磁场结构制造技术

本发明专利技术公开一种磁场结构，包括：两个磁极，其设于一导磁回路上且于该两个磁极之间形成容置一待测元件的空间；磁场源，用以于该空间中提供一磁场；以及光学定位元件，设于该两个磁极的其中一者中，用以对该待测元件进行光学定位。本发明专利技术的磁场结构可同时提供强磁场及精密定位的功能。密定位的功能。密定位的功能。

【技术实现步骤摘要】
磁场结构


[0001]本专利技术涉及一种磁场结构，尤其是涉及一种具有光学定位功能的磁场结构。

技术介绍

[0002]半导体元件尺寸日益微型化，使得每一电极面积也逐渐缩小且距离更短；此外，在进行电磁特性测试时，必须施加强磁场，以借由外部探针连接测量仪器来撷取待测元件的电磁特性参数。如此一来，外部探针更需要精密定位，才能有效地进行磁性检测。
[0003]在现有技术中，外部探针进行定位时所使用的光学定位元件，一般是设置于待测元件上方，而施加强磁场的磁极一般也是设置在待测元件上方。若是同时需要探针精密定位与施加强磁场的功能时，磁极与光学定位元件在空间上将会互相抵触而无法同时使用。
[0004]为解决该问题，现有以下解决方案：一是将光学定位元件斜向配置于磁极一侧；另一是进行探针定位时先将磁极移开，接着移入光学定位元件，完成探针定位后再移开光学定位元件，之后移入磁极。然而，将光学定位元件斜向配置的方式，经常造成角度视差、光距对焦不易而无法精准对位，导致测量耗时，且光学定位元件仅能从探针旁的微小空间导入光源进行测量，增加空间配置困难度；另外，将磁极及光学定位元件移动的方式，则有可能因为磁极及光学定位元件的移动而产生振动，造成定位后的探针移位，进而可能毁损待测元件上精细的电极等问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种磁场结构，可同时提供强磁场及精密定位的功能。
[0006]本专利技术的磁场结构包括：两个磁极，其设于一导磁回路上，且彼此相对设置以于该两个磁极之间形成容置一待测元件的空间；磁场源，用以于该空间中提供一磁场；以及光学定位元件，设于该两个磁极的其中一者中，用以对该待测元件进行光学定位。
附图说明
[0007]图1A为本专利技术的磁场结构的整体示意图；
[0008]图1B为图1A的磁场结构的局部剖面示意图；
[0009]图2A为本专利技术的磁场结构中磁极的第一实施例的立体示意图；
[0010]图2B为图2A的磁极的剖面示意图；
[0011]图3A为本专利技术的磁场结构中磁极的第二实施例的立体示意图；
[0012]图3B为图3A的磁极的剖面示意图；
[0013]图4A为本专利技术的磁场结构中磁极的第三实施例的立体示意图；
[0014]图4B为图4A的磁极的剖面示意图；
[0015]图5A及图5B为图2A及图2B的磁极的不同实施例的磁场模拟分析图；
[0016]图6A及图6B为图3A及图3B的磁极的不同实施例的磁场模拟分析图；
[0017]图7A及图7B为图4A及图4B的磁极的不同实施例的磁场模拟分析图；
[0018]图8A为本专利技术的磁场结构中磁极的第四实施例的立体示意图；
[0019]图8B为图8A的磁极的剖面示意图；
[0020]图9A为本专利技术的磁场结构中磁极的第五实施例的立体示意图；
[0021]图9B为图9A的磁极的剖面示意图；
[0022]图10A为本专利技术的磁场结构中磁极的第六实施例的立体示意图；
[0023]图10B为图10A的磁极的剖面示意图。
[0024]符号说明
[0025]1:磁场结构
[0026]11、12:磁极
[0027]111、111
’
:容纳孔
[0028]1111、1112、1113、1111
’
、1112
’
、1113
’
:圆柱状结构
[0029]112、113:段差
[0030]114:磁轴
[0031]13:导磁回路
[0032]14:线圈
[0033]15:光学定位元件
[0034]151:光轴
[0035]16:空间
[0036]2:待测元件
[0037]3:探针
[0038]3’
:探针座
[0039]4:测量仪器
[0040]D1、D11、D11
’
、D12、D13、D2:直径。
具体实施方式
