发光电路制造技术

一种发光电路包括发光单元、驱动晶体管以及旁通电路。驱动晶体管用以驱动发光单元。旁通电路转移自驱动晶体管流向发光单元的电流。通电路转移自驱动晶体管流向发光单元的电流。通电路转移自驱动晶体管流向发光单元的电流。

【技术实现步骤摘要】
发光电路


[0001]本公开是有关于一种发光电路，特别是有关于一种具有旁通电路的发光电路，可降低发光单元于暗态时发光的可能性。

技术介绍

[0002]目前，显示技术中所使用的发光单元驱动电路，主要包括薄膜晶体管的元件。随电子产品蓬勃发展，对于电子产品上的显示品质的要求越来越高。随着薄膜晶体管于显示装置上的尺寸越来越大，薄膜晶体管不被导通时所产生的漏电流越来越大，甚至可能造成发光单元于暗态时发光，影响显示效果的呈现。
[0003]因此，有必要针对发光电路中漏电流的问题进行优化。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开的实施例提出一种发光电路，其特征在于，包括一发光单元、一驱动晶体管以及一旁通电路。所述驱动晶体管产生一驱动电流以驱动所述发光单元，且产生一漏电流。所述旁通电路电性连接至所述发光单元以及所述驱动晶体管之间的节点，并且所述旁通电路根据一数据信号，转移所述漏电流，以降低所述漏电流流经所述发光单元的可能性。
附图说明
[0005]为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：
[0006]图1是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的方块图；
[0007]图2是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的电路图；
[0008]图3是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
[0009]图4是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
[0010]图5是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
[0011]图6A是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的电路图；
[0012]图6B是显示根据本公开的图6A的发光电路的时序图；
[0013]图7A是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
[0014]图7B是显示根据本公开的图7A的发光电路的时序图；
[0015]图8A是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
[0016]图8B是显示根据本公开的图8A的发光电路的时序图；
[0017]图9A是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
[0018]图9B是显示根据本公开的图9A的发光电路的时序图；
[0019]图10A是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
[0020]图10B是显示根据本公开的图10A的发光电路的时序图；
[0021]图11A是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；以及
[0022]图11B是显示根据本公开的图11A的发光电路的时序图。
[0023]符号说明：
[0024]100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,1100:发光电路
[0025]110:输入电路
[0026]120:储存电路
[0027]130:驱动电路
[0028]140:发光元件
[0029]150,650,750,850,950,1050,1150:旁通电路
[0030]SCN:扫描信号
[0031]DT:数据信号
[0032]EM:发光信号
[0033]ID:驱动电流
[0034]IL:漏电流
[0035]VDD:供应电压
[0036]VSS:接地电压
[0037]T1:第一开关晶体管
[0038]T2:第二开关晶体管
[0039]CST:储存电容
[0040]TD:驱动晶体管
[0041]G:栅极端
[0042]TEM:发光晶体管
[0043]LED:发光单元
[0044]TBP1:第一旁通晶体管
[0045]TBP2:第二旁通晶体管
[0046]TBP3:第三旁通晶体管
[0047]TBP4:第四旁通晶体管
[0048]TBP5:第五旁通晶体管
[0049]TBP6:第六旁通晶体管
[0050]TBP7:第七旁通晶体管
[0051]CBP1:第一旁通电容
[0052]CBP2:第二旁通电容
[0053]CBP3:第三旁通电容
[0054]NM:中间节点
[0055]NBP1:第一旁通节点
[0056]NBP2:第二旁通节点
[0057]NBP3:第三旁通节点
[0058]V1:第一电压
[0059]V2:第二电压
[0060]A:第一状态
[0061]B:第二状态
具体实施方式
[0062]以下说明为本公开的实施例。其目的是要举例说明本公开一般性的原则，不应视为本公开的限制，本公开的范围当以权利要求所界定者为准。
[0063]能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的启示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
[0064]值得注意的是，以下所公开的内容可提供多个用以实践本公开的不同特点的实施例或范例。以下所述的特殊的元件范例与安排仅用以简单扼要地阐述本公开的精神，并非用以限定本公开的范围。此外，以下说明书可能在多个范例中重复使用相同的元件符号或文字。然而，重复使用的目的仅为了提供简化并清楚的说明，并非用以限定多个以下所讨论的实施例以及/或配置之间的关系。
