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超导电能输出机制造技术

技术编号:3389092 阅读:160 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术根据超导体电阻为零和完全抗磁性,用超导体箔卷筒。超导体闭合回路冻结磁通线圈。超导体脉冲或交流线圈、铁芯,本发明专利技术是不需外界连续加入任何能量的电能输出机,本发明专利技术可用作发电以及一切运输加工机械的动力源。本发明专利技术可用作月球发电,以及太空探索使用。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于机电工程领域本专利技术根据超导体电阻为零和完全抗磁性,用超导体箔卷筒。超导体闭合回路冻结磁通线圈。超导体脉冲或交流线圈、铁芯,本专利技术是不需外界联续加入任何能量的电能输出机,本专利技术可用作发电以及一切运输加工机械的动力源。本专利技术可用作月球发电,以及太空探索使用。本专利技术超导箔卷筒已于1993年3月23日和1998年2月20日作完如下实验;1993年3月29日在中国科学院低温技术实验中心作的铌箔卷筒超导特性测试报告。名称超导铌箔卷筒(铌箔720×222×0.1mm)内径Φ16.6mm,外径Φ21.5mm,共卷13层,层间用计算机纸绝缘,超导磁体由等尺的上、中、下绕组构成每个绕组内径Φ38mm,高99mm,用0.5铌钛超导线密绕9层。三绕组磁体常数分别为194Cs/A,193Cs/A,194Cs/A。当三绕组串联时,202Cs/A,中间绕组送电时,铌箔卷筒中心磁场为83Cs/A,当三绕组串联时送电,铌箔卷筒中心磁场为195Cs/A。当中间绕组送电26.2时铌箔失超磁场全部进入超导卷筒内193Cs/A,当电流小于26.2Cs/A时,超导卷筒恢复超导态,超导卷筒中心磁场为84Cs/A。当中间线圈磁场退到零时,铌箔卷筒内出现1400Cs冻结磁通,Hc1冻结,Hc2不冻结。测试人何业冶、曾兴林、孟庆惠。送样单位高步。1998年2月20日在中国科学院低温技术实验中心作为的铅箔卷筒超导磁体内部轴向磁场强度测试报告、名称铅箔卷筒(铅箔284cm×47.3cm×0.04cm,内径Φ1.8cm,外径Φ4.2cm,共卷30层,层间用纸绝缘),铅箔装在超导螺线管内中间,超导螺线管分三个绕组串联,中间有两个抽头可单独送电,三个绕组串联时长度60cm,中间绕组10cm,内径4.5cm,外径5.5cm,用0.5超导线密绕9层,中间绕组送电流2A,铅箔卷筒内各点磁场为61高斯。当三绕组串联时民流2A,铅箔卷筒内各点磁场321Cs/A。测试人郑平、王文虎。送样单位高步。本专利技术超导体箔卷筒在超导电能输出机上有三种使用方法。第一种使用方法如附附图说明图1;第二种使用方法如附图2;第三种使用方法如附图3;本专利技术结构如附图所示;附图1;超导体开逢卷筒(1)(2)筒称超导卷筒(1)(2),在层间加有绝缘层,也可以用真空溅射渡膜法制成,在超导膜上渡上一种氧化物作绝缘层,超导卷筒的层数是正整数即N=1......n1n2n3n4,在超导卷筒(1)(2)内有超导体脉冲或交流线圈(3)(4)简称线圈(3)(4),在线圈(3)(4)内有铁芯(5)(6)(7)(8)在铁芯(7)(8)装在超导体封闭筒(9)(10)内与铁芯(5)(6)构成磁回路,也可以将铁芯(7)(8)内硅钢片每片用真空溅射渡膜渡上一层超导封闭膜(9)(10),在渡上一层氧化膜作绝缘层,铁芯(5)(6)(7)(8)上硅钢片以叠片方式而成。当线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)(17)(18)(19)(20)(21)(22)产生磁场大于硅钢片饱和磁场时,超导体封闭筒(9)(10)失去完全抗磁意义,铁芯(5)(6)可以不用。铁芯(7)(8)可用一段与线圈(23)(24)长度相等一段即可,装在杜瓦外室温内也可以不用铁芯(7)(8)。超导卷筒(1)(2)内装有超导体能量输出线圈(23)(24)简称线圈(23)(24)。线圈(23)(24)可用普通线制成放在杜瓦瓶外室温内。在超导卷筒(1)(2)外中间部位装有超导体闭合回路冻结磁通或永磁体(11)(12)(13)(14)(15)(16)简称线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16),线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)内或外有超导体脉冲或交流线圈(17)(18)(19)(20)(21)(22),简称线圈(17)(18)(19)(20)(21)(22),线圈(17)(18)(19)(20)(21)(22)也可以用普通线制成放在杜瓦瓶外室温内。