一种感应炉用变频电源柜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种感应炉用变频电源柜，包括柜体、若干IGBT单元组结构和若干共振电容，柜体内设有用于放置若干I GBT单元组结构的第一容纳区和用于放置若干共振电容的第二容纳区；I GBT单元组结构的输入端处分别设有P输入铜排，各I GBT单元组结构的P输入铜排与同一PN输入汇流导体相连接；共振电容的输出端分别设有UV输出导体，各共振电容的UV输出导体穿出柜体与设于柜体外的同一UV输出汇流导体相连接；IGBT单元组结构的输出端与共振电容的输入端之间分别通过UV输出铜排相连接。本实用新型专利技术简化了感应炉用变频电源柜，减少了感应炉用变频电源柜的安装占有面积，同时本实用新型专利技术感应炉用变频电源柜可以形成标准化、系列化设计。设计。设计。

【技术实现步骤摘要】
一种感应炉用变频电源柜


[0001]本技术涉及变频电源柜，具体涉及一种感应炉用变频电源柜。

技术介绍

[0002]感应炉就是利用电磁感应原理，使处于交变磁场中的金属材料内部感应电流，从而把材料加热直至熔化的种电热设备。感应炉的主要部件包括感应器、炉体、IGBT电源、整流柜和控制系统等，而IGBT电源包括变频柜和电容柜，其中整流柜是用于将客户引入经变压器降压后的交流电变为直流电，变频柜则用于将直流电逆变为可控的交流电，通过电容柜输入至负载(炉体线圈)。
[0003]然而，另外，现有的变频电源结构设计不合理，其中IGBT电源和电容柜属于分体构造，整体拼接后长度长，安装占有面积大，而且分体构造不利于设备的标准化、系列化设计。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提出一种感应炉用变频电源柜。
[0005]本技术的技术方案是这样实现的：
[0006]一种感应炉用变频电源柜，包括柜体、若干IGBT单元组结构和若干共振电容，所述柜体内设有用于放置所述若干IGBT单元组结构的第一容纳区和用于放置所述若干共振电容的第二容纳区；
[0007]所述IGBT单元组结构的输入端处分别设有P输入铜排，各IGBT单元组结构的P输入铜排与同一PN输入汇流导体相连接；
[0008]所述共振电容的输出端分别设有UV输出导体，各共振电容的UV输出导体穿出所述柜体与设于柜体外的同一UV输出汇流导体相连接；
[0009]所述IGBT单元组结构的输出端与所述共振电容的输入端之间分别通过UV输出铜排相连接；所述UV输出导体、UV输出铜排和所述P输入铜排分别设于所述柜体内。
[0010]进一步的，所述P输入铜排包括第一P输入铜排和第二P输入铜排，所述第一P输入铜排和所述第二P输入铜排之间设有熔断器，所述熔断器分别与所述第一P输入铜排、第二P输入铜排电路连接。
[0011]进一步的，所述IGBT单元组结构包括直流中间电容和设于直流中间电容的两侧面的IGBT模块，所述P输入铜排设于所述直流中间电容的其中一侧且与所述直流中间电容上的端子适配安装，所述UV输出铜排分别设置于直流中间电容的两侧且与IGBT模块上的端子适配安装。
[0012]进一步的，所述第一容纳区内设有多个与所述IGBT单元组结构相适配的第一卡槽，所述IGBT单元组结构设于所述第一卡槽内；所述第一容纳区内设有多个与所述共振电容相匹配的第二卡槽，所述共振电容设于所述第二卡槽内。
[0013]进一步的，所述第一容纳区和所述第二容纳区在所述柜体内为上下分布结构，所述第一容纳区位于所述第一容纳区的上方。
[0014]进一步的，所述柜体外还设有冷却水管。
[0015]进一步的，所述冷却水管与所述UV输出汇流导体并列架设于所述柜体的上方。
[0016]进一步的，所述UV输出铜排分别通过固定板固定在所述柜体内。
[0017]进一步的，所述柜体上设有用于打开柜体的开口，所述开口处设有柜门。
[0018]进一步的，所述第一容纳区和所述第二容纳区的后方设有相连通的散热空间。
