一种纯相Si2N2O粉体的合成方法技术

本发明专利技术涉及无机材料合成领域，具体是一种纯相Si2N2O粉体的合成方法，所述合成方法包括将硅源、氮源混合发生反应获得硅胺前驱体，随后氧源对硅胺前驱体增氧获得含氧前驱体，含氧前驱体经过热分解晶化获得纯相Si2N2O粉体。本发明专利技术提供的合成方法不仅解决了传统工艺难以合成纯相Si2N2O粉体的难题，而且工艺流程简单、合成效率高。合成效率高。合成效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种纯相Si2N2O粉体的合成方法


[0001]本专利技术涉及无机材料合成制备领域，具体为一种纯相Si2N2O粉体的合成方法。

技术介绍

[0002]Si2N2O是一种强度高、抗热震性能好、介电常数小、透波性能好的结构陶瓷和功能陶瓷，在电子信息、航空航天、化工冶金等领域具有重要的应用价值。纯相粉体是制备高性能Si2N2O陶瓷器件的基础。自上世纪90年代以来，人们一直致力于开发高效合成纯相Si2N2O粉体的方法。经过20多年的发展，目前Si2N2O粉体的合成方法主要有以下几种方法。
[0003](1)Si3N4粉体与SiO2粉体混合高温烧制法，反应温度为1600～1800℃。反应方程式为：SiO2+Si3N4＝2Si2N2O。固相SiO2和固相Si3N4反应受扩散步骤控制，初始形成的Si2N2O包裹在Si3N4颗粒表面形成了传质障碍层，阻碍了后续反应的发生，因而粉体中Si2N2O相含量较低(约20wt.％)(J.Eur.Ceram.Soc.,18(1998)527
‑
533)。此外，SiO2温度高于1300℃时会发生明显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纯相Si2N2O粉体的合成方法，所述合成方法包括：将硅源与氮源进行反应得到硅胺前驱体和卤化铵的混合粉体；将混合粉体中通入氧源增氧合成含氧前驱体粉体，含氧前驱体粉体脱除卤化铵后热分解获得纯相Si2N2O粉体；或，脱除混合粉体中的卤化铵后再通入氧源增氧合成含氧前驱体粉体，最后将含氧前驱体粉体热分解获得纯相Si2N2O粉体。2.根据权利要求1中所述的一种纯相Si2N2O粉体的合成方法，其特征在于，所述硅源为SiCl
x
H4‑
x
或SiBr
x
H4‑
x
，0≤x≤4；所述氮源为NH3；所述氧源为水蒸气、O2和N2O中的一种或多种，所述热分解的热分解气氛为H2、Ar、N2、NH3和He中的一种或多种。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱庆山，向茂乔，耿玉琦，赵宇翔，
申请(专利权)人：中国科学院过程工程研究所，
类型：发明
国别省市：