半导体装置以及半导体模块制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一部件的第一面时，在第一面的内部区域配置有多个电路模块。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含至少一个电路模块。导体突起从第二部件向与第一部件侧相反的一侧突出。第二部件的电路模块中的一个电路模块构成第一放大电路，该第一放大电路包含相互并联连接的多个第一晶体管。在俯视时，第一部件的多个电路模块中的至少一个电路模块与第二部件中的至少一个电路模块重叠。模块与第二部件中的至少一个电路模块重叠。模块与第二部件中的至少一个电路模块重叠。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体模块


[0001]本专利技术涉及半导体装置以及半导体模块。

技术介绍

[0002]在用于移动体通信、卫星通信等的电子设备中，设置有将高频信号的收发功能一体化的RF前端模块。RF前端模块具备具有高频放大功能的单片微波集成电路元件(MMIC)、控制高频放大电路的控制IC、开关IC、双工器等。
[0003]在下述的专利文献1中公开有通过在MMIC上层叠控制IC而小型化的高频模块。专利文献1中公开的高频模块包含搭载在模块基板上的MMIC、以及层叠在MMIC上的控制IC。MMIC的电极、控制IC的电极以及模块基板上的电极通过引线键合电连接。
[0004]专利文献1：美国专利申请公开第2015/0303971号说明书
[0005]高频放大电路例如使用异质结双极晶体管(HBT)。HBT因在动作中产生集电极损耗而发热。由发热引起的HBT的温度上升作用于使集电极电流进一步增大的方向。若满足该正反馈的条件，则HBT达到热失控。为了避免HBT的热失控，限制HBT的输出电力的上限值。
[0006]为了实现高频放大电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第一部件，具有第一面，并包含俯视上述第一面时配置于上述第一面的内部区域的多个电路模块；第二部件，与上述第一部件的上述第一面面接触地接合，且包含至少一个电路模块；以及导体突起，从上述第二部件向与上述第一部件侧相反的一侧突出，上述第二部件的电路模块中的一个电路模块构成第一放大电路，上述第一放大电路包含相互并联连接的多个第一晶体管，在俯视时，上述第一部件的多个电路模块中的至少一个电路模块与上述第二部件中的至少一个电路模块重叠。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备布线，上述布线连接俯视时相互重叠的上述第一部件的电路模块和上述第二部件的电路模块。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在俯视时与上述第一部件的电路模块重叠的上述第二部件的电路模块构成上述第一放大电路，在俯视时，构成上述第一放大电路的电路模块与上述第一部件的多个电路模块中的在上述第一放大电路的动作中未动作的电路模块重叠。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在俯视时与上述第二部件的电路模块重叠的上述第一部件的电路模块是数字电路，在当俯视时相互重叠的上述第一部件的电路模块和上述第二部件的电路模块之间，上述第一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：深泽美纪子，后藤聪，吉见俊二，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：