一种蒸镀半刻蚀掩模板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种蒸镀半刻蚀掩模板，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设有开口区，掩模板本体上靠开口区边缘设有半刻蚀凹槽，所述掩模板本体的半刻蚀凹槽上设有用于阻挡蒸发材料外扩的阻挡结构。该蒸镀半刻蚀掩模板结构设计合理，半刻蚀凹槽区上设计凸起的阻挡结构，阻挡蒸发材料在半刻区外扩，从而减小半刻蚀区的蒸镀阴影，确保OLED屏体边框设计尺寸不会因为半刻蚀蒸镀的使用而增加。寸不会因为半刻蚀蒸镀的使用而增加。寸不会因为半刻蚀蒸镀的使用而增加。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸镀半刻蚀掩模板


[0001]本技术涉及显示
，尤其是涉及一种蒸镀半刻蚀掩模板。

技术介绍

[0002]蒸镀MASK用于OLED发光功能膜层制备工艺中，限定膜层蒸镀位置和尺寸，目前Micro OLED多采用W+CF工艺实现全彩化显示，蒸镀MASK使用CMM(common metal mask)就可以满足工艺需求，如图1所示；随着MASK使用频率的增加，在蒸镀腔室内MASK表面会沉积一些纳米级甚至微米级的particle，尤其是开口1边缘附着的particle，在基板和MASK压合的过程中，这些particle会刮伤基板，部分还会转移到基板上，产生显示黑点以及封装失效等问题，导致显示屏体功能失效。
[0003]为了防止这种情况，MASK厂商开发一种半刻MASK设计方案，在开口区边缘设计半刻蚀凹槽2，可以允许particle在该区域粘黏，减少particle损伤屏体，如图2所示；然而该设计会严重增加蒸镀阴影，进而增加屏体边框设计尺寸，减小wafer上屏体有效数量。

技术实现思路

[0004]针对现有技术不足，本技术所要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀半刻蚀掩模板，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设有开口区，掩模板本体上靠开口区边缘设有半刻蚀凹槽，其特征在于：所述掩模板本体的半刻蚀凹槽上设有用于阻挡蒸发材料外扩的阻挡结构。2.如权利要求1所述蒸镀半刻蚀掩模板，其特征在于：所述阻挡结构为环形凸起结构。3.如权利要求1所述蒸...

【专利技术属性】
技术研发人员：张义波，魏晓婷，李光，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：