[0019]与现有技术相比，本技术具有以下优点：本技术对感应炉用变频电源柜的结构进行优化，将IGBT单元组结构和共振电容同设于一个柜体内，并分别设于柜体的第一容纳区和第二容纳区内，简化了感应炉用变频电源柜，相较于现有技术中的分体设计而言，减少了感应炉用变频电源柜的安装占有面积；并且本技术中，IGBT单元组结构的输入端处分别设有P输入铜排，各IGBT单元组结构的P输入铜排与同一PN输入汇流导体相连接，而共振电容的输出端分别设有UV输出导体，各共振电容的UV输出导体穿出所述柜体与设于柜体外的同一UV输出汇流导体相连接，使得本技术感应炉用变频电源柜可以形成标准化、系列化设计，当单个感应炉用变频电源柜的功率不符合要求时，将多个感应炉用变频电源柜进行电路连接即可，非常方便。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术感应炉用变频电源柜其中一视角的爆炸结构示意图；
[0022]图2为本技术感应炉用变频电源柜另一视角的爆炸结构示意图；
[0023]图3为共振电容及IGBT单元组结构的连接结构示意图；
[0024]图4为图3的爆炸结构示意图；
[0025]图5为IGBT单元组结构的结构示意图；
[0026]图6为IGBT单元组结构的爆炸结构示意图。
[0027]附图标识：1共振电容；2IGBT单元组结构；201直流中间电容；202IGBT模块；3柜体；301第一容纳区；3011第一卡槽；302第二容纳区；3021第二卡槽；303散热空间；304开口；305柜门；4P输入铜排；401第一P输入铜排；402第二P输入铜排；5PN输入汇流导体；6UV输出导体；7UV输出汇流导体；8UV输出铜排；801U输出铜排；802V输出铜排；9熔断器；10冷却水管；11固定板。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术
和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0030]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0031]参见图1
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图4，本技术实施方式公开了一种感应炉用变频电源柜，包括柜体3、若干IGBT单元组结构2和若干共振电容1，柜体3内设有用于放置若干IGBT单元组结构2的第一容纳区301和用于放置若干共振电容1的第二容纳区302；
[0032]IGBT单元组结构2的输入端处分别设有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感应炉用变频电源柜，其特征在于，包括柜体、若干IGBT单元组结构和若干共振电容，所述柜体内设有用于放置所述若干IGBT单元组结构的第一容纳区和用于放置所述若干共振电容的第二容纳区；所述IGBT单元组结构的输入端处分别设有P输入铜排，各IGBT单元组结构的P输入铜排与同一PN输入汇流导体相连接；所述共振电容的输出端分别设有UV输出导体，各共振电容的UV输出导体穿出所述柜体与设于柜体外的同一UV输出汇流导体相连接；所述IGBT单元组结构的输出端与所述共振电容的输入端之间分别通过UV输出铜排相连接；所述UV输出导体、UV输出铜排和所述P输入铜排分别设于所述柜体内。2.根据权利要求1所述感应炉用变频电源柜，其特征在于，所述P输入铜排包括第一P输入铜排和第二P输入铜排，所述第一P输入铜排和所述第二P输入铜排之间设有熔断器，所述熔断器分别与所述第一P输入铜排、第二P输入铜排电路连接。3.根据权利要求1所述感应炉用变频电源柜，其特征在于，所述IGBT单元组结构包括直流中间电容和设于直流中间电容的两侧面的IGBT模块，所述P输入铜排设于所述直流中间电容的其中一侧且与所述直流中间电容上的端子适配安装，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国亮，谢文超，
申请(专利权)人：富士电机珠海有限公司，
类型：新型
国别省市：