使装置具备增强型持久性存储器区存取能力制造方法及图纸

技术编号:33881843 阅读:19 留言:0更新日期:2022-06-22 17:12
本申请案涉及使装置具备增强型持久性存储器区存取能力。接收主机命令以配置系统以使其具有指定用于揭露存储元件及持久性存储器区PMR的接口标准的配置。所述存储元件对所述接口标准的第一协议可见且所述PMR对所述接口标准的第二协议可见。所述存储元件在包含非易失性存储器装置的所述系统的第一存储器装置上实施且所述PMR在所述系统的第二存储器装置上实施。所述系统是根据所述配置来配置。所述系统是根据所述配置来配置。所述系统是根据所述配置来配置。

【技术实现步骤摘要】
使装置具备增强型持久性存储器区存取能力


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,且更具体来说,涉及使装置具备增强型持久性存储器区(PMR)存取能力。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以将数据存储在所述存储器装置处及从所述存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]根据本申请案的一方面,提供一种系统。所述系统包括:第一存储器装置,其包括非易失性存储器装置;第二存储器装置;及处理装置,其与所述第一及第二存储器装置可操作地耦合,以执行包括以下的操作:接收主机命令以配置所述系统以使其具有指定用于揭露在所述第一存储器装置上实施的存储元件及在所述第二存储器装置上实施的持久性存储器区(PMR)的接口标准的配置,所述存储元件对所述接口标准的第一协议可见且所述PMR对所述接口标准的第二协议可见;及根据所述配置来配置所述系统。
[0004]根据本申请案的另一方面,提供一种方法。所述方法包括:接收主机命令以配置系统以使其具有指定用于揭露存储元件及持久性存储器区(PMR)的接口标准的配置,所述存储元件对所述接口标准的第一协议可见且所述PMR对所述接口标准的第二协议可见,其中所述存储元件是在包括非易失性存储器装置的所述系统的第一存储器装置上实施且所述PMR是在所述系统的第二存储器装置上实施;及根据所述配置来配置所述系统。
[0005]根据本申请案的又一方面,提供一种非暂时性计算机可读存储媒体,所述非暂时性计算机可读存储媒体包括指令,所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下的操作:引导包括第一存储器装置及第二存储器装置的系统以使其具有与第一接口标准相关联的第一配置,所述第一存储器装置包括非易失性存储器装置;接收主机命令以配置所述系统以使其具有指定用于揭露在所述第一存储器装置上实施的存储元件及在所述第二存储器装置上实施的持久性存储器区(PMR)的第二接口标准的第二配置,所述存储元件对所述第二接口标准的第一协议可见且所述PMR对所述第二接口标准的第二协议可见;及根据所述第二配置来配置所述系统。
附图说明
[0006]从下文所给出的详细描述及从本公开的各种实施例的附图,将更全面地理解本公开。然而,附图不应被视为将本公开限于特定实施例,而是仅用于解释及理解。
[0007]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2是根据本公开的一些实施例的用于使装置具备增强型持久性存储器区(PMR)存取能力的实例方法的流程图。
[0009]图3是根据本公开的一些实施例的包含具备增强型持久性存储器区(PMR)存取能力的装置的实例系统的框图。
[0010]图4是根据本公开的一些实施例的实施具备增强型持久性存储器区(PMR)存取能力的装置的实例系统的框图。
[0011]图5是说明根据本专利技术的一些实施例的用于实施电容器(CAP)检查的系统的框图。
[0012]图6是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0013]本公开的方面涉及使装置具备增强型持久性存储器区(PMR)存取能力。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置或存储器模块的组合。下文结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说,主机系统可利用包含一或多个组件的存储器子系统,所述组件例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索的数据。
[0014]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置,其中当没有电力被供应到所述存储器装置时期望保留数据。非易失性存储器装置的一个实例是“与非”(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如,NAND装置),每一平面由一组物理块组成。每一块由一组页面组成。每一页面由一组存储器单元(“单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。取决于单元类型,单元可存储一或多个二进制信息位,且具有与被存储的位的数目相关的各种逻辑状态。所述逻辑状态可由二进制值,例如“0”及“1”,或此类值的组合来表示。
[0015]对于可利用面向事务的持久性存储器的多种实施方案或使用案例,在块存储元件旁边具有系统揭露的字节可寻址存储器的区变得更加重要,且现代应用对事务一致性的依赖性已显著地增长。可利用面向事务的持久性存储器的示范性实施方案包含但不限于写入日志记录,软件RAID及纠删编码系统的日志,数据库的提交日志,压缩卷的元数据,重复数据删除、压缩等的分级,故障转移环境中的状态转移,错误/警告日志记录(例如,装置面包屑导航),用于行内块压缩的压缩元数据表及协作存储域元数据(例如,虚拟驱动器群组)。
