一种蒸镀半刻蚀掩模板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种蒸镀半刻蚀掩模板，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设有开口区，掩模板本体上靠开口区边缘设有半刻蚀凹槽，所述掩模板本体的半刻蚀凹槽上设有用于阻挡蒸发材料外扩的阻挡结构。该蒸镀半刻蚀掩模板结构设计合理，半刻蚀凹槽区上设计凸起的阻挡结构，阻挡蒸发材料在半刻区外扩，从而减小半刻蚀区的蒸镀阴影，确保OLED屏体边框设计尺寸不会因为半刻蚀蒸镀的使用而增加。寸不会因为半刻蚀蒸镀的使用而增加。寸不会因为半刻蚀蒸镀的使用而增加。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸镀半刻蚀掩模板


[0001]本技术涉及显示
，尤其是涉及一种蒸镀半刻蚀掩模板。

技术介绍

[0002]蒸镀MASK用于OLED发光功能膜层制备工艺中，限定膜层蒸镀位置和尺寸，目前Micro OLED多采用W+CF工艺实现全彩化显示，蒸镀MASK使用CMM(common metal mask)就可以满足工艺需求，如图1所示；随着MASK使用频率的增加，在蒸镀腔室内MASK表面会沉积一些纳米级甚至微米级的particle，尤其是开口1边缘附着的particle，在基板和MASK压合的过程中，这些particle会刮伤基板，部分还会转移到基板上，产生显示黑点以及封装失效等问题，导致显示屏体功能失效。
[0003]为了防止这种情况，MASK厂商开发一种半刻MASK设计方案，在开口区边缘设计半刻蚀凹槽2，可以允许particle在该区域粘黏，减少particle损伤屏体，如图2所示；然而该设计会严重增加蒸镀阴影，进而增加屏体边框设计尺寸，减小wafer上屏体有效数量。

技术实现思路

[0004]针对现有技术不足，本技术所要解决的技术问题是提供一种蒸镀半刻蚀掩模板，以达到减小蒸镀阴影的目的。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案为：
[0006]该蒸镀半刻蚀掩模板，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设有开口区，掩模板本体上靠开口区边缘设有半刻蚀凹槽，所述掩模板本体的半刻蚀凹槽上设有用于阻挡蒸发材料外扩的阻挡结构。
[0007]进一步的：
[0008]所述阻挡结构为环形凸起结构。
[0009]所述阻挡结构设在半刻蚀凹槽的边缘处。
[0010]所述阻挡结构为半圆形凸起或方形凸起或梯形凸起。
[0011]所述阻挡结构的上表面与半刻蚀凹槽一侧的掩模板本体上表面相平齐。
[0012]本技术与现有技术相比，具有以下优点：
[0013]该蒸镀半刻蚀掩模板结构设计合理，半刻蚀凹槽区上设计凸起的阻挡结构，阻挡蒸发材料在半刻区外扩，从而减小半刻蚀区的蒸镀阴影，确保OLED屏体边框设计尺寸不会因为半刻蚀蒸镀的使用而增加。
附图说明
[0014]下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0015]图1为现有结构示意图一。
[0016]图2为现有结构示意图二。
[0017]图3为本技术结构示意图。
[0018]图4为本技术工艺流程示意图。
[0019]图5为本技术没有阻挡结构示意图。
[0020]图6为本技术设置阻挡结构示意图。
[0021]图中：
[0022]1.开口区、2.半刻蚀凹槽、3.阻挡结构、4.光刻胶、5.基板、6.蒸发源、7.阴影区。
具体实施方式
[0023]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0024]如图3和图6所示，该蒸镀半刻蚀掩模板，包括掩模板本体，掩模板本体上设有开口区1，掩模板本体上靠开口区边缘设有半刻蚀凹槽2，掩模板本体的半刻蚀凹槽上设有用于阻挡蒸发材料外扩的阻挡结构3。
[0025]进一步的，阻挡结构3设在半刻蚀凹槽的边缘处，阻挡结构为环形凸起结构；半刻蚀凹槽区上设计凸起的阻挡结构，阻挡蒸发源6材料在半刻区外扩，从而减小半刻蚀区的蒸镀阴影，确保OLED屏体边框设计尺寸不会因为半刻蚀蒸镀的使用而增加。
[0026]蒸镀MASK开口和半刻区一般采用光刻、刻蚀工艺制备，本技术方案中，半刻区不需要刻蚀到开口处，调整光刻范围，保留开口处MASK材料充当半刻蚀开口的阻挡结构，该阻挡结构可设计为半圆形凸起、方形凸起、梯形凸起等结构，靠近开口区起到阻挡蒸发材料光刻胶4扩散即可。
[0027]阻挡结构的上表面与半刻蚀凹槽一侧的掩模板本体上表面相平齐。如图5为没有阻挡结构的半刻蚀掩模板蒸镀过程中产生的阴影区7较大，如图6为开口边缘具有阻挡结构的半刻蚀掩模板蒸镀过程中产生的阴影区较小；对比可以看出，开口边缘设计的阻挡结构可以有效阻挡蒸发材料扩散，从而减小基板5上的阴影。
[0028]本技术方案中对半刻蚀凹槽区进行改进设计，在凹槽接近MASK开口区域设计阻挡结构，可以在OLED膜层蒸镀过程中阻挡有机小分子气体材料和阴极金属材料进入凹槽区，从而减小基板上的蒸镀阴影，进而改善因蒸镀阴影增加而产生的屏体边框设计尺寸增加的问题，也可以提高晶圆的整体利用率，排布更多屏体，节约成本。
[0029]上述仅为对本技术较佳的实施例说明，上述技术特征可以任意组合形成多个本技术的实施例方案。
[0030]上面结合附图对本技术进行了示例性描述，显然本技术具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本技术的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀半刻蚀掩模板，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设有开口区，掩模板本体上靠开口区边缘设有半刻蚀凹槽，其特征在于：所述掩模板本体的半刻蚀凹槽上设有用于阻挡蒸发材料外扩的阻挡结构。2.如权利要求1所述蒸镀半刻蚀掩模板，其特征在于：所述阻挡结构为环形凸起结构。3.如权利要求1所述蒸...

【专利技术属性】
技术研发人员：张义波，魏晓婷，李光，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：