[0041]以下借由特定的具体实施例加以说明本专利技术的实施方式，而熟悉此技术的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点和功效，也可借由其他不同的具体实施例加以施行或应用。
[0042]请同时参阅图1A及图1B，本专利技术的磁场结构1包括磁极11、12、导磁回路13、磁场源及光学定位元件15。磁极11、12分别设于导磁回路13的两端上，使磁极11、12彼此相对设置，以于磁极11、12之间形成空间16，该空间16可容置一待测元件2。
[0043]在一实施例中，磁极11、12可为圆锥状，例如为直径60mm逐渐缩减至直径10mm的圆锥状，或是如图2A及图2B所示的部分为圆柱状(直径D1为60mm)而部分靠近待测元件2的一端为圆锥状(从直径D1具有60mm渐缩至直径D2具有10mm)的组合，借以集中磁力线并增强磁场，但本专利技术并不以此为限。
[0044]磁场源用以于空间16中提供一磁场。在本实施例中，磁场源可例如为围绕于磁极12周围的线圈14通电流后所产生的电磁场。在其他实施例中，磁场源可以是永久磁石所产生的永磁场。本专利技术并不以上述为限。在空间16产生磁场后，即可借由探针3、探针座3
’
及测
量仪器4来撷取待测元件2的电磁特性参数。
[0045]光学定位元件15可设于磁极11、12的其中一者中，用以对待测元件2进行光学定位。以下以光学定位元件15设于磁极11中为例进行说明，但本专利技术并不限制光学定位元件15仅能设于磁极11中，也可设于磁极12中。
[0046]详细而言，磁极11可具有容纳孔111，用以容设光学定位元件15。在第一实施例中，如图2A及图2B所示，容纳孔111为圆柱状且为挖空状态，容纳孔111在直径D1一端具有直径D11，并贯通到直径D2一端而具有直径D12，其中，直径D11等于直径D12，且直径D1≥直径D2≥直径D11＝直径D12，并以垂直于待测元件2的方向而贯穿设于磁极11中，使得容纳孔111的两端外露于磁极11，亦即两端具有开口。在第二实施例中，如图3A及图3B所示，容纳孔111可为圆锥状且为挖空状态，例如从直径D11具有30mm逐渐缩小至直径D12具有5mm的圆锥状，直径D11大于直径D12，且直径D1≥直径D2≥直径D12；且直径D1≥直径D11>直径D12。再于第三实施例中，如图4A及图4B所示，容纳孔111可为具有至少一段差112、113的多个圆柱状结构1111、1112、1113且为挖空状态，例如分别由直径D11具有30mm(靠近直径D1一端)的圆柱状结构1113、直径D13具有10mm的圆柱状结构1112及直径D12具有5mm(靠近直径D2一端)的圆柱状结构1111所堆叠构成的结构，直径D13的圆柱状结构1112位于直径D11的圆柱状结构1113与直径D12的圆柱状结构1111之间，直径D1&本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场结构，其特征在于，包括：两个磁极，其设于导磁回路上，且彼此相对设置以于该两个磁极之间形成有用以容置待测元件的空间；磁场源，其用以于该空间中提供磁场；以及光学定位元件，其设于该两个磁极的其中一者中，用以对该待测元件进行光学定位。2.如权利要求1所述的磁场结构，其特征在于，该两个磁极的其中一者具有容纳孔，用以容设该光学定位元件。3.如权利要求2所述的磁场结构，其特征在于，该容纳孔以垂直于该待测元件的方向而贯穿设于该两个磁极的其中一者中，以使该容纳孔的两端外露于该两个磁极的该其中一者。4.如权利要求2所述的磁场结构，其特征在于，该容纳孔以垂直于该待测元件的方向而设于该两个磁极的其中一者中，以使该容纳孔的一端外露于该两个磁极的该其中一者，该容纳孔的另一端密封。5.如权利要求2所述的磁场结构，其特征在于，该容纳孔的直径与该容纳孔所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐敏注，汤士源，黄玉婷，杨明达，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：