一种并联熔体的激励保护装置制造方法及图纸

技术编号:33884490 阅读:18 留言:0更新日期:2022-06-22 17:17
一种并联熔体的激励保护装置,包括壳体、位于壳体中的激励源、至少一个冲击装置、穿设在壳体中的导体,导体两端位于所述壳体外部;激励源接收激励信号动作可驱动至少一个冲击装置断开位于壳体中的所述导体;在至少一个所述冲击装置上设置有灭弧腔室,在灭弧腔室中穿设有熔体,熔体的两端分别穿过所述冲击装置内部的灭弧腔室后与位于壳体中的导体导电并联连接或通过接触件与所述导体并联连接;冲击装置在断开所述导体后断开熔体或使熔体与导体脱离导电接触。本发明专利技术能实现小电流和零电流下的分断;可实现快速保护;断后绝缘性能优良;分断能力高,灭弧能力强;耐电流冲击性好,发热量小,体积小。体积小。体积小。

【技术实现步骤摘要】
一种并联熔体的激励保护装置


[0001]本专利技术涉及电力领域和新能源汽车领域,尤其是指对该领域内电路进行保护的保护装置。

技术介绍

[0002]目前电力控制和新能源汽车的电池包保护器件除了传统的热熔熔断器,还存在一种快速切断开口的结构(即激励保护装置)并逐渐扩大应用范围。熔断器为利用电流热积累效应,使熔体设置的电流感知点(狭颈)在一定时间里熔化断开并熄灭电弧的保护器件。激励保护装置为短时间内利用激励源驱动绝缘的冲击装置断开与电路连接的导体形成物理断口从而断开电路的一种快速保护器件。
[0003]激励保护装置的优点为通过快速切断开口实现快速保护、耐电流冲击性好、发热量小、断开后可实现完全的物理隔绝;缺点为单靠切断开口分断上限不高、灭弧能力弱(依靠空气冷却灭弧或挤压灭弧)。熔断器的优点为成熟稳定、可分断上限高、灭弧能力强,缺点为:耐电流冲击性差;发热量较大;在低倍数故障电流下需长时间才能断开电路,无法实现快速保护;熔断器熔断后无法达到完全的物理隔绝;体积重量较大。
[0004]综合激励保护装置和熔断器的优缺点,进一步出现了在以上所述的激励保护装置的导体上固定并联连接熔体来提高灭弧能力和分断能力的方案,即打断导体后依靠熔体熔断进行灭弧的激励保护装置。该方案能够大幅度提高激励保护装置的分断上限,避免了熔断器自身的一些缺点,但由于依靠熔体熔断无法实现在小电流和零电流下的分断;在分断电流范围内的下限电流下熔体熔断需要较长时间,无法实现快速保护,且分断后绝缘性能不佳。基于这些缺点,打断导体后依靠导体上固定连接的熔体熔断进行灭弧的激励保护装置的应用范围受到限制。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种激励保护装置,通过在冲击装置上设置灭弧腔室,使并联熔体穿设在冲击装置的灭弧腔室中,通过冲击装置的运动断开导体后断开熔体,在导体和熔体上实现多个断口进行灭弧,提高空间利用率,提高灭弧能力和分断能力。
[0006]为实现上述技术目的,本专利技术提供的技术方案是一种并联熔体的激励保护装置,包括壳体、位于壳体中的激励源、至少一个冲击装置、穿设在壳体中的导体,所述导体两端位于所述壳体外部;所述激励源接收激励信号动作可驱动至少一个冲击装置断开位于壳体中的所述导体;在至少一个所述冲击装置上设置有灭弧腔室,在所述灭弧腔室中穿设有熔体,所述熔体的两端分别穿过所述冲击装置内部的灭弧腔室后与位于壳体中的所述导体导电并联连接或通过接触件与所述导体并联连接;所述冲击装置在断开所述导体后断开熔体或使熔体与导体脱离导电接触。
[0007]优选地,在所述熔体上设置有断开薄弱处和熔断薄弱处;所述断开薄弱处位于所述灭弧腔室中或位于所述冲击装置外部,所述熔断薄弱处位于所述灭弧腔室中;所述冲击
装置驱动所述熔体从所述断开薄弱处断开。
[0008]优选地,所述断开薄弱处位于所述冲击装置与所述壳体接触面间。
[0009]优选地,所述冲击装置冲击端为倒梯形结构,在冲击端倒梯形结构的斜面上设置有凹槽结构,在所述凹槽结构对应的壳体空腔底部设置有与所述凹槽嵌套的凸棱结构。
[0010]优选地,所述熔体两端分别从所述冲击装置的冲击端倒梯形结构的斜面穿出后与位于空腔两侧的导体导电连接。
[0011]优选地,所述熔体两端分别穿过所述灭弧腔室伸出所述冲击装置相对两侧,并贴合固定设置在所述冲击装置的外侧面上;在所述熔体两端所在两侧的壳体上分别穿设有导电的接触件,所述接触件一端与所述导体导电连接,另一端为弹性端,与位于所述冲击装置外侧的熔体一端导电接触。
[0012]优选地,在所述冲击装置包括设置于所述壳体空腔中的第一冲击装置和第二冲击装置;所述第二冲击装置位于所述第一冲击装置与导体之间;所述灭弧腔室设置于所述第二冲击装置内部,所述熔体穿设在所述第二冲击装置内部的所述灭弧腔室中;所述第一冲击装置的冲击端穿过所述第二冲击装置;所述激励源接收激励信号动作可驱动第一冲击装置断开所述导体,同时所述第一冲击装置驱动第二冲击装置断开所述熔体。