[0065]在本公开一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
[0066]本公开中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的组件或上述组件的组合，但不限于此。
[0067]图1是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的方块图。如图1所示，发光电路100包括输入电路110、储存电路120、驱动电路130以及发光元件140。输入电路110根据扫描信号SCN，将数据信号DT提供至储存电路120储存，并且用以控制驱动电路130。驱动电路130根据数据信号DT产生适当的驱动电流ID，并且根据发光信号EM而将驱动电流ID提供至发光元件140，使得发光元件140根据驱动电流ID的大小，而产生不同的亮度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光电路，其特征在于，包括：一发光单元；一驱动晶体管，用以驱动所述发光单元；以及一旁通电路，电性连接至所述发光单元以及所述驱动晶体管之间的节点，其中所述旁通电路根据一数据信号，转移自所述驱动晶体管流向所述发光单元的一电流。2.如权利要求1所述的发光电路，其特征在于，还包括：一发光晶体管，电性连接于所述发光单元以及所述驱动晶体管之间，其中所述驱动晶体管产生一驱动电流，以及所述发光晶体管基于一发光信号，将所述驱动电流提供至所述发光单元。3.如权利要求2所述的发光电路，其特征在于，还包括：一第一开关晶体管，基于一扫描信号而将所述数据信号提供至一中间节点；以及一第二开关晶体管，电性连接于所述中间节点以及所述驱动晶体管的栅极端之间，其中所述第二开关晶体管基于所述扫描信号，将所述中间节点的所述数据信号提供至所述驱动晶体管的栅极端，使得所述驱动晶体管基于所述数据信号而产生所述驱动电流，其中当所述驱动晶体管基于所述数据信号而不导通时，所述驱动晶体管产生一漏电流，其中上述旁通电路转移自所述驱动晶体管流向所述发光单元的所述漏电流。4.如权利要求3所述的发光电路，其特征在于，还包括：一储存电容，电性连接至所述驱动晶体管的所述栅极端，用以储存所述驱动晶体管的所述栅极端所接收的所述数据信号。5.如权利要求3所述的发光电路，其特征在于，所述旁通电路还包括：一第一旁通晶体管，电性连接至所述发光晶体管以及所述发光单元之间的节点，其中所述第一旁通晶体管的栅极端电性连接至所述中间节点，且所述第一旁通晶体管基于所述数据信号，而转移所述漏电流；以及一第一旁通电容，电性连接至所述第一旁通晶体管的所述栅极端，且储存所述第一旁通晶体管的所述栅极端所接收的所述数据信号。6.如权利要求5所述的发光电路，其特征在于：当所述发光晶体管基于所述发光信号而不导通，所述第一开关晶体管以及所述第二开关晶体管基于所述扫描信号而导通时，所述数据信号经由所述第一开关晶体管而提供至所述第一旁通晶体管的栅极端且所述第一旁通电容储存所述数据信号；当所述发光晶体管基于所述发光信号而导通，所述第一开关晶体管以及所述第二开关晶体管基于所述扫描信号而不导通时，所述第一旁通晶体管基于所述第一旁通电容所储存的所述数据信号，转移所述漏电流。7.如权利要求5所述的发光电路，其特征在于，所述旁通电路还包括：一第二旁通晶体管，电性连接于所述中间节点以及所述第一旁通晶体管的所述栅极端之间，其中所述第二旁通晶体管的栅极端接收所述发光信号；以及一第二旁通电容，电性连接至所述中间节点。8.如权利要求7所述的发光电路，其特征在于：当所述发光晶体管以及所述第二旁通晶体管基于所述发光信号而不导通，所述第一开关晶体管以及所述第二开关晶体管基于所述扫描信号而导通时，所述数据信号经由所述第
一开关晶体管而提供至所述中间节点，并且所述第二旁通电容储存所述数据信号；当所述发光晶体管以及所述第二旁通晶体管基于所述发光信号而导通，所述第一开关晶体管以及所述第二开关晶体管基于所述扫描信号而不导通时，所述第二旁通晶体管将所述第二旁通电容所储存的所述数据信号提供至所述第一旁通晶体管的所述栅极端，使得所述第一旁通晶体管转移所述漏电流，其中所述第一旁通电容储存所述第一旁通晶体管的所述栅极端所接收的所述数据信号。9.如权利要求7所述的发光电路，其特征在于，所述旁通电路还包括：一第三旁通晶体管，电性连接于所述第一旁通电容的两端，其中所述第三旁通晶体管基于所述扫描信号，重置所述第一旁通电容所储存的电压。10.如权利要求9所述的发光电路，其特征在于：当所述发光晶体管以及所述第二旁通晶体管据所述发光信号而不导通，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管以及所述第三旁通晶体管基于所述扫描信号而导通时，所述数据信号经由所述第一开关晶体管而提供至所述中间节点，所述第二旁通电容储存所述中间节点的所述数据信号，所述第三旁通晶体管重置所述第一旁通电容所储存的电压，使得所述第一旁通晶体管不导通；当所述发光晶体管以及所述第二旁通晶体管基于所述发光信号而导通，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管以及所述第三旁通晶体管基于所述扫描信号而不导通时，所述第二旁通晶体管将所述第二旁通电容所储存的所述数据信号提供至所述第一旁通晶体管的所述栅极端，使得所述第一旁通晶体管转移所述漏电流。11.如权利要求9所述的发光电路，其特征在于：所述第一旁通电容以及所述第二旁通电容的另一端以及所述第三旁通晶体管是电性连接至一参考电压。12.如权利要求5所述的发光电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾名骏，郭拱辰，陈联祥，高启伦，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：