结束后到聚合反应结束之间的任意阶段添加相对于聚酯组合物总量0.05～10.00wt%的如式1所示仲烷基磺酸盐；R1SO3M
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式1，式1中R1为碳原子数8～22的仲烷基，M为碱金属Li、Na或K。8.根据权利要求7所述抗静电聚酯组合物的制备方法，其特征是：在酯化反应结束后到聚合反应结束的任意阶段添加相对于聚酯组合物总量0.10～20.00wt%的如式3所示磺酸盐，式3，式3中，R3、R4分别为羧基、甲酸甲酯基、甲酸乙酯基或甲酸乙二醇酯基，R2为碳原子数2～20的脂烃基或芳烃基，Z为碱金属Li、Na或K。9.根据权利要求7或8所述抗静电聚酯组合物的制备方法，其特征是：所述如式1所示仲烷基磺酸盐和式3所示磺酸盐的摩尔比为0.10～2.00。
10.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：祁华，左文艳，望月克彦，
申请(专利权)人：东丽纤维研究所中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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