涂层制造方法技术

本发明专利技术涉及一种制造用于施加至非金属表面的涂层的方法，包括以下步骤：施加(120)半导体材料至基材以形成半导体材料层，并且同时或随后施加(140)金属材料或附加半导体材料，其中，该金属材料或附加半导体材料是为了调整该涂层的光学性能而被有针对性地加入到该半导体材料层中的。体材料层中的。体材料层中的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】涂层制造方法


[0001]本专利技术涉及一种用于制造施加到非金属表面的涂层的方法以及一种用于施加到非金属表面的涂层。

技术介绍

[0002]非金属表面如塑料制构件的表面目前通常配设有金属薄膜涂层，以改变其外观和/或获得其它期望膜层性能。
[0003]构件的期望的金属外观例如可以利用所选金属的薄层获得，其厚度不再必须为了消除其外观与全金属构件的差异而大于约10至100纳米。这种金属层尤其可以利用真空涂覆过程如蒸镀法或溅射法来施加。
[0004]但大多数的金属层在电磁频谱的大部分内具有低透光性，这使其不适用于许多应用场合。因此，金属层例如在雷达技术设备应用所需的76
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77GHz频率范围内强烈吸收或反射电磁波，使得金属涂层因为其在该范围内的低透光性而不适用于这种应用。
[0005]前不久知道了这种期望的金属外观也可以利用半导体薄膜获得，在这里，该层膜因其半导体性能而对于电磁波是基本透射的并因此例如也可被用于雷达技术设备、电容式传感器等。在此情况下，这种层膜的金属外观源自在光学区域内的高折射率n，其已经在层膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造用于施加至非金属表面的涂层的方法，包括以下步骤：
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施加(120)半导体材料至基材以形成半导体材料层，
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同时或随后施加(140)金属材料或附加半导体材料，其中，该金属材料或该附加半导体材料是为了调整该涂层的光学性能而被有针对性地加入到该半导体材料层中的。2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，该半导体材料以高纯物质的形式被添加，其中，该半导体材料优选由硅或锗或硒或砷化镓构成。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，该金属材料以高纯物质的形式被添加，其中，该金属材料优选由铬或钼或铝或锆构成。4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征是，所述待施加金属材料和/或所述待施加金属材料的量和/或所述待施加金属材料的施加区域至少部分基于该金属材料在光学范围内的吸收系数k来选择。5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征是，该半导体材料的施加(120)和/或该金属材料的施加(140)通过热处理进行，其中，该热处理优选在高于400℃、尤其是高于800℃的温度下进行。6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征是，所施加的金属材料量和/或所施加的金属材料关于半导体材料与金属材料之和所占的份额通过处理时间的变化和/或处理温度的变化来确定。7.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征是，该半导体材料在该基材上的施加(120)至少部分与所述金属材料部分的施加(140)同时地进行，其中，所述待施加的半导体材料和所述待施加的金属优选被预混合和/或在所述施加(120,140)期间相互混合。8.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征是，所述半导体材料和所述金属材料的施加(120,140)通过化学和/或物理涂覆方法、优选是CVD法和/或PVD法、尤其是PA
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CVD和/或HIP IMS和/或阴极电弧沉积法和/或EB
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PVD法进行。9.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征是，在施加(120)该半导体材料时对所述待涂覆基材施加负偏电压，其中，该负偏电压小于200V、优选小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蒂亚斯，
申请(专利权)人：欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔，
类型：发明
国别省市：