半导体聚合物组合物制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体聚合物组合物，包含a)至少30wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物；b)至少25wt％的炭黑；和c)至少2wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物，其MFR2至少为100g/10min；条件是组分(a)和(c)不同。组分(a)和(c)不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体聚合物组合物


[0001]本专利技术涉及半导体聚合物组合物，涉及包含所述组合物的任选可交联的电缆，如果可交联，则涉及包含所述组合物的交联电缆，以及涉及包含所述组合物的电缆的制备方法，该方法包含电缆的任选交联步骤。本专利技术还涉及生产该半导体聚合物组合物的方法。

技术介绍

[0002]在导线和电缆(W&C)应用中，典型的电缆包含至少一个导体，该导体被一层或多层聚合物材料包围。在包括中压(MV)、高压(HV)和超高压(EHV)应用的电力电缆应用中，所述导体依次被包括内半导体层、绝缘层和外半导体层的若干层包围。可以向这些层中添加另外的层，例如筛网和/或辅助阻挡层，例如一个或多个水阻挡层和一个或多个护套层。此外，重要的电性能在不同的电缆应用中可能不同，如同交流(AC)和直流(DC)电缆应用之间的情况。
[0003]典型的电缆通常通过挤出导体上的层而生产。这种聚合物半导体层众所周知，并广泛用于额定电压大于6kV的介电电力电缆。这些层用于在导体和绝缘体之间以及绝缘体和地电位或中性电位之间提供中间电阻率层。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体聚合物组合物，包括：a)至少30wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物；b)至少25wt％的炭黑；和c)至少2wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物，其MFR2为至少100g/10min；条件是组分(a)和(c)不同。2.如权利要求1所述的半导体聚合物组合物，其中当根据ASTM D
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1510
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19测定时，所述炭黑的碘吸附值为至少10mg/g，例如10至300mg/g，诸如30至250mg/g，例如80至200mg/g，或100至170mg/g；和/或当根据ASTM D 2414
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19测量时，吸油值为至少30ml/100g，例如50至300ml/100g，例如50至250ml/100g，例如70至200ml//100g，例如90至130ml/100g。3.如权利要求1或2所述的半导体聚合物组合物，其中相对于所述共聚物的总重量，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的乙酸乙烯酯含量为1至35wt％，优选1.5至32wt％，更优选2至28wt％，更优选2.5至25wt％，甚至更优选3至22wt％，诸如4至20wt％，尤其是5至19wt％，诸如10至18wt％，例如12至16wt％。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体聚合物组合物，其中所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的MFR2小于乙烯乙酸乙烯酯共聚物(c)的MFR2，优选MFR2为0.01至50g/10min，更优选0.05至40g/10min，甚至更优选0.1至30g/10min，诸如0.5至20g/10min，例如1至15g/10min。5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体聚合物组合物，其中所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的存在量为30至73wt％，优选30至70wt％，更优选32至68wt％，甚至更优选35至65wt％或45至60wt％。6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体聚合物组合物，其中炭黑(b)的存在量为25至60wt％，优选28至55wt％，更优选30至50wt％，例如35至45wt％或34至41wt％；和/或所述乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔，
申请(专利权)人：博里利斯股份公司，
类型：发明
国别省市：