用于过滤图像的方法和相关联的量测设备技术

披露了一种用于在衬底的包括目标结构的至少一部分的区域上进行量测测量的方法。所述方法包括：接收表示由所述区域所散射的辐射的一部分的辐射信息；以及在傅里叶域中使用滤波器以用于移除或抑制所接收的辐射信息的、与已由所述目标结构散射的辐射不相关的至少一部分，以用于获得用于所述量测测量的经滤波的辐射信息，其中所述滤波器的特性基于与所述目标结构相关的目标信息。结构相关的目标信息。结构相关的目标信息。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于过滤图像的方法和相关联的量测设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年9月18日递交的美国申请62/901,938和于2019年10月16日递交的欧洲申请19203613.5的优先权，并且这些申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种用于确定衬底上的结构的特性的方法。本专利技术也涉及一种用于确定衬底上的结构的特性的量测设备或检查设备。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。例如，光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以被形成于所述衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用具有在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在衬底的包括目标结构的至少一部分的区域上进行量测测量的方法，所述方法包括
‑
接收表示由所述区域所散射的辐射的至少一部分的辐射信息，
‑
在傅里叶域中使用滤波器以用于移除或抑制所接收的辐射信息的、与已由所述目标结构散射的辐射不相关的至少一部分，以用于获得用于所述量测测量的经滤波的辐射信息，其中，所述滤波器的特性基于与所述目标结构相关的目标信息。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标信息包括目标结构尺寸(A)和相位梯度斜率(k
x,y
)中的至少一个。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述滤波器的特性包括：所述滤波器在傅里叶域中的中心频率(NA
x,y
)和所述滤波器在傅里叶域中的宽度(NA
w
)中的至少一种。4.根据权利要求2和3中任一项所述的方法，其中所述滤波器的所述宽度与所述目标结构尺寸成反比且由以下表达式给出：NNA
w
∝
λ/A其中λ是所述辐射的波长。5.根据引用权利要求2和3的情况下的任一前述权利要求所述的方法，其中所述滤波器在所述傅里叶域中的中心频率基于相位梯度斜率，其中其中λ是所述辐射的波长。6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述方法包括通过相位获取方法从所接收的辐射信息获得复合电场，可选地所述相位获取方法是直接相位获取测量或间接相位获取测量，可选地所述间接相位获取测量使用相位获取算法。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述方法包括对所述复合场进行傅里叶变换的动作。8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述方法包...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：