正型光敏材料制造技术

技术编号:33883922 阅读:34 留言:0更新日期:2022-06-22 17:16
本文公开了包含DNQ

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】正型光敏材料
专利

[0001]本专利申请是在光刻胶成像的领域中。更具体地,本专利申请公开了且要求保护可适用于(但不限于)亲硫(chalcophile)或反射性基底上的正型光敏材料。
[0002]背景
[0003]在电子器件制造领域中,必须使成像材料在多种基底上发挥作用。本领域已知不同的基底可能会带来不同的挑战。例如,反射性、高导电性基底可能会在可成像膜内施加光学条件,这会导致例如浮渣、起脚(footing)、驻波伪影(例如“扇形”等)等现象。此外,可能由附着力差起界面问题。附着力差可能会导致显影过程中膜的底切或分层。另一方面,膜可能对某些类型的基底表现出强的附着力,这可能会导致起脚形成或浮渣。
[0004]已经进行了若干尝试来管理上述光学和界面现象。为了改进附着力,已经描述了基底处理。例如,美国专利No.4,956,035公开了“一种促进有机化合物对金属表面附着力的组合物,该组合物包含蚀刻液、有效量的季铵阳离子表面活性剂和增溶量的第二表面活性剂或溶剂。”据说这种组合物可用于改进光刻胶对覆铜电路板的附着力,以及改进阻焊层对印刷电路的附着力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.组合物,其包含组分a)、b)、c)、d)和e):a)至少一种重氮萘醌磺酸酯光敏化合物(DNQ

PAC),b)至少一种具有结构(7)、(8)和/或(9)的杂环硫醇,c)至少一种光致产酸剂;d)至少一种包含选自具有结构(1)、(2)、(3)、(4)、(5)和(6)重复单元的重复单元的丙烯酸类聚合物,e)至少一种酚醛清漆聚合物,其在23℃下在0.26N四甲基氢氧化铵中的溶解速率为至少50埃/秒,其中基于存在的所有不同重复单元的总摩尔数,所述重复单元在所述丙烯酸类聚合物中以下列摩尔%范围存在,并且进一步地,其中存在于所述聚合物中的所有重复单元的单个摩尔%值的总和必须等于100摩尔%,和(1)的范围为约0至约35摩尔%,(2)的范围为约5至约55摩尔%,(3)的范围为约0至约30摩尔%,(4)的范围为约15至约55摩尔%,(5)的范围为约10至约40摩尔%,(6)的范围为约0至约25摩尔%,和R1、R2、R3、R4、R5和R6分别选自H、F、C

1至C

4氟代烷基或C

1至C

4烷基,R7选自H、C

1至C

4烷基、C

1至C

4烷氧基烷基和卤素,R8是C

3至C

8环状烷基,或C

7至C

14脂环烷基,R9是C

2至C

8(羟基)亚烷基基团,R
10
是酸可裂解基团,R
11
是C

3至C

12,(烷氧基)亚烷基基团;和在所述结构(7)中,Xt选自C(Rt1)(Rt2)、O、S、Se和Te;在所述结构(8)中,Y选自C(Rt3)和N;在所述结构(9)中,Z选自C(Rt3)和N;和Rt1、Rt2和Rt3独立地选自H、具有1至8个碳原子的取代烷基、具有1至8个碳原子的未取代烷基、具有2至8个碳原子的取代烯基、具有2至8个碳原子的未取代烯基、具有2至8个碳原子的取代炔基、具有2至8个碳原子的未取代炔基、具有6至20个碳原子的取代芳基、具有3至20个碳原子的取代杂芳基、具有6至20个碳原子的未取代芳基和具有3至20个碳原子的未取代杂芳基;
2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述DNQ

PAC是单一材料或材料混合物,其中具有结构(10)的2,1,5

重氮萘醌磺酸酯基团与酚类化合物形成至少一种磺酸酯,3.根据权利要求1或2中任一项所述的组合物,其中所述DNQ PAC是具有通式(11)的单一材料或具有通式(11)的材料的混合物,其中D
1c
、D
2c
、D
3c
和D
4c
分别选自H或具有结构(10)的基团,并且进一步地,其中D
1c
、D
2c
、D
3c
或D
4c
中的至少一个是具有结构(10)的基团,
4.根据权利要求1或2所述的组合物,其中所述DNQ PAC是具有结构(12a)的PAC化合物的单一化合物或混合物,其中D
1e
、D
2e
和D
3e
分别选自H或具有结构(10)的基团,并且进一步地,其中D
1e
、D
2e
或D
3e
中的至少一个是具有结构(10)的基团,5.根据权利要求1或2所述的组合物,其中所述DNQ PAC是具有结构(12b)的PAC化合物的单一化合物或混合物,其中D
1e
、D
2e
、D
3e
和D
4e
分别选自H或具有结构(10)的基团,并且进一步地,其中D
1e
、D
2e
、D
3e
或D
4e
中的至少一个是具有结构(10)的基团,6.根据权利要求1或2所述的组合物,其中所述DNQ PAC是具有结构(13)的单一化合物或具有结构(13)的化合物的混合物,其中D
1f
、D
2f
、D
3f
和D
4f
分别选自H或具有结构(10)的基团,并且进一步地,其中D
1f
、D
2f
、D
3f
或D
4f
中的至少一个是具有结构(10)的基团,7.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物,其中杂环硫醇选自未经取代的三唑硫醇、经取代的三唑硫醇、未经取代的咪唑硫醇、经取代的咪唑硫醇、经取代的三嗪硫醇、未经取代的三嗪硫醇、经取代的巯基嘧啶、未经取代的巯基嘧啶、经取代的噻二唑

硫醇、未经取代的噻二唑

硫醇、经取代的吲唑硫醇、未经取代的吲唑硫醇、其互变异构体及其组合。8.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物,其中杂环硫醇选自1,3,5

三嗪

2,4,6

三硫醇、2

巯基
‑6‑
甲基嘧啶
‑4‑
醇、3

巯基
‑6‑
甲基

1,2,4

三嗪
‑5‑
醇、2

巯基嘧啶

4,6

二醇、1H

1,2,4

三唑
‑3‑
硫醇、1H

1,2,4

三唑
‑5‑
硫醇、1H

咪唑
‑2‑
硫醇、1H

咪唑
‑5‑
硫醇、1H

咪唑
‑4‑
硫醇、2

氮杂双环[3.2.1]辛
‑2‑

‑3‑
硫醇、2

氮杂双环[2.2.1]庚
‑2‑

‑3‑
硫醇、1H

苯并[d]咪唑
‑2‑
硫醇、2

巯基
‑6‑
甲基嘧啶
‑4‑
醇、2

巯基嘧啶
‑4‑
醇、1

甲基

1H

咪唑
‑2‑
硫醇、1,3,4

噻二唑

2,5

【专利技术属性】
技术研发人员:刘卫宏卢炳宏
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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