一种准相位匹配器件PPKTP用KTP晶体及其制备方法技术

本申请实施例提供了一种准相位匹配器件PPKTP用KTP晶体及其制备方法，其先通过助熔剂法制备KTP晶体，以K7P3O

【技术实现步骤摘要】
一种准相位匹配器件PPKTP用KTP晶体及其制备方法


[0001]本专利技术涉及晶体材料
，特别是涉及一种准相位匹配器件PPKTP用KTP晶体及其制备方法。

技术介绍

[0002]准相位匹配器件用的周期性极化KTiOPO4(简称KTP)晶体(Periodically poled KTP，PPKTP)是一种全新的非线性光学晶体，它可以在整个KTP晶体透光波段内实现所有的非线性应用要求，而不受KTP晶体的常规角度相位匹配限制，拓宽了应用范围。同时，PPKTP晶体器件可以利用KTP晶体最大的非线性光学系数提高转换效率。
[0003]KTP是众所周知的优良非线性光学晶体，它的非线性系数大，透过范围宽，激光抗损伤阈值高，角度带宽及温度带宽都很好。但是，在实际生产中，KTP的上述优良的光透过范围和非线性系数等性能并未得到充分利用。由于KTP的抗激光损伤阈值高，极化反转电压低，采用KTP晶体通过周期极化技术制作的准相位匹配器件PPKTP有利于高变频功率下应用，且室温下光折变效应不明显，故PPKTP在激光变频领域更有竞争力。国外的新型大功率激光变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种准相位器件的PPKTP用KTP晶体，所述KTP晶体经精密光学加工制成晶片后外加高压电场极化获得所述PPKTP，所述KTP晶体以K7P3O
11
为助熔剂制备，所述KTP晶体的电导率为2.5
×
10
‑
10
‑4×
10
‑
10
S/cm。2.根据权利要求1所述的KTP晶体，其中掺杂有Ba
2+
，所述Ba
2+
与所述KTP晶体中K
+
的摩尔比为(1.2
‑
2.5):100。3.根据权利要求1所述的KTP晶体，其中所述KTP晶体的532nm激光吸收为4500
‑
5500ppm/cm。4.根据权利要求1所述的KTP晶体，其中所述KTP晶体的光学均匀性Δn为4.5
×
10
‑6‑
5.2
×
10
‑6/cm。5.一种根据权利要求1
‑
4任一项所述的KTP晶体的制备方法，包括：(1)将合成KTP晶体的原料、合成K7P3O
11
的原料和含钡化合物放入位于晶体生长炉内的铂金...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建荣，王国影，李辉，王海丽，张阳，
申请(专利权)人：北京中材人工晶体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：