显示装置及显示装置的制造方法制造方法及图纸

在显示装置中，在同一衬底上制造可以高速工作的电路和像素。显示装置的制造方法如下所述。在第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜、第一金属膜及岛状的第一抗蚀剂掩模。接着，在形成岛状的第一金属层和岛状的第一氧化物半导体层的同时使第一绝缘层的顶面的一部分露出，去除第一抗蚀剂掩模。接着，在第一金属层及第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜、第二金属膜及岛状的第二抗蚀剂掩模。接着，形成岛状的第二金属层和岛状的第二氧化物半导体层，去除第二抗蚀剂掩模。然后，去除第一金属层及第二金属层。属层。属层。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及显示装置的制造方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]显示装置的驱动电路为了实现显示部的高清晰化及多灰度化而被要求高性能化。因此，作为显示装置的驱动电路，尤其作为源极驱动器，采用使用单晶衬底制造的IC(Integrated Circuit：集成电路)(以下还称为驱动器IC)。
[0004]驱动器IC包括移位寄存器、锁存器、电平转换器、数字模拟转换电路(也称为DAC)及模拟缓冲器等。移位寄存器及锁存器为处理数字信号的电路，电平转换器及DAC为将数字信号转换为模拟信号的电路，模拟缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括含有第一氧化物半导体层的第一晶体管以及含有第二氧化物半导体层的第二晶体管，所述制造方法包括如下步骤：在第一衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜；在所述第一金属氧化物膜上形成第一金属膜；在所述第一金属膜上形成岛状的第一抗蚀剂掩模；去除所述第一金属膜及所述第一金属氧化物膜中没有被所述第一抗蚀剂掩模覆盖的部分，从而形成岛状的第一金属层和岛状的第一氧化物半导体层，使所述第一绝缘层的顶面的一部分露出；去除所述第一抗蚀剂掩模；在所述第一金属层及所述第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜；在所述第二金属氧化物膜上形成第二金属膜；在所述第二金属膜上的不与所述第一金属膜重叠的区域形成岛状的第二抗蚀剂掩模；去除所述第二金属膜及所述第二金属氧化物膜中没有被所述第二抗蚀剂掩模覆盖的部分，从而形成岛状的第二金属层和岛状的第二氧化物半导体层；去除所述第二抗蚀剂掩模；以及去除所述第一金属层及所述第二金属层。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中所述第一金属氧化物膜包含铟、锌及镓，所述第二金属氧化物膜包含铟，并且所述第二金属氧化物膜中的相对于金属元素的原子数的铟的原子数的比率高于所述第一金属氧化物膜的该比率。3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中所述第二金属氧化物膜包含铟、锌及镓，所述第一金属氧化物膜包含铟，并且所述第一金属氧化物膜中的相对于金属元素的原子数的铟的原子数的比率高于所述第二金属氧化物膜的该比率。4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中所述第一金属膜通过干蚀刻法进行蚀刻，所述第一金属氧化物膜通过湿蚀刻法进行蚀刻，所述第二金属膜通过干蚀刻法进行蚀刻，所述第二金属氧化物膜通过湿蚀刻法进行蚀刻，并且所述第一金属层和所述第二金属层通过湿蚀刻法进行蚀刻。5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中钨、钼或钛被用于所述第一金属膜和所述第二金属膜。6.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括含有第一氧化物半导体层的第一晶体管以及含有第二氧化物半导体层的第二晶体管，所述制造方法包括如下步骤：在第一衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜；
在所述第一金属氧化物膜上形成第一金属膜；在所述第一金属膜上形成岛状的第一抗蚀剂掩模；去除所述第一金属膜中没有被所述第一抗蚀剂掩模覆盖的部分，从而形成岛状的第一金属层；去除所述第一抗蚀剂掩模；去除所述第一金属氧化物膜中没有被所述第一金属膜覆盖的部分，从而形成岛状的第一氧化物半导体层，使所述第一绝缘层的顶面的一部分露出；在所述第一金属层及所述第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜；在所述第二金属氧化物膜上形成第二金属膜；在所述第二金属膜上的不与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，保坂泰靖，增山光男，冈崎健一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：