电能输出源理附图1;先将线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)磁场冻结小于几高斯超导卷筒(1)(2)失超磁场,这时线圈(3)(4)(17)(18)(19)(20)(21)(22)送电产生磁场与线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)磁场叠加大于几高斯超导卷筒(1)(2)局部失超磁场,超导卷筒(1)(2)和超导封闭筒(9)(10)与中间线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)相等长度一段距离内失超。线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)(17)(18)(19)(20)(21)(22)磁场全部切割线圈(23)(24)和铁芯(5)(6)(7)(8)对外输出电。线圈(3)(4)磁场与超导卷筒(1)(2)内冻结磁场叠加使超导体封闭筒(9)(10)线圈两端剩余部分超导封闭筒失超,这时铁芯(5)(6)(7)(8)构成磁场回路。当线圈(3)(4)(17)(18)(19)(20)(21)(22)停电时,线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)总磁场能量被超导卷筒(1)(2)分结在超导卷筒(1)(2)内,超导卷筒(1)(2)此线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)长几倍磁场就分结几倍。线圈(3)(4)(17)(18)(19)(20)(21)(22)停电时,超导封闭筒(9)(10)恢复超导态,超导卷筒(1)(2)恢复超导态,铁芯(5)(6)与铁芯(7)(8)磁路被超导体封闭筒(9)(10)切段,铁芯(7)(8)不在起作用,总磁通量被切段这时作用在线圈(23)(24)磁能只是超导卷筒(1)(2)分结线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)磁场的几分之一,或超导卷筒(1)(2)冻结磁通的几分之一。线圈(23)(24)在次对外输出电能。本专利技术就是用几高斯脉冲频率磁场变化使大的冻结磁通线圈磁场和超导卷筒上冻结磁通进出超导卷筒和铁芯,用超导体相变来对外界输出电能。本专利技术结构如附图所示附图2;超导体开缝卷筒(1)(12)简称超导卷筒(1)(2)是用溅射渡膜制成,层间有溅射氧化物作绝缘层,其用溅射卷的超导膜层数是正整数即N=1......n1 n2 n3 n4,在超导卷筒(1)(2)中间有超导能量输出线圈(8)(21),简称线圈(8)(21)和铁芯(10)(20)(11)(22),铁芯(10)(20)装在超导封闭筒(9)(19)内或在硅钢片上溅射上一层超导封闭膜在超导封闭膜(9)(10)上溅射一层氧化物作为绝缘层,铁芯(10)(11)(20)(22)硅钢片相叠加而成。当铁芯中硅钢片饱和时可用一段、或不用铁芯(10)(11)(20)(22)在超导卷筒(1)外有超导体闭合回路冻结磁通线圈或永磁体(2)(4)(5)简称线圈(2)(4)(5)内或外有超体脉冲或交流线圈(3)(6)(7)也可以用普通线制成放在杜瓦瓶外室温内简称线圈(3)(6)(7),线圈(2)(4)(5)与线圈(3)(6)(7)磁场方向相同,线圈(3)(6)(7)送交流正半波,线圈(2)(3)(4)(5)(6)(7)装在铁芯回路上半部回路内,超导卷筒(12)外有超导体闭合回路冻结磁通线圈或永磁体(13)(14)(15)简称线圈(13)(14)(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超导电能输出机,其特征在于附图1;超导体开缝卷筒(1)(2)中间层间用纸绝缘,其卷的层数,是正整数即N=1……n↓[1]n↓[2]n↓[3]n↓[4],在超导卷筒(1)(2)内有超导体脉冲或交流线圈(3)(4)和铁芯(5)(6)(7)(8)在铁芯(7)(8)上包有封闭筒(9)(10)或在硅钢片上溅射渡上一层超导膜(9)(10)与铁芯(5)(6)叠加而成,在铁芯(7)(8)外有超能量输出线圈(23)(24)或用普通线制成可装在杜瓦瓶外室温内。在超导卷筒(1)(2)外中间部分装有超导体闭合回路冻结磁通线圈或永磁体(11)(12)(13)(14)(15)(16)超导线圈(11)(12)(13)(14)(15)(16)内或外有超导体脉冲或交流线圈(17)(18)(19)(20)(21)(22)。也可用普通线制成放在杜瓦瓶外面室温内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:高步
申请(专利权)人:高步
类型:发明
国别省市:21[中国|辽宁]

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