[0013]优选地,所述第一冲击装置为T形结构,所述第二冲击装置为具有中空部的环状结构,所述第一冲击装置冲击端穿过所述第二冲击装置的中空部。
[0014]优选地,所述灭弧腔室为在第二冲击装置内部开设的围绕所述中空部的环状结构。
[0015]优选地,位于所述灭弧腔室中的熔体部分为围绕所述中空部设置的环状结构。
[0016]优选地,所述中空部为圆孔状结构、方孔状结构或多边形孔结构;所述第一冲击装置冲击端与所述中空部形状相匹配。
[0017]优选地,在壳体空腔底部设置有隔离凸棱,隔离凸棱上设置有供第一冲击装置冲击端卡位的卡位凹槽。
[0018]优选地,在第一冲击装置、第二冲击装置上和壳体对应处分别配合设置有限制第一冲击装置、第二冲击装置初始位置的限位结构。
[0019]优选地,在所述壳体上设置有限制第二冲击装置终止位置的限位结构。
[0020]本专利技术的激励保护装置,能实现小电流和零电流下的分断;可实现快速保护;断后绝缘性能优良;分断能力高,灭弧能力强;耐电流冲击性好,发热量小。由于灭弧腔室设置在冲击装置上,充分利用了冲击装置的空间,降低了激励保护装置的整体体积,使结构更紧凑。
附图说明
[0021]图1是实施例1的结构示意图,其中图a为初始位置时结构示意图,图b为动作结束后结构示意图。
[0022]图2是实施例2的结构示意图,其中图a为初始位置时结构示意图,图b为动作结束后结构示意图。
[0023]图3是实施例3的结构示意图,其中图a为初始位置时结构示意图,图b为动作结束后结构示意图。
[0024]图4是实施例3的位于灭弧腔室中及第二冲击装置外的未断开前的熔体局部结构示意图。
[0025]图5是实施例4的结构示意图,其中图a为初始位置时结构示意图,图b为动作结束后结构示意图。
[0026]图6是实施例4,位于灭弧腔室中的熔体断开后的结构示意图。
[0027]图7是实施例5的结构示意图,其中图a为初始位置时结构示意图,图b为动作结束后结构示意图。
[0028]图8是第二冲击装置和熔体横截面结构示意图,其中图a为第二冲击装置形状为圆环形结构、中空部为圆状孔结构;图b为第二冲击装置形状为圆环形结构、中空部为方状孔结构;图c为第二冲击装置形状为方环形结构、中空部为方状孔结构;图d为第二冲击装置形状为方环形结构、中空部为圆状孔结构。
具体实施方式
[0029]针对上述技术方案,现举几个较佳实施例并结合图示进行具体说明。
[0030]实施例1
[0031]壳体,材质为绝缘材质,可通过注塑等方式成型。参看图1,包括第一壳体10和第二壳体11,导体30位于第一壳体10与第二壳体11之间,第一壳体10和第二壳体11接触面密封,其可以通过在接触面设置嵌套的凹槽凸棱等密封结构或设置密封圈等密封装置实现密封, 通过接触面密封,既可防止外物污染断口,可也防止高温电弧喷出壳本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种并联熔体的激励保护装置,其特征在于,包括壳体、位于壳体中的激励源、至少一个冲击装置、穿设在壳体中的导体,所述导体两端位于所述壳体外部;所述激励源接收激励信号动作可驱动至少一个冲击装置断开位于壳体中的所述导体;在至少一个所述冲击装置上设置有灭弧腔室,在所述灭弧腔室中穿设有熔体,所述熔体的两端分别穿过所述冲击装置内部的灭弧腔室后与位于壳体中的所述导体导电并联连接或通过接触件与所述导体并联连接;所述冲击装置在断开所述导体后断开熔体或使熔体与导体脱离导电接触。2.根据权利要求1所述的激励保护装置,其特征在于,在所述熔体上设置有断开薄弱处和熔断薄弱处;所述断开薄弱处位于所述灭弧腔室中或位于所述冲击装置外部,所述熔断薄弱处位于所述灭弧腔室中;所述冲击装置驱动所述熔体从所述断开薄弱处断开。3.根据权利要求2所述的激励保护装置,其特征在于,所述断开薄弱处位于所述冲击装置与所述壳体接触面间。4.根据权利要求1所述的激励保护装置,其特征在于,所述冲击装置冲击端为倒梯形结构,在冲击端倒梯形结构的斜面上设置有凹槽结构,在所述凹槽结构对应的壳体空腔底部设置有与所述凹槽嵌套的凸棱结构。5.根据权利要求4所述的激励保护装置,其特征在于,所述熔体两端分别从所述冲击装置的冲击端倒梯形结构的斜面穿出后与位于空腔两侧的导体导电连接。6.根据权利要求1所述的激励保护装置,其特征在于,所述熔体两端分别穿过所述灭弧腔室伸出所述冲击装置相对两侧,并贴合固定设置在所述冲击装置的外侧面上;在所述熔体两端所在两侧的壳体上分别穿设有导电的接触件,所述接触件一端与所述导体导电连接,另一端为弹性端,与位于所述冲击装置外侧的熔体一...

【专利技术属性】
技术研发人员:石晓光段少波王欣戈西斌
申请(专利权)人:西安中熔电气股份有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1