[0016]一种正在实施的解决方案是使用非易失性直插式存储器模块(NVDIMM)。然而,NVDIMM实施方案可能很昂贵且具有它们本身的局限性。例如,NVDIMM将来可能不实用,因为所述技术可能不容易适用于现代系统架构且因为其在节点之间的保护机制无法相应地伸缩。
[0017]存储器子系统中的存储器装置,例如固态驱动器(SSD)可通过经由总线附接的逻辑装置接口来存取。用于存取存储器装置的此逻辑装置接口的一个实例是非易失性存储器快速(NVMe)。主机系统(“主机”)可经由例如外围组件互连快速(PCIe)总线存取存储器子系统,且对存储器子系统的(若干)存储器装置的存取在本文中可被称为PCIe NVMe。更具体来说,存储器子系统(例如,SSD)可包含存储元件及持久性存储器区(PMR)。例如,存储元件可包含块存储元件。PMR对应于被实施为电源保护易失性存储器装置(例如,电源保护动态随机存取存储器(DRAM))的可读持久性存储器的区域。更具体来说,PMR可为可通过基地址寄存器(BAR)存取的字节可寻址存储器区。NVMe SSD连接的存储器装置可包含PMR,其中此装
置被称为具有PMR的NVMe SSD装置。
[0018]尽管举例来说例如具有PMR的NVMe SSD装置的装置可在存储元件旁边提供所要系统揭露的字节可寻址存储器,但可高速缓存性及/或一致性的潜在缺乏可能使此类装置不太有用,因为其可使管理更加困难,可能需要定制软件,且可能限制性能。另外,PMR内的存储器大小对于许多解决方案来说可能太小。因此,这些示范性缺陷限制了行业广泛采用其作为可利用面向事务的持久性存储器的解决方案。
[0019]本公开的方面通过具有使装置具备增强型PMR存取能力的存储器子系统而解决上述及其它缺陷。例如,本文中所描述的装置可为具有PMR的NVMe SSD。更具体来说,本公开的方面用提供对PMR的增强型存取的底层接口标准,在单个装置中将在包含非易失性存储器装置的第一存储器装置上实施的存储元件与在第二存储器装置上实施的PMR本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统,其包括:第一存储器装置,其包括非易失性存储器装置;第二存储器装置;及处理装置,其与所述第一及第二存储器装置可操作地耦合,以执行包括以下的操作:接收主机命令以配置所述系统以使其具有指定用于揭露在所述第一存储器装置上实施的存储元件及在所述第二存储器装置上实施的持久性存储器区PMR的接口标准的配置,所述存储元件对所述接口标准的第一协议可见且所述PMR对所述接口标准的第二协议可见;及根据所述配置来配置所述系统。2.根据权利要求1所述的系统,其中所述系统包括非易失性存储器快速固态驱动器NVMe SSD且所述存储元件是NVMe块存储元件。3.根据权利要求1所述的系统,其中所述第二存储器装置包括第二非易失性存储器装置或易失性存储器装置。4.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一协议及所述第二协议是由外围组件互连快速PCIe支持的替代协议,所述接口标准是计算快速链路CXL,所述第一协议是CXL.io协议,且所述第二协议是CXL.mem协议或CXL.cache协议中的至少一者。5.根据权利要求1所述的系统,其中所述配置在第一端口处指定用于揭露所述存储元件及所述PMR的第一区的所述接口标准,且在第二端口处指定用于揭露所述存储元件及所述PMR的第二区的所述接口标准。6.根据权利要求1所述的系统,其中所述操作进一步包括基于所述配置来执行至少一个系统操作,且其中执行所述至少一个系统操作包括执行以下中的至少一者:接收协议错误且通过所述接口标准报告所述协议错误;或接收数据管理错误,由所述存储元件处理所述数据管理错误,且通过与所述存储元件相关联的报告机制报告所述数据管理错误,由此支持单独的控制路径及数据流路径。7.根据权利要求6所述的系统,其中配置所述系统包括将所述PMR的段分配为通过所述接口标准标记为可见的可高速缓存存储器,且其中所述PMR的所述段被检测为通过所述接口标准共享的内部存储器范围。8.一种方法,其包括:接收主机命令以配置系统以使其具有指定用于揭露存储元件及持久性存储器区PMR的接口标准的配置,所述存储元件对所述接口标准的第一协议可见且所述PMR对所述接口标准的第二协议可见,其中所述存储元件是在包括非易失性存储器装置的所述系统的第一存储器装置上实施且所述PMR是在所述系统的第二存储器装置上实施;及根据所述配置来配置所述系统。9.根据权利要求8所述的方法,其中所述系统包括非易失性存储器快速固态驱动器NVMe SSD且所述存储元件是NVMe块存储元件。10.根据权利要求8所述的方法,其中所述第二存储器装置包括第二非易失性存储器装置或易失性存储器装置。11.根据权利要求8所述的方法,其中所述第一协议及所述第二协议是由外围组件互连快速PCIe支持的替代协议,所述接口标准是计算快速链路CXL,所述第一协议是CXL.io协
议,且所述第二协议是CXL.mem协议或CXL.cache协议中的至少一者。12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:J
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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