氮化硼粒子及其制造方法技术

本发明专利技术的一个方面为氮化硼粒子的制造方法，其具备：反应工序，将包含硼酸酯的第1气体和包含氨的第2气体从筒状的反应器的一端面各自分别地导入反应器内，在反应器内，使硼酸酯与氨于750℃以上进行反应，得到氮化硼粒子的前体；和，加热工序，将氮化硼粒子的前体于1000℃以上进行加热，得到氮化硼粒子，在反应工序中，以反应器的侧面位于将第1气体导入反应器内的第1方向的延长线上的方式将第1气体导入反应器内，并且以反应器的侧面位于将第2气体导入反应器内的第2方向的延长线上的方式将第2气体导入反应器内。2气体导入反应器内。2气体导入反应器内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化硼粒子及其制造方法


[0001]本专利技术涉及氮化硼粒子及其制造方法。

技术介绍

[0002]在晶体管、晶闸管、CPU等电子部件中，将使用时产生的热高效地散热成为重要的问题。因此，与这样的电子部件一同使用具有高导热性的散热部件。另一方面，氮化硼粒子由于具有高导热性及高绝缘性，因而广泛用作散热部件中的填充材料。
[0003]例如，在使用氮化硼粒子作为将电子部件一次密封时的填充材料的情况下，为了使氮化硼粒子也进入电子部件周边的狭窄间隙，优选具有较小粒径的氮化硼粒子。例如，专利文献1中，公开了以平均粒径为0.01～1.0μm、取向性指数为1～15、氮化硼纯度为98.0质量％以上、及平均圆形度为0.80以上为特征的球状氮化硼微粒子及其制造方法。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2015/122379号

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]根据本申请的专利技术人的研究，在使用氮化硼粒子来如上所述地作为将电子部件一次密封时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.氮化硼粒子的制造方法，其具备：反应工序，将包含硼酸酯的第1气体和包含氨的第2气体从筒状的反应器的一端面各自分别地导入所述反应器内，在所述反应器内，使所述硼酸酯与所述氨于750℃以上进行反应，得到氮化硼粒子的前体；和加热工序，将所述氮化硼粒子的前体于1000℃以上进行加热，得到氮化硼粒子，在所述反应工序中，以所述反应器的侧面位于将所述第1气体导入所述反应器内的第1方向的延长线上的方式将所述第1气体导入所述反应器内，并且以所述反应器的侧面位于将所述第2气体导入所述反应器内的第2方向的延长线上的方式将所述第2气体导入所述反应器内。2.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大木麻菜，宫田